接收电路以及存储器的制作方法

本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种接收电路以及存储器。

背景技术：

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

2、dram可以包括双倍速率动态随机存储器(double data rate，ddr)、gddr(graphics double data rate)动态随机存储器、低功耗双倍速率动态随机存储器(lowpower double data rate，lpddr)。随着dram应用的领域越来越多，如dram越来越多的应用于移动领域，用户对于dram功耗指标的要求越来越高。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种接收电路以及存储器，至少有利于降低接收电路的功耗和降低接收电路的复杂度。

2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种接收电路，包括：输入缓冲器，被配置为，接收第一输入信号和第二输入信号并比较所述第一输入信号与所述第二输入信号，输出第一输出信号和第二输出信号，其中，在差分模式下所述第一输入信号和所述第二输入信号分别为第一信号和第二信号，在单端模式下所述第一输入信号为所述第一信号与所述第二信号中的一者，所述第二输入信号为参考电压信号，所述第一信号和所述第二信号互补；转换模块，被配置为，接收所述第一输出信号以及所述第二输出信号并对所述第一输出信号与所述第二输出信号的电压差进行放大，以输出第一内部信号以及第二内部信号。

3、在一些实施例中，所述接收电路还包括：选择模块，接收原始第一信号、原始第二信号以及原始参考电压信号，被配置为，响应于模式选择信号，向所述输入缓冲器提供所述第一输入信号以及所述第二输入信号，其中，所述模式选择信号用于表征所述单端模式或者所述差分模式，所述第一信号与所述原始第一信号对应，所述第二信号与所述原始第二信号对应，所述原始参考电压信号与所述参考电压信号对应。

4、在一些实施例中，所述选择模块包括：第一选择单元以及第二选择单元，所述第一选择单元与所述第二选择单元中的一者接收所述原始第一信号以及所述原始参考电压信号，另一者接收所述原始第二信号以及所述原始参考电压信号；在所述单端模式下，所述第一选择单元与所述第二选择单元中的一者响应于所述模式选择信号输出所述第一信号或者所述第二信号，另一者响应于所述模式选择信号输出所述参考电压信号；在所述差分模式下，所述第一选择单元与所述第二选择单元中的一者响应于所述模式选择信号输出所述第一信号，另一者响应于所述模式选择信号输出所述第二信号。

5、在一些实施例中，所述输入缓冲器包括：电流控制模块，被配置为，响应于偏置电压信号向第一节点提供电流；输入模块以及与所述输入模块连接的负载模块，所述输入模块与所述第一节点连接，所述输入模块经由第二节点和第三节点与所述负载模块连接；其中，所述输入模块接收所述第一输入信号以及所述第二输入信号，所述第二节点输出所述第一输出信号，所述第三节点输出所述第二输出信号。

6、在一些实施例中，所述电流控制模被配置为，响应于所述偏置电压信号以调整提供给所述第一节点的电流，以使所述单端模式下提供给所述第一节点的电流小于所述差分模式下提供给所述第一节点的电流。

7、在一些实施例中，所述电流控制模块包括：第一控制单元，与所述第一节点连接，被配置为，响应于所述偏置电压信号导通以向所述第一节点提供第一电流；第二控制单元，与所述第一节点连接，被配置为，响应于控制信号以及所述偏置电压信号导通以向所述第一节点提供第二电流；其中，在所述单端模式下所述第一控制单元导通且所述第二控制单元不导通，在所述差分模式下所述第一控制单元以及所述第二控制单元均导通。

8、在一些实施例中，所述第一控制单元包括：第一pmos管，所述第一pmos管的栅极接收使能信号，所述第一pmos管的源极连接电源电压；第二pmos管以及第三pmos管，所述第二pmos管的源极以及所述第三pmos管的源极均与所述第一pmos管的漏极连接，所述第二pmos管的漏极以及所述第三pmos管的漏极均连接所述第一节点，所述第二pmos管的栅极以及所述第三pmos管的栅极均接收所述偏置电压信号。

9、在一些实施例中，所述第二控制单元包括：第四pmos管，所述第四pmos管的栅极接收所述控制信号，所述第四pmos管的源极连接电源电压；第五pmos管以及第六pmos管，所述第五pmos管的源极以及所述第六pmos管的源极均与所述第四pmos管的漏极连接，所述第五pmos管的漏极以及所述第六pmos管的漏极均连接所述第一节点，所述第五pmos管的栅极与所述第六pmos管的栅极均接收所述偏置电压信号。

10、在一些实施例中，所述输入模块包括：第七pmos管，所述第七pmos管的栅极接收所述第一输入信号，所述第七pmos管的源极连接所述第一节点，所述第七pmos管的漏极连接所述第二节点；第八pmos管，所述第八pmos管的栅极接收所述第二输入信号，所述第八pmos管的源极连接所述第一节点，所述第八pmos管的漏极连接所述第三节点。

11、在一些实施例中，所述负载模块包括：第一负载单元，连接在所述第二节点与地端之间，被配置为，在所述单端模式下所述第一负载单元的等效电阻值大于在所述差分模式下所述第一负载单元的等效电阻值；第二负载单元，连接在所述第三节点与地端之间，被配置为，在所述单端模式下所述第二负载单元的等效电阻值大于在所述差分模式下所述第二负载单元的等效电阻值。

12、在一些实施例中，所述第一负载单元包括：第一电阻，连接在所述第二节点与第四节点之间；第一可调负载，连接在所述第四节点与所述地端之间，被配置为，响应于调节信号调整所述第一可调负载的等效电阻值，且所述单端模式下所述第一可调负载的等效电阻值大于所述差分模式下所述第一可调负载的等效电阻值；所述第二负载单元包括：第二电阻，连接在所述第三节点与第五节点之间；第二可调负载，连接在所述第五节点与所述地端之间，被配置为，响应于所述调节信号调整所述第二可调负载的等效电阻值，且在所述单端模式下所述第二可调负载的等效电阻值大于所述差分模式下所述第二可调负载的等效电阻值。

13、在一些实施例中，所述第一可调负载包括：第三电阻，连接在所述第四节点与地端之间；第一mos管，所述第一mos管的第一端连接所述第四节点，所述第一mos管的第二端连接所述地端，所述第一mos管的控制端接收所述调节信号，其中，在所述单端模式下，所述第一mos管响应于所述调节信号截止，在所述差分模式下，所述第一mos管响应于所述调节信号导通。

14、在一些实施例中，所述第二可调负载包括：第四电阻，连接在所述第五节点与所述地端之间；第二mos管，所述第二mos管的第一端连接所述第五节点，所述第二mos管的第二端连接所述地端，所述第二mos管的控制端接收所述调节信号，其中，在所述单端模式下，所述第二mos管响应于所述调节信号截止，在所述差分模式下，所述第二mos管响应于所述调节信号导通。

15、在一些实施例中，所述转换模块包括：放大单元，被配置为，对所述第一输出信号与所述第二输出信号的电压差进行放大；转换单元，被配置为，对经所述放大单元放大后的所述第一输出信号以及所述第二输出信号进行电平逻辑转换，并输出所述第一内部信号以及所述第二内部信号。

16、在一些实施例中，所述放大单元还被配置为，响应于第一偏置信号以调整所述放大单元的第一工作电流，以使所述单端模式下的所述第一工作电流小于所述差分模式下的第一工作电流。

17、在一些实施例中，所述转换单元还被配置为，响应于第二偏置信号以调整所述转换单元的第二工作电流，以使所述单端模式下的所述第二工作电流小于所述差分模式下的第二工作电流。

18、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种存储器，包括如前述任一项所述的接收电路。

19、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：

20、输入缓冲器可以利用第一信号和第二信号两者以运用在差分模式下，也可以利用参考电压信号以及第一信号和第二信号中的一者以运用在单端模式下，即同一输入缓冲器既可以运用在差分模式中，也可以运用在单端模式中，有利于降低接收电路的复杂度，以及降低接收电路的布局面积。此外，在单端模式下，输入缓冲器仅接收第一信号和第二信号中的一者，另外接收的信号为参考电压信号，可以降低接收电路中的工作电流，从而有利于降低接收电路的功耗。