存储器元件的制作方法

本公开是关于一种存储器结构。

背景技术：

1、近年来，半导体装置的结构不断改变，且半导体装置的存储容量不断增加。存储器装置被应用于许多产品的存储元件中。随着这些应用的增加，存储器装置的需求集中在小尺寸与大存储容量上。为了满足此条件，需要具有高元件密度与小尺寸的存储器装置。

技术实现思路

1、根据本公开的部分实施例，一种存储器元件包含一存储器结构、一控制器芯片，以及一处理器芯片。存储器结构包含第一存储器芯片，以及多个第二存储器芯片所形成的一叠层，其中第二存储器芯片的每一者的存储器密度高于第一存储器芯片的存储器密度。控制器芯片电性连接至第一存储器芯片以及第二存储器芯片。处理器芯片电性连接至控制器芯片。

2、在部分实施例中，第二存储器芯片呈阶梯状排列。

3、在部分实施例中，第二存储器芯片的数量大于或等于4个。

4、在部分实施例中，第一存储器芯片包含一易失性存储器，而第二存储器芯片的每一者包括不同于易失性存储器的一存储器。

5、在部分实施例中，第二存储器芯片的存储器密度大于或等于第一存储器芯片的存储器密度的8倍。

6、在部分实施例中，第一存储器芯片具有一输入输出数量iod、一数据传输速率fd。第二存储器芯片的每一者具有一输入输出数量ion、一数据传输速率fn，第二存储器芯片的数量为ns。第一存储器芯片以及第二存储器芯片满足iod*fd＞＝ion*fn*ns。

7、在部分实施例中，第一存储器芯片的输入输出数量大于第二存储器芯片的每一者的输入输出数量。

8、在部分实施例中，第一存储器芯片位于第二存储器芯片所形成的叠层和控制器芯片之间。

9、在部分实施例中，存储器元件还包含多个第一凸块接触第一存储器芯片的下表面和控制器芯片的上表面。多个导电柱分别接触第二存储器芯片的下表面。第二凸块分别连接导电柱至控制器芯片的上表面。

10、在部分实施例中，存储器元件还包含多个凸块接触第一存储器芯片的下表面和控制器芯片的上表面。多个导线分别连接第二存储器芯片的上表面至控制器芯片的上表面。

技术特征：

1.一种存储器元件，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，这些第二存储器芯片呈阶梯状排列。

3.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，这些第二存储器芯片的数量大于或等于4个。

4.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，该第一存储器芯片包含一易失性存储器，而这些第二存储器芯片每一者包括不同于该易失性存储器的一存储器。

5.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，这些第二存储器芯片的该存储器密度大于或等于该第一存储器芯片的该存储器密度的8倍。

6.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，该第一存储器芯片的一输入输出数量大于这些第二存储器芯片的每一者的一输入输出数量。

8.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，该第一存储器芯片位于这些第二存储器芯片所形成的该叠层和该控制器芯片之间。

9.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，还包含：

10.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，还包含：

技术总结本发明提供一种存储器元件，该存储器元件包含一存储器结构、一控制器芯片，以及一处理器芯片。存储器结构包含第一存储器芯片，以及多个第二存储器芯片所形成的一叠层，其中第二存储器芯片的每一者的存储器密度高于第一存储器芯片的存储器密度。控制器芯片电性连接至第一存储器芯片以及第二存储器芯片。处理器芯片电性连接至控制器芯片。技术研发人员：陈士弘,洪俊雄受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15