存储器的刷新方法以及存储器与流程

本技术涉及计算机存储领域，涉及但不限于一种存储器的刷新方法以及存储器。

背景技术：

1、当内存制程微缩到40nm以下，会出现一种名为行锤(row hammer)的攻击，黑客可以通过对内存中的某几个行(row)进行频繁地激活和预充电，因为激活和预充电需要将该行的字线(word line)的电压拉高，而频繁地将某行的word line的电压拉高，会导致将该行的相邻行的word line短暂地提升，其相邻行(row)会因为电场的影响而漏电，从而导致存储的电荷发生变化，出现比特翻转(bit flip)，进而影响到整机系统的安全。

2、为了解决上述技术问题，相关技术往往采用以下技术方案：第一，在内存中配置内部计数器，通过内部计数器来计算某一行被激活及预充电的次数，达到某个设定次数后，对目标行进行刷新；第二，通过中央处理器(cpu，central processing unit)记录某一行被激活及预充电的次数，达到某个设定次数后，对目标行进行刷新。上述两个技术方案的问题在于：不管是内存的内部计数器还是cpu端的计数，都不能准确判断row hammer攻击是否已经导致了比特翻转，因为在刷新之前可能已经被黑客攻击成功并且数据丢失，所以再做刷新已经无法挽回。

技术实现思路

1、本技术主要提供一种存储器的刷新方法以及存储器，能够克服因为row hammer而导致存储的电荷发生变化，进而出现比特翻转的问题。

2、本技术实施例的技术方案是这样实现的：

3、本技术实施例提供一种存储器的刷新方法，所述存储器包括至少一个存储单元行，所述存储单元行包括多个存储单元，所述存储单元具有能够表示存储第一数据值的第一状态和能够表示存储第二数据值的第二状态；所述存储单元由所述第一状态变化到所述第二状态具有第一电参数变化阈值；感测单元，设置于所述存储单元行上；所述感测单元包括具有能够表示存储第一数据值的第三状态和能够表示存储第二数据值的第四状态，所述感测单元由第三状态变化到第四状态具有第二电参数变化阈值；其中，所述第二电参数变化阈值小于所述第一电参数变化阈值；所述方法包括：

4、针对每一所述存储单元行，对所述存储单元行中的感测单元的电参数进行检测，在所述感测单元的电参数的变化满足所述第二电参数变化阈值的情况下，确定所述感测单元发生状态变化；

5、在所述感测单元发生状态变化情况下，对所述存储单元行进行刷新。

6、在一些实施例中，所述针对每一所述存储单元行，对所述存储单元行中的感测单元的电参数进行检测，在所述感测单元的电参数的变化满足所述第二电参数变化阈值的情况下，确定所述感测单元发生状态变化，包括：

7、针对每一所述存储单元行，对所述感测单元的电参数进行检测，得到所述感测单元的感测电参数；

8、在所述感测电参数和参考电参数的差值满足所述第二电参数变化阈值的情况下，确定所述感测单元发生状态变化。

9、在一些实施例中，所述方法还包括以下至少之一：

10、为所述感测单元配置表示第一值充电的第一预设电压；所述第一预设电压小于等于所述存储单元对应表示所述第一值充电的第一电压；

11、为所述感测单元配置表示第二值充电的第二预设电压；所述第二预设电压大于等于所述存储单元对应表示所述第二值充电的第二电压。

12、在一些实施例中，所述针对每一所述存储单元行，对所述存储单元行中的感测单元的电参数进行检测，在所述感测单元的电参数的变化满足所述第二电参数变化阈值的情况下，确定所述感测单元发生状态变化，包括：

13、针对每一所述存储单元行，分别对所述存储单元行中的至少两个感测单元的电参数进行检测，在所述至少两个感测单元中的至少之一感测单元的电参数的变化满足所述第二电参数变化阈值的情况下，确定至少之一所述感测单元发生状态变化；所述至少两个感测单元均匀分布于所述存储单元行。

14、在一些实施例中，所述针对每一所述存储单元行，对所述存储单元行中的感测单元的电参数进行检测，在所述感测单元的电参数的变化满足所述第二电参数变化阈值的情况下，确定所述感测单元发生状态变化，包括：

15、对每一所述存储单元行中的第一感测单元的电参数进行检测，得到表示所述第一感测单元是否由第三状态到第四状态的第一电参数变化值；

16、对每一所述存储单元行中的第二感测单元的电参数进行检测，得到表示所述第二感测单元是否由第四状态到第三状态的第二电参数变化值；

17、在所述第一电参数变化值与第二电参数变化值中至少之一满足所述第二电参数变化阈值的情况下，确定所述第一感测单元和所述第二感测单元至少之一发生状态变化。

18、本技术实施例提供一种存储器，包括：

19、至少一个存储单元行，所述存储单元行包括多个存储单元，所述存储单元具有能够表示存储第一数据值的第一状态和能够表示存储第二数据值的第二状态；所述存储单元由第一状态变化到第二状态具有第一电参数变化阈值；

20、感测单元，设置于所述存储单元行上；所述感测单元包括具有能够表示存储第一数据值的第三状态和能够表示存储第二数据值的第四状态，所述感测单元由第三状态变化到第四状态具有第二电参数变化阈值；其中，所述第二电参数变化阈值小于所述第一电参数变化阈值；

21、检测单元，对应所述存储单元行上的感测单元设置，用于对所述感测单元的电参数的变化进行检测，在所述感测单元的电参数的变化满足所述第二电参数变化阈值的情况下，确定所述感测单元发生状态变化；

22、刷新单元，在所述感测单元发生状态变化情况下，对所述存储单元行进行刷新。

23、在一些实施例中，所述检测单元包括比较器，所述比较器用于将所述感测单元的感测电参数和参考电参数比较，其中，所述感测电参数和参考电参数的差值满足所述第二电参数变化阈值，确定所述感测单元发生状态变化。

24、在一些实施例中，配置所述感测单元对应表示第一值充电的第一预设电压小于等于所述存储单元对应表示所述第一值充电的第一电压，和/或配置所述感测单元对应表示第二值充电的第二预设电压大于等于所述存储单元对应表示所述第二值充电的第二电压。

25、在一些实施例中，每一所述存储单元行设置有至少两个所述感测单元，每一所述存储单元行中的感测单元均匀分布于所述存储单元行。

26、在一些实施例中，每一所述存储单元行设置有第一感测单元和第二感测单元，所述检测单元用于检测所述第一感测单元由第三状态到第四状态的变化，所述检测单元用于检测所述第二感测单元由第四状态到第三状态的变化。

27、本技术实施例提供的存储器包括至少一个存储单元行，每一存储单元行包括多个存储单元以及感测单元；该存储单元具有能够表示存储第一数据值的第一状态和能够表示存储第二数据值的第二状态；存储单元由第一状态变化到第二状态具有第一电参数变化阈值；该感测单元，包括具有能够表示存储第一数据值的第三状态和能够表示存储第二数据值的第四状态，感测单元由第三状态变化到第四状态具有第二电参数变化阈值。因为感测单元的第二电参数变化阈值小于存储单元的第一电参数变化阈值，所以感测单元从第三状态到第四状态或者从第四状态到第三状态的状态变化敏感性，要高于存储单元从第一状态到第二状态或者从第二状态到第一状态的状态变化敏感性。这样，在感测单元的电参数的变化满足第二电参数变化阈值的情况下，说明感测单元发生状态变化，此时可以在存储单元发生状态变化之前，及时地对存储单元行进行刷新。这样，可以通过检测状态变化敏感性较高的感测单元，在感测单元发生状态变化的情况下，及时地在存储单元发生状态变化之前，对存储单元行进行刷新，从而解决了因为row hammer而导致存储的电荷发生变化，出现比特翻转的问题，进而提高了系统的安全性。