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一种LED器件及制备方法与流程

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:02:29

本发明主要涉及led,具体涉及一种led器件及制备方法。

背景技术:

1、目前的led器件应用在汽车的抬头显示系统和数字化车灯上,需要led器件具有良好的出光光效,以满足汽车的日常使用需求。

2、抬头显示系统(head up display,hud)也称汽车平视显示系统,利用光学反射原理,将汽车驾驶辅助信息、导航信息、检查控制信息以及adas(advanced driverassistance system,自动驾驶)信息等以投影方式显示在风挡玻璃上,从而提高用户的驾驶体验。

3、由于抬头显示原理是通过led器件作为背光源,将驾驶信息投影在车窗玻璃上,环境光对抬头显示的效果影响较大,需要led器件具备较好的出光光效,以满足显示信息的投影需求。当前hud系统多采用led背光源结合dmd(digital micromirror device,数字微镜元件)或lcos(liquid crystal on silicon,硅基液晶)成像技术,虽能展现信息,但非直接成像方式导致光在传播中经过多组件,产生较大光效损失。这不仅降低成像亮度,还可能影响图像的清晰度和对比度,尤其在强环境光下问题更为凸显。因此,提升led器件亮度至关重要。

技术实现思路

1、本发明的目的在于克服现有技术的不足,本发明提供了一种led器件及制备方法,通过在led芯片上设置带有气孔结构的光转化膜片,提高膜片对光线的转换效果,从而提高led器件的出光效果。

2、本发明提供了一种led器件,所述高亮度的led器件包括:基板、设置在所述基板上的led芯片、覆盖在所述led芯片上的光转化膜片,以及包覆在所述led芯片和所述光转化膜片四周的封装胶体;

3、所述光转化膜片内设置有若干个气孔,所述若干个气孔覆盖在所述光转化膜片的部分区域,或所述若干个气孔覆盖在所述光转化膜片的全部区域。

4、进一步的,所述若干个气孔在所述光转化膜片内的浓度为c,所述c的取值范围为:0.1%≤c≤20%。

5、进一步的,任一所述气孔的孔径为d,所述d的取值范围为:0.1μm≤d≤30μm。

6、进一步的,所述气孔的形状为圆形,或矩形,或三角形,或不规则形状。

7、进一步的,所述光转化膜片的出光面为凹凸面结构。

8、进一步的,所述光转化膜片为荧光陶瓷膜片,或所述光转化膜片为荧光玻璃膜片。

9、进一步的,所述led器件还包括透明胶层,所述透明胶层覆盖在所述光转化膜片上。

10、进一步的,所述光转化膜片的光折射率为α,所述α的取值为:1.5≤α≤2.2。

11、进一步的,任一所述气孔的光折射率为β,所述β的取值为:0.8≤β≤1.2。

12、本发明还提供了一种led器件的制备方法,所述led器件的制备方法用于制备所述led器件,所述制备方法包括:

13、将led芯片的电极焊盘对贴在所述基板的焊盘区域上,所述led芯片的电极焊盘与所述基板的焊盘区域基于导电材料实现电连接;

14、按比例称取原料粉体,基于原料粉体制备陶瓷膜片胚体;

15、将陶瓷膜片胚体放置在烧结炉中,并在烧结炉内通入气体进行烧结,得到带有气孔结构的光转化膜片;

16、将光转化膜片通过粘接胶固定在led芯片上方,高温固化所述粘接胶;

17、在led芯片和光转化膜片的四周填充封装胶体,高温固化所述封装胶体,得到led器件。

18、进一步的,所述按比例称取原料粉体,基于原料粉体制备陶瓷膜片胚体包括:

19、按比例称取原料粉体,在原料粉体内加入溶剂和球磨颗粒进球磨处理,通过筛网滤去球磨颗粒,得到原料粉体混合物;

20、对原料粉体混合物进行干燥后,通过压制得到陶瓷膜片胚体。

21、进一步的,所述将陶瓷膜片胚体放置在烧结炉中,并在烧结炉内通入惰性气体进行烧结,得到带有气孔结构的光转化膜片包括:

22、对陶瓷膜片胚体进行低温烘烤,将烘烤后的陶瓷膜片胚体放置在烧结炉中;

23、调节烧结炉内的真空度,在烧结炉内通入惰性气体进行烧结,得到带有气孔结构的光转化膜片。

24、本发明提供了一种led器件及制备方法,通过在led芯片的上方覆盖带有若干个气孔结构的光转化膜片,基于气孔结构提高光转化膜片对led芯片发出的光线的转化效果,提高led器件的出光光效。在烧结光转化膜片时,通过通入惰性气体,并调整光转化膜片的烧结参数,使得光转化膜片内形成有若干个气孔,制备过程简便,基于气孔结构提高光转化膜片对光线的转换效率和转换效果,从而提高led器件的出光光效。

技术特征:

1.一种led器件,其特征在于,所述led器件包括:基板、设置在所述基板上的led芯片、覆盖在所述led芯片上的光转化膜片,以及包覆在所述led芯片和所述光转化膜片四周的封装胶体;

2.如权利要求1所述的led器件,其特征在于,所述若干个气孔在所述光转化膜片内的浓度为c,所述c的取值范围为:0.1%≤c≤20%。

3.如权利要求1所述的led器件,其特征在于,任一所述气孔的孔径为d,所述d的取值范围为:0.1μm≤d≤30μm。

4.如权利要求1所述的led器件,其特征在于,所述气孔的形状为圆形,或矩形,或三角形,或不规则形状。

5.如权利要求1所述的led器件,其特征在于,所述光转化膜片的出光面为凹凸面结构。

6.如权利要求1所述的led器件,其特征在于,所述光转化膜片为荧光陶瓷膜片,或所述光转化膜片为荧光玻璃膜片。

7.如权利要求1所述的led器件,其特征在于,所述led器件还包括透明胶层,所述透明胶层覆盖在所述光转化膜片上。

8.如权利要求1所述的led器件,其特征在于,所述光转化膜片的光折射率为α,所述α的取值为:1.5≤α≤2.2。

9.如权利要求1所述的led器件,其特征在于,任一所述气孔的光折射率为β,所述β的取值为:0.8≤β≤1.2。

10.一种led器件的制备方法,其特征在于,所述led器件的制备方法用于制备如权要求1至9任一所述的led器件,所述制备方法包括:

11.如权利要求10所述的led器件的制备方法,其特征在于,所述按比例称取原料粉体,基于原料粉体制备膜片胚体包括:

12.如权利要求10所述的led器件的制备方法,其特征在于,所述将膜片胚体放置在烧结炉中,并在烧结炉内通入气体进行烧结,得到带有气孔结构的光转化膜片包括:

技术总结本发明公开了一种LED器件及制备方法,所述LED器件包括:基板、设置在所述基板上的LED芯片、覆盖在所述LED芯片上的光转化膜片,以及包覆在所述LED芯片和所述光转化膜片四周的封装胶体;所述光转化膜片内设置有若干个气孔,所述若干个气孔分布在所述光转化膜片的部分区域,或所述若干个气孔分布在所述光转化膜片的全部区域。通过在LED芯片上设置带有气孔结构的光转化膜片,提高膜片对光线的转换效果,从而提高LED器件的出光效果。技术研发人员:章金惠,黎楚沂,禄希鹏,李丹伟,邓子灏受保护的技术使用者:佛山市国星光电股份有限公司技术研发日:技术公布日:2024/7/29

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