存储单元、电子装置及存储单元的操作方法

本公开的实施例涉及一种存储单元、电子装置及存储单元的操作方法。

背景技术：

1、存储器技术将nvm(nonvolatile memory，非易失性存储器)与sram(staticrandom access memory，静态随机存取存储器)技术结合得到nvsram(nonvolatile staticrandom access memory,非易失性静态随机存取存储器)以进行数据操作，其中sram需要在通电的情形下进行数据操作，如果sram在带电的情况下进行工作，此时可能会由于sram的双稳态结构使其在带电的情况下存储的数据难以被改变，导致数据操作成功率低。

技术实现思路

1、本公开的一些实施例提供一种存储单元，所述存储单元包括：电源开关子单元、易失性存储子单元以及非易失性存储子单元；所述易失性存储子单元被配置为使用从第一电源电压端接收的第一电源电压和从第二电源电压端接收的第二电源电压进行操作，且所述易失性存储子单元包括存储节点；所述电源开关子单元被配置为接收电源控制信号且根据所述电源控制信号控制是否允许所述易失性存储子单元使用所述第一电源电压进行操作；所述非易失性存储子单元电连接到所述易失性存储子单元的存储节点，且被配置为对所述易失性存储子单元进行数据备份或数据恢复。

2、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元还包括：至少一条位线，与所述易失性存储子单元电连接，以用于向所述易失性存储子单元传输将对所述易失性存储子单元进行操作的第一数据和/或第二数据；第一控制线，与所述非易失性存储子单元电连接，以用于接收第一控制信号来控制所述非易失性存储子单元是否执行所述数据备份或数据恢复；字线，与所述易失性存储子单元电连接，以用于传输字线信号来控制是否对所述易失性存储子单元进行操作。

3、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元中，所述非易失性存储子单元进一步被配置为读取所述易失性存储子单元中存储的第一数据和/或第二数据以进行所述数据备份，或将所述非易失性存储子单元自身存储的第三数据和/或第四数据写入所述易失性存储子单元以进行所述数据恢复。

4、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元中，所述易失性存储子单元为静态随机存取存储子单元。

5、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元中，所述静态随机存取存储子单元包括第一存取开关晶体管以及第二存取开关晶体管；所述字线与所述第一存取开关晶体管以及所述第二存取开关晶体管的栅极电连接；所述静态随机存取存储子单元的存储节点包括第一存储节点和第二存储节点，其中，所述第一存储节点配置为存储第一数据，所述第二存储节点配置为存储第二数据，并且，所述第一数据和所述第二数据配置为互反数据；所述至少一条位线包括第一位线和/或第二位线；所述第一存取开关晶体管连接在所述第一位线和所述第一存储节点之间；所述第二存取开关晶体管连接在所述第二位线和所述第二存储节点之间。

6、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元中，所述静态随机存取存储子单元包括还包括第一反相器和第二反相器；所述第一存储节点将所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端电连接，所述第二存储节点将所述第一反相器的输入端和所述第二反相器的输出端电连接；所述第一反相器和所述第二反相器分别使用所述第一电源电压和所述第二电源电压进行操作。

7、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元中，所述电源开关子单元连接在所述静态随机存取存储子单元与所述第一电源电压端之间，以控制是否将所述第一电源电压提供至所述静态随机存取存储子单元。

8、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元中，所述电源开关子单元包括第一开关晶体管和第二开关晶体管，所述第一开关晶体管与所述第一反相器电连接，所述第二开关晶体管与所述第二反相器电连接，所述第一开关晶体管的栅极和所述第二开关晶体管的栅极接收所述电源控制信号；或者，所述电源开关子单元包括第一开关晶体管，所述第一开关晶体管同时与所述第一反相器和所述第二反相器电连接，所述第一开关晶体管的栅极接收所述电源控制信号。

9、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元中，所述易失性存储子单元与所述第一电源电压端电连接，所述电源开关子单元设置在所述静态随机存取存储子单元内且与所述存储节点电连接，以控制是否将所述第一电源电压提供至所述存储节点。

10、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元中，所述电源开关子单元包括第一开关晶体管和第二开关晶体管；所述第一开关晶体管设置在所述第一反相器内且与所述第一存储节点电连接，所述第二开关晶体管设置在所述第二反相器内且与所述第二存储节点电连接，所述第一开关晶体管的栅极和所述第二开关晶体管的栅极接收所述电源控制信号。

11、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元中，所述第一开关晶体管的栅极和所述第二开关晶体管的栅极被配置为通过所述字线接收所述电源控制信号。

12、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元中，所述非易失性存储子单元包括第一非易失性存储器件和第三开关晶体管，其中，所述第一非易失性存储器件配置为存储第三数据；所述第一非易失性存储器件经所述第三开关晶体管与所述第一存储节点电连接；所述第三开关晶体管的栅极与所述第一控制线电连接以接收所述第一控制信号。

13、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元中，所述非易失性存储子单元还包括第二非易失性存储器件和第四开关晶体管，其中，所述第一非易失性存储器件配置为存储第四数据；所述第二非易失性存储器件经所述第四开关晶体管与所述第二存储节点电连接，所述第四开关晶体管的栅极与所述第一控制线电连接以接收所述第一控制信号；其中，所述第三数据和第四数据配置为差分信号。

14、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元中，所述第一非易失性存储器件和第二非易失性存储器件为阻变存储器件或相变存储器件或磁阻存储器件。

15、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元还包括：

16、第一数据线，与所述第一非易失性存储器件电连接，以向所述非易失性存储子单元传输将对所述非易失性存储子单元进行操作的第三数据信号；

17、第二数据线，与所述第二非易失性存储器件电连接，以向所述非易失性存储子单元传输将对所述非易失性存储子单元进行操作的第四数据信号。

18、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元中，所述第一数据线与所述第一位线电连接；所述第二数据线与所述第二位线电连接；所述第一位线进一步用于向所述非易失性存储子单元传输将对所述非易失性存储子单元进行操作的所述第三数据信号；所述第二位线进一步用于向所述非易失性存储子单元传输将对所述非易失性存储子单元进行操作的所述第四数据信号。

19、例如，在本公开一些实施例提供的一种存储单元还包括：

20、电源控制线，与所述电源开关子单元电连接，以用于传输所述电源控制信号。

21、本公开一些实施例提供了一种电子装置，包括上述任一所述的存储单元。

22、本公开一些实施例提供了一种存储单元的操作方法，用于上述任一所述的存储单元，包括：通过第一控制信号断开所述易失性存储子单元和所述非易失性存储子单元之间的信号连接，使用所述电源控制信号以开启所述电源开关子单元以使所述易失性存储子单元使用所述第一电源电压进行操作，由所述易失性存储子单元进行数据读写操作；或者通过第一控制信号建立所述易失性存储子单元和所述非易失性存储子单元之间的信号连接，根据所述电源控制信号控制所述电源开关子单元的开启或关闭以确定所述易失性存储子单元能否使用所述第一电源电压进行操作，并且由所述非易失性存储子单元对所述易失性存储子单元进行所述数据备份或数据恢复操作。