包括多位单元的存储器件及其操作方法与流程

本发明构思涉及包括多位单元(multi-bit cell)的存储器件及其操作方法。

背景技术：

1、易失性存储器件可以包括动态随机存取存储器(dram)、静态随机存取存储器(sram)等。例如，sram可以包括具有利用六个晶体管或八个晶体管实现的6t或8t结构的单元。然而，在sram的写入操作中，数据翻转(data flip)可能发生在称为半选(half-selected)问题的类似读取操作中。因此，期望在sram中防止半选问题。

技术实现思路

1、本发明构思提供能够防止半选问题的多位单元的结构。

2、根据本发明构思的一方面，一种存储器件可以包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个多位单元，其中，所述多个多位单元中的每一个多位单元包括多个位单元和输入电路，所述多个位单元共同地连接到列选择线，分别连接到多条写入字线，并且分别连接到多条读取字线，所述输入电路被配置为：接收数据输入信号并且响应于所述数据输入信号向所述多个位单元提供与将要写入所述多个位单元中的每一个位单元的位相对应的第一信号，其中，所述多个位单元中的每一个位单元包括锁存电路和读取电路，所述锁存电路被配置为：响应于写入字线被激活而接收所述第一信号，并且响应于所述写入字线被去激活或列选择线被去激活而锁存所述第一信号，所述读取电路被配置为：响应于读取字线被激活而将与存储在所述锁存电路中的位相对应的第二信号输出到位线。

3、根据本发明构思的另一方面，一种存储器件可以包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个多位单元，其中，所述多个多位单元中的每一个多位单元包括输入电路和多个位单元，所述多个位单元连接到所述输入电路的输出端，其中，所述多个位单元中的每一个位单元包括：第一传输门，所述第一传输门连接到所述输入电路的所述输出端，并且被配置为从所述输入电路接收第一数据；反相器锁存电路，所述反相器锁存电路包括彼此连接的第一反相器和第二反相器，并且所述反相器锁存电路被配置为从所述第一传输门接收所述第一数据并且锁存所述第一数据；以及第二传输门和第三传输门，所述第二传输门和所述第三传输门分别连接在所述第一反相器的输入端与所述第二反相器的输出端之间。所述反相器锁存电路被配置为：在所述第二传输门或所述第三传输门接通时，锁存所述第一数据。

4、根据本发明构思的另一方面，一种包括多个多位单元的存储器件的操作方法(每个所述多位单元包括多个位单元，每个所述位单元连接到写入字线和列选择线)可以包括：从输入电路向所述多个位单元中的每一个位单元提供第一数据；响应于所述写入字线被激活，接通连接在所述输入电路的输出端与锁存电路的输入端之间的第一传输门，以及关断连接在所述锁存电路的所述输入端与输出端之间的第二传输门；通过接通所述第一传输门将所述第一数据存储在所述锁存电路中；响应于所述写入字线被去激活而接通所述第二传输门；响应于所述列选择线被激活而关断连接在所述锁存电路的所述输入端与所述输出端之间的第三传输门，以及响应于所述列选择线被去激活而接通所述第三传输门；以及通过接通所述第二传输门或接通所述第三传输门，在所述锁存电路中锁存所述第一数据。

技术特征：

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述输入电路包括：

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述锁存电路包括：

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述锁存电路还包括：

5.根据权利要求3所述的存储器件，其中：

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述读取电路包括：

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述读取电路包括：

8.根据权利要求1所述的存储器件，所述存储器件还包括：

9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，所述写入驱动器包括：

10.根据权利要求9所述的存储器件，其中：

11.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储器件是静态随机存取存储器。

12.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述锁存电路中包括的至少一个晶体管的阈值电压高于所述输入电路和所述读取电路中的每者中包括的晶体管的阈值电压。

13.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个位单元的数目是偶数。

14.一种存储器件，包括：

15.根据权利要求14所述的存储器件，其中，所述输入电路包括：

16.根据权利要求15所述的存储器件，其中，所述第三传输门被配置为响应于列选择线被去激活而接通。

17.根据权利要求16所述的存储器件，其中，响应于所述列选择线被激活：

18.一种包括多个多位单元的存储器件的操作方法，每个所述多位单元包括多个位单元，每个所述位单元连接到写入字线和列选择线，所述操作方法包括：

19.根据权利要求18所述的操作方法，其中，当将要存储在所述锁存电路中的所述第一数据为0时，所述的锁存所述第一数据包括将所述锁存电路的输入端放电到接地电压。

20.根据权利要求18所述的操作方法，其中，当将要存储在所述锁存电路中的所述第一数据为1时，所述的锁存所述第一数据包括将所述锁存电路的输入端充电到电源电压。

技术总结提供了一种包括多位单元的存储器件及其操作方法。所述存储器件包括多个多位单元，其中，所述多个多位单元中的每一个多位单元包括多个位单元和输入电路，所述多个位单元共同地连接到列选择线，分别连接到多条写入字线，并且分别连接到多条读取字线，所述输入电路被配置为：向所述多个位单元提供与将要写入的位相对应的第一信号，其中，所述多个位单元中的每一个位单元包括锁存电路和读取电路，所述锁存电路被配置为：响应于写入字线被激活而接收所述第一信号，并且响应于所述写入字线被去激活或列选择线被去激活而锁存所述第一信号，所述读取电路被配置为：响应于读取字线被激活而将存储在所述锁存电路中的所述第一信号输出到位线。技术研发人员：金斗辉,宋政学,李灿昊受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/1/15