双工射频芯片的制作方法

本申请涉及芯片技术，尤其涉及一种双工射频芯片。

背景技术：

1、目前的射频芯片主要包含时分双工(time-division duplexing，简称：tdd)和频分双工(frequency division duplex，简称：fdd)两种，这两种芯片都将功率放大器(poweramplifier，简称：pa)和低噪声放大器(low noise amplifier，简称：lna)集成在一个芯片内，分别用作两个方向的信号发送。

2、如图1所示，tdd射频芯片中的tx和rx分时段工作，对收发隔离的要求较低。如图2所示，fdd射频芯片中的tx和rx是同时工作的，tx输出功率较大，会对rx的接收灵敏度产生较严重的影响。而芯片中对收发通道的隔离要求通常为80dbc以上，但是目前的fdd射频芯片都不能满足该隔离要求。

技术实现思路

1、为了解决上述技术缺陷之一，本申请实施例中提供了一种双工射频芯片。

2、根据本申请实施例的第一个方面，提供了一种双工射频芯片，包括：

3、芯片基板；

4、第一模组和第二模组，分别设置于芯片基板顶面的两侧；第一模组和第二模组的信号传送方向相反；

5、隔离墙，设置于第一模组和第二模组之间，将第一模组和第二模组隔开。

6、本申请实施例提供的技术方案，将信号传送方向相反的第一模组和第二模组分别设置于芯片基板顶面的两侧，隔离墙设置于第一模组和第二模组之间，将第一模组和第二模组隔开，以提高二者之间信号收发的隔离度，提高双工射频信号信号收发的准确性。

技术特征：

1.一种双工射频芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的双工射频芯片，其特征在于，所述隔离墙包括：底部墙段、中部墙段和顶部墙段；

3.根据权利要求2所述的双工射频芯片，其特征在于，中部墙段垂直连接于底部墙段和顶部墙段之间。

4.根据权利要求2所述的双工射频芯片，其特征在于，采用压缩模塑工艺将芯片基板、第一模组、第二模组和隔离墙封装在一起形成封装体，以使隔离墙与第一模组、第二模组之间的间隙内充满压缩模塑工艺材料。

5.根据权利要求4所述的双工射频芯片，其特征在于，所述隔离墙采用金属制成；隔离墙中的顶部墙段的顶面露出封装体表面。

6.根据权利要求5所述的双工射频芯片，其特征在于，还包括：顶部导热板，贴设于隔离墙的顶面；顶部导热板与隔离墙之间设有导热硅脂。

7.根据权利要求1所述的双工射频芯片，其特征在于，还包括：底部导热板，贴设于芯片基板的底面。

8.根据权利要求5所述的双工射频芯片，其特征在于，还包括：隔离线，连接在隔离墙的顶部与芯片基板的接地点之间，接地点对应位于第一模组、第二模组的外侧；隔离线与隔离墙在第一模组、第二模组外围形成屏蔽空间。

9.根据权利要求8所述的双工射频芯片，其特征在于，隔离线的顶端连接至顶部墙段的侧面。

10.根据权利要求9所述的双工射频芯片，其特征在于，隔离线呈抛物线状。

技术总结本申请实施例提供一种双工射频芯片，包括：芯片基板；第一模组和第二模组，分别设置于芯片基板顶面的两侧；第一模组和第二模组的信号传送方向相反；隔离墙，设置于第一模组和第二模组之间，将第一模组和第二模组隔开。本申请实施例提供的双工射频芯片采用隔离墙设置于第一模组和第二模组之间，将第一模组和第二模组隔开，以提高二者之间信号收发的隔离度，提高双工射频信号信号收发的准确性。技术研发人员：陈亚,徐丹丹,陈少俭受保护的技术使用者：苏州华太电子技术股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29