半导体结构和存储器的制作方法

本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构和存储器。

背景技术：

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)中存储单元的开启和关闭是依靠字线(word line)来控制，而dram字线的控制通过子字线驱动器(sub wordline driver，swd)实现。

2、目前，由于子字线驱动器硬件上的限制，普遍存在子字线的开启速度慢的问题。

3、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种半导体结构和存储器，进而至少在一定程度上克服子字线的开启速度慢的问题。

2、根据本公开的第一方面，提供了一种半导体结构，半导体结构包括以阵列方式布置的多个有源结构，有源结构包括：第一有源区，包括至少一个第一有源部，第一有源部包括沿第一方向凸出的凸出部；第二有源区，包括至少一个第二有源部，第二有源部包括沿第一方向的反方向凸出的凸出部；其中，第一有源部的凸出部与第二有源部的凸出部在第二方向上交错设置，第二方向与第一方向垂直。

3、在一些实施例中，第一有源区包括两个第一有源部，第二有源区包括两个第二有源部；在第二方向上，两个第二有源部的凸出部设置在两个第一有源部的凸出部之间。

4、在一些实施例中，第二有源区还包括第一区域和第二区域，第一区域为两个第二有源部之间的区域，第二区域为第二有源区内除两个第二有源部和第一区域之外的区域；第一区域在第一方向上的宽度大于或等于第二区域在第一方向上的宽度。

5、在一些实施例中，第一有源区包括两个第一有源部，第二有源区包括两个第二有源部；在第二方向上，两个第二有源部中第一个第二有源部的凸出部设置在两个第一有源部的凸出部之间，两个第一有源部中第二个第一有源部的凸出部设置在两个第二有源部的凸出部之间。

6、在一些实施例中，第一有源部在第一方向上的宽度与第二有源部在第一方向上的宽度相同。

7、在一些实施例中，第一有源区与第二有源区在第二方向上的宽度相同，并且在第二方向上第一有源区的上边缘与第二有源区的上边缘的高度相同。

8、在一些实施例中，半导体结构包括五个有源结构，第一个有源结构和第二个有源结构沿第二方向布置为第一有源结构列，第三个有源结构、第四个有源结构和第五个有源结构沿第二方向布置为第二有源结构列，第一有源结构列中的有源结构与第二列结构中的有源结构布置为镜像对称，并且在第一方向上，第一个有源结构对应于第三个有源结构和第四个有源结构，第二个有源结构对应于第四个有源结构和第五个有源结构。

9、在一些实施例中，半导体结构还包括：栅极介质区，基于五个有源结构中的第一有源部和第二有源部形成。

10、在一些实施例中，栅极介质区包括：第一子栅极介质区，基于第一个有源结构的第一有源部和第二有源部以及第一方向上第三个有源结构中对应的第一有源部和第二有源部形成；第二子栅极介质区，基于第一个有源结构的第一有源部和第二有源部以及第一方向上第四个有源结构中对应的第一有源部和第二有源部形成；第三子栅极介质区，基于第二个有源结构的第一有源部和第二有源部以及第一方向上第四个有源结构中对应的第一有源部和第二有源部形成；第四子栅极介质区，基于第二个有源结构的第一有源部和第二有源部以及第一方向上第五个有源结构中对应的第一有源部和第二有源部形成。

11、在一些实施例中，半导体结构还包括：多个接触点，分别形成于有源结构上与第一子栅极介质区、第二子栅极介质区、第三子栅极介质区和第四子栅极介质区对应的两侧。

12、在一些实施例中，第一有源区与第二有源区在第二方向上的宽度相同，并且在第二方向上第一有源区的上边缘低于第二有源区的上边缘。

13、在一些实施例中，半导体结构包括四个有源结构，第一个有源结构和第二个有源结构沿第二方向布置为第一有源结构列，第三个有源结构和第四个有源结构沿第二方向布置为第二有源结构列，在第二方向上第一个有源结构的第二有源区的上边缘低于第三个有源结构的第一有源区的上边缘，第一有源结构列中的有源结构与第二有源结构列中的有源结构布置为镜像对称。

14、在一些实施例中，半导体结构还包括：栅极介质区，基于四个有源结构中的第一有源部和第二有源部形成。

15、在一些实施例中，栅极介质区包括：两个第一子栅极介质区，基于第一个有源结构的第一有源部和第二有源部以及第一方向上第三个有源结构中对应的第一有源部和第二有源部形成；两个第二子栅极介质区，基于第二个有源结构的第一有源部和第二有源部以及第一方向上第四个有源结构中对应的第一有源部和第二有源部形成。

16、根据本公开的第二方面，提供了一种存储器，包括上述任一种半导体结构。

17、在本公开的一些实施例所提供的技术方案中，半导体结构包括以阵列方式布置的多个有源结构，每个有源结构包括第一有源区和第二有源区，第一有源区包括至少一个第一有源部，第一有源部包括沿第一方向凸出的凸出部，第二有源区包括至少一个第二有源部，第二有源部包括沿第一方向的反方向凸出的凸出部，并将第一有源部的凸出部与第二有源部的凸出部配置为在第二方向上交错，第二方向与第一方向垂直。通过在有源结构的版图上配置上述包含凸出部的有源区，由于凸出部的存在，使得据此形成的pmos晶体管的沟道区宽度得到了增加，由此，提高了pmos晶体管的驱动能力，进而可以提高子字线的开启速度。

18、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

技术特征：

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括以阵列方式布置的多个有源结构，所述有源结构包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一有源区包括两个第一有源部，所述第二有源区包括两个第二有源部；

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二有源区还包括第一区域和第二区域，所述第一区域为所述两个第二有源部之间的区域，所述第二区域为所述第二有源区内除所述两个第二有源部和所述第一区域之外的区域；

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一有源区包括两个第一有源部，所述第二有源区包括两个第二有源部；

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一有源部在第一方向上的宽度与所述第二有源部在第一方向上的宽度相同。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一有源区与所述第二有源区在所述第二方向上的宽度相同，并且在所述第二方向上所述第一有源区的上边缘与所述第二有源区的上边缘的高度相同。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括五个所述有源结构，第一个所述有源结构和第二个所述有源结构沿所述第二方向布置为第一有源结构列，第三个所述有源结构、第四个所述有源结构和第五个所述有源结构沿所述第二方向布置为第二有源结构列，所述第一有源结构列中的所述有源结构与所述第二列结构中的所述有源结构布置为镜像对称，并且在所述第一方向上，第一个所述有源结构对应于第三个所述有源结构和第四个所述有源结构，第二个所述有源结构对应于第四个所述有源结构和第五个所述有源结构。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极介质区包括：

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

11.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一有源区与所述第二有源区在所述第二方向上的宽度相同，并且在所述第二方向上所述第一有源区的上边缘低于所述第二有源区的上边缘。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括四个所述有源结构，第一个所述有源结构和第二个所述有源结构沿所述第二方向布置为第一有源结构列，第三个所述有源结构和第四个所述有源结构沿所述第二方向布置为第二有源结构列，在所述第二方向上第一个所述有源结构的第二有源区的上边缘低于第三个所述有源结构的第一有源区的上边缘，所述第一有源结构列中的所述有源结构与所述第二有源结构列中的所述有源结构布置为镜像对称。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极介质区包括：

15.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1至14中任一项所述的半导体结构。

技术总结本公开提供了一种半导体结构和存储器，涉及半导体技术领域。半导体结构包括以阵列方式布置的多个有源结构，有源结构包括：第一有源区，包括至少一个第一有源部，第一有源部包括沿第一方向凸出的凸出部；第二有源区，包括至少一个第二有源部，第二有源部包括沿第一方向的反方向凸出的凸出部；其中，第一有源部的凸出部与第二有源部的凸出部在第二方向上交错设置，第二方向与第一方向垂直。本公开可以提高子字线的开启速度。技术研发人员：郭起玲受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29