具有等离子体抛光的预晶种层或基板的磁记录介质的制作方法

本公开的方面涉及磁记录介质，并且更具体地涉及具有基板、预晶种层和软磁垫层(sul)的磁记录介质。

背景技术：

1、增加硬盘驱动器(hdd)的记录密度正变得越来越具有挑战性。本文中，提出了用于改善hdd的磁记录介质内的介质信噪比(snr)、线性记录密度和面记录密度或面密度容量(adc)的技术，尤其是用于包括在基板或预晶种层上方形成的软磁垫层(sul)的磁记录介质结构中。

技术实现思路

1、本公开的一个方面提供了一种磁记录介质，该磁记录介质包括：基底结构，该基底结构包括包含惰性气体等离子体抛光残余物的表面；软磁垫层sul，该sul位于基底结构的表面上；和至少一个磁记录层，该至少一个磁记录层位于该sul上。

2、本公开的另一方面提供了一种用于制作磁记录介质的方法。该方法包括：提供基底结构；使用惰性气体对该基底结构的表面进行等离子体抛光；在该基底结构的该离子体抛光的表面上提供sul；以及在该sul上提供至少一个磁记录层。

3、本公开的又一方面提供了一种磁记录介质，该磁记录介质包括：基板；预晶种层，该预晶种层位于基板上，其中预晶种层被等离子体抛光；sul，该sul位于该离子体抛光的预晶种层上；和至少一个磁记录层，该至少一个磁记录层位于该sul上。

技术特征：

1.一种磁记录介质，所述磁记录介质包括：

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述基底结构包括基板，并且其中所述基板包括包含所述惰性气体等离子体抛光残余物的所述表面。

3.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述基底结构包括基板和位于所述基板上的预晶种层，并且其中所述预晶种层包括包含所述惰性气体等离子体抛光残余物的所述表面。

4.根据权利要求3所述的磁记录介质，其中所述基板由非导电材料制成。

5.根据权利要求3所述的磁记录介质，其中所述预晶种层包含金属。

6.根据权利要求1所述的磁记录介质，所述磁记录介质还包括位于所述sul上的晶种层、位于所述晶种层上的夹层以及位于所述夹层和所述至少一层磁记录层之间的垫层。

7.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述惰性气体等离子体抛光残余物包括选自由氪、氩、氙和氖以及它们的组合组成的组的残余物。

8.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述sul包含选自由以下组成的组的材料：钴、铁、钼、钽、铌、硼、铬和它们的组合。

9.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述基底结构的所述表面的算术平均粗糙度小于3.0埃

10.根据权利要求1所述的磁记录介质，

11.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述sul被配置为向在写入操作期间施加到所述磁记录介质的磁场提供返回路径。

12.一种磁记录装置，所述磁记录装置包括：

13.一种用于制作磁记录介质的方法，所述方法包括：

14.根据权利要求13所述的方法：

15.根据权利要求13所述的方法，

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述基板由非导电材料制成。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述预晶种层包含金属。

18.根据权利要求13所述的方法，其中用选自由氪、氩、氙和氖以及它们的组合组成的组的惰性气体对所述表面进行等离子体抛光。

19.根据权利要求13所述的方法，其中对所述基底结构的所述表面进行等离子体抛光以实现小于3.0埃的算术平均粗糙度阈值的粗糙度。

20.根据权利要求13所述的方法，其中所述sul包含选自由以下组成的组的材料：钴、铁、钼、钽、铌、硼、铬和它们的组合。

21.根据权利要求13所述的方法，其中所述sul被配置为向在写入操作期间施加到所述磁记录介质的磁场提供返回路径。

22.一种磁记录介质，所述磁记录介质包括：

23.根据权利要求22所述的磁记录介质，其中所述等离子体抛光的预晶种层包含惰性气体等离子体抛光残余物，所述惰性气体等离子体抛光残余物包括选自由氪、氩、氙和氖以及它们的组合组成的组的残余物。

24.根据权利要求22所述的磁记录介质，其中所述预晶种层的表面的算术平均粗糙度小于3.0埃

25.一种磁记录装置，所述磁记录装置包括：

技术总结本发明提供一种磁记录介质，该磁记录介质包括在等离子体抛光的基板或预晶种层上方形成的软磁垫层(SUL)。在一些示例中，使用诸如氪的惰性气体对该基板或预晶种层进行等离子体抛光，使得其上沉积该SUL的表面的粗糙度降低。粗糙度降低可以导致随后沉积的介质膜内的改善的结晶织构，并因此导致该介质的增加的记录性能。特别地，可以改善介质信噪比(SNR)、线性记录密度和面记录密度或面密度容量(ADC)。在一个方面，碳沉积/蚀刻设备可以经修改以用氪或其他惰性气体抛光该基板或预晶种层，而非用于沉积碳外涂层。技术研发人员：K·唐受保护的技术使用者：西部数据技术公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15