用于无源和器件集成的双面重新分布层（RDL）基板的制作方法

本公开的各方面涉及半导体器件，并且更具体地涉及用于无源和有源器件集成的晶片级双面重新分布层(rdl)基板。

背景技术：

1、无线通信设备结合了射频(rf)模块，该rf模块便于通信并且以用户期望为特征。随着无线系统变得更加普遍并且包括更多能力，芯片变得更加复杂。第五代(5g)新无线电(nr)无线通信设备结合了最新一代电子管芯，该电子管芯被封装到具有较小的互连件的较小模块中。设计挑战包括集成无源器件和有源器件以实现rf前端模块(fem)。

2、rf前端模块可以通过在层压基板上集成rf滤波器、有源器件和表面安装技术(smt)器件来实现。这些rf滤波器、有源器件和smt器件通常以由层压基板支撑的并列型封装配置来布置。遗憾的是，由于未来应用的减小的形状因数，这些常规的并列型封装层压配置经受减小的xy尺寸和z高度限制。即，常规的并列型封装层压配置的xy尺寸和z高度尺寸超过了未来rf前端模块应用的形状因数。需要满足由未来rf前端模块应用的形状因数指定的减小的xy尺寸和z高度尺寸的rf前端具体实施。

技术实现思路

1、一种器件包括重新分布层(rdl)基板。该器件还包括在该rdl基板中靠近该rdl基板的第一表面的无源组件。该器件进一步包括耦合到与该rdl基板的该第一表面相对的该rdl基板的第二表面的第一管芯。

2、描述了一种用于制造器件的方法。该方法包括在载体玻璃基板上形成重新分布层(rdl)基板。该方法还包括在该rdl基板的层间电介质(ild)层中靠近该rdl基板的第一表面和该载体玻璃基板形成无源组件。该方法进一步包括将第一管芯耦合到与该rdl基板的该第一表面相对的该rdl基板的第二表面。该方法还包括从该rdl基板的该第一表面移除该载体玻璃基板。

3、这已较宽泛地勾勒出本公开的特征和技术优点以便使下面的详细描述可被更好地理解。本公开的附加特征和优点将在下文描述。本领域技术人员应当理解，本公开可容易地被用作修改或设计用于实施与本公开相同的目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到，这样的等效构造并不脱离所附权利要求中所阐述的本公开的教导。被认为是本公开的特性的新颖特征在其组织和操作方法两方面连同进一步的目的和优点在结合附图来考虑以下描述时将被更好地理解。然而，要明确理解的是，提供每一幅附图均仅用于例示和描述目的，并且无意作为对本公开的限定的定义。

技术特征：

1.一种器件，包括：

2.根据权利要求1所述的器件，进一步包括耦合在所述第一管芯与所述rdl基板的所述第二表面之间的器件互连。

3.根据权利要求1所述的器件，进一步包括与所述第一管芯相对的耦合到所述无源组件的第二管芯。

4.根据权利要求3所述的器件，进一步包括与所述第一管芯相对并且靠近所述第二管芯的耦合到所述无源组件的第三管芯。

5.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一管芯包括天线模块。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述无源组件包括金属-绝缘体-金属(mim)电容器。

8.根据权利要求7所述的器件，进一步包括耦合到所述mim电容器的电感器。

9.根据权利要求1所述的器件，其中所述器件包括射频(rf)滤波器。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述器件包括射频前端(rffe)模块。

11.一种用于制造器件的方法，包括：

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括在所述rdl基板的所述第二表面上形成器件互连，以将所述第一管芯耦合到所述rdl基板的所述第二表面。

13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括将与所述第一管芯相对的第二管芯耦合到所述无源组件。

14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括将与所述第一管芯相对并且靠近所述第二管芯的第三管芯耦合到所述无源组件。

15.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一管芯包括天线模块。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述无源组件包括金属-绝缘体-金属(mim)电容器。

18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括形成耦合到所述mim电容器的电感器。

19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括将所述器件集成在射频(rf)滤波器中。

20.根据权利要求11所述的方法，进一步包括将所述器件集成在射频前端(rffe)模块中。

技术总结一种器件包括重新分布层(RDL)基板。该器件还包括在该RDL基板中靠近该RDL基板的第一表面的无源组件。该器件进一步包括耦合到与该RDL基板的该第一表面相对的该RDL基板的第二表面的第一管芯。技术研发人员：C·H·芸,N·朴,D·D·金,P·A·泰德萨尔,S·S·瓦达夫卡尔受保护的技术使用者：高通股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29