磁记录介质、磁带盒及磁记录再生装置的制作方法

本发明涉及一种磁记录介质、磁带盒及磁记录再生装置。

背景技术：

1、作为用于记录并保管各种数据的数据存储用记录介质，广泛使用磁记录介质(例如，参考专利文献1)。

2、以往技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2016-130208号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术课题

2、在磁记录介质中，通常在非磁性支撑体上设置包含强磁性粉末的磁性层。关于强磁性粉末，例如如专利文献1中所记载，近年来ε-氧化铁粉末备受瞩目。

3、期望磁记录介质的行进稳定性优异。这是因为，若磁记录介质的行进稳定性差，则会因偏离磁道(off track)而发生再生输出的下降等。

4、记录在磁记录介质等各种记录介质中的数据根据访问频率(再生频率)被称为热数据、温数据、冷数据。访问频率以热数据、温数据、冷数据的顺序变低，记录并长期保管访问频率低的数据(例如冷数据)也被称作归档(archiv e)。近年来，随着信息量的急剧增加及各种信息的数字化，为了归档而记录并保管在记录介质中的数据量增加，因此针对适合于归档的记录再生系统的关注逐渐高涨。

5、如上所述的长期保管后再生数据时行进稳定性优异的磁记录介质适合作为归档用记录介质。但是，根据本发明人的研究，虽然原因不明确，但发现了在磁性层中包含ε-氧化铁粉末作为强磁性粉末的磁记录介质中如上所述的长期保管后行进稳定性容易下降的倾向。

6、鉴于以上，本发明的一方式的目的在于提供一种具有包含ε-氧化铁粉末作为强磁性粉末的磁性层的磁记录介质，其能够抑制长期保管后行进稳定性下降。

7、用于解决技术课题的手段

8、本发明的一方式涉及一种磁记录介质，其具有非磁性支撑体和包含强磁性粉末的磁性层，其中，

9、上述强磁性粉末为ε-氧化铁粉末，

10、以70atm的压力按压上述磁性层之后，通过使用in-plane法的上述磁性层的x射线衍射分析求出的衍射强度的强度比(int1/int2)(以下，也记载为“按压后强度比(int1/int2)”)为1.0以上且6.5以下。

11、另外，关于单位，1atm＝101325pa(帕斯卡)＝101325n(牛顿)/m2。

12、上述int1为衍射角2θχ在29.0°以上且31.0°以下的范围内的衍射强度的最大值，上述int2为衍射角2θχ在36.3°以上且37.5°以下的范围内的衍射强度的最大值。“int”作为intensity(强度)的缩写而使用。

13、在一方式中，上述强度比(int1/int2)可以为1.5以上且6.0以下。

14、在一方式中，上述强度比(int1/int2)可以为3.0以上且5.5以下。

15、在一方式中，上述ε-氧化铁粉末可以包含钴元素。

16、在一方式中，上述ε-氧化铁粉末还可以包含选自包括镓元素及铝元素的组中的元素。

17、在一方式中，上述ε-氧化铁粉末还可以包含钛元素。

18、在一方式中，上述磁记录介质可以在上述非磁性支撑体与上述磁性层之间还具有包含非磁性粉末的非磁性层。

19、在一方式中，上述磁记录介质可以在上述非磁性支撑体的与具有上述磁性层的表面侧相反的表面侧还具有包含非磁性粉末的背涂层。

20、在一方式中，上述磁记录介质可以为磁带。

21、本发明的一方式涉及一种包含上述磁带的磁带盒。

22、本发明的一方式涉及一种包含上述磁记录介质的磁记录再生装置。

23、发明效果

24、根据本发明的一方式，能够提供一种具有包含ε-氧化铁粉末作为强磁性粉末的磁性层的磁记录介质，其能够抑制长期保管后行进稳定性下降。并且，根据本发明的一方式，能够提供一种包含该磁记录介质的磁带盒及磁记录再生装置。

技术特征：

1.一种磁记录介质，其具有非磁性支撑体和包含强磁性粉末的磁性层，其中，

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，

3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁记录介质，其中，

5.根据权利要求4所述的磁记录介质，其中，

6.根据权利要求4或5所述的磁记录介质，其中，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的磁记录介质，其在所述非磁性支撑体与所述磁性层之间还具有包含非磁性粉末的非磁性层。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的磁记录介质，其在所述非磁性支撑体的与具有所述磁性层的表面侧相反的表面侧还具有包含非磁性粉末的背涂层。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的磁记录介质，其为磁带。

10.一种磁带盒，其包含权利要求9所述的磁带。

11.一种磁记录再生装置，其包含权利要求1至9中任一项所述的磁记录介质。

技术总结一种具有非磁性支撑体和包含强磁性粉末的磁性层的磁记录介质、包含上述磁记录介质的磁带盒及磁记录再生装置。上述强磁性粉末为ε‑氧化铁粉末，以70atm的压力按压上述磁性层之后，通过使用In‑Plane法的上述磁性层的X射线衍射分析求出的衍射强度的强度比即Int1/Int2为1.0以上且6.5以下。技术研发人员：小泽荣贵,藤本贵士受保护的技术使用者：富士胶片株式会社技术研发日：技术公布日：2024/1/15