检查行线的缺陷的数据存储装置及其操作方法与流程

在本文中描述的本公开的实施例涉及一种数据存储装置，并且更具体地，涉及一种能够检查在行线发生的缺陷的数据存储装置。

背景技术：

1、半导体存储器指通过使用诸如硅(si)、锗(ge)、砷化镓(gaas)或磷化铟(inp)的半导体实现的存储器装置。半导体存储器装置被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置在没有电力的情况下丢失其存储的数据，而非易失性存储器装置即使在没有电力的情况下也保留其存储的数据。

2、半导体存储器装置的特性可能由于诸如其的操作环境、其使用的次数及其总使用时间的各种因素而改变，从而导致半导体存储器装置的可靠性下降。因此，正在开发提高半导体存储器装置的可靠性的方法。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种能够检查是否存在发生电阻缺陷的行线的数据存储装置。

2、本公开的实施例提供了一种数据存储装置，该数据存储装置包括：存储器装置，其包括多个存储器块；以及存储器控制器，其被配置为控制存储器装置，其中，多个存储器块与各行线连接，其中，各行线包括字线，其中，存储器控制器还被配置为：检查在除字线之外的各行线是否发生电阻缺陷；以及将与发生电阻缺陷的行线相对应的存储器块的编程操作时间设置为长于其它存储器块的编程操作时间。

3、本公开的实施例提供了一种数据存储装置，该数据存储装置包括：存储器装置，其包括多个存储器块；以及存储器控制器，其被配置为控制存储器装置，其中，多个存储器块与各行线连接，其中，各行线包括字线，其中，存储器控制器还被配置为：检查在除字线之外的各行线是否发生电阻缺陷；以及将与发生电阻缺陷的行线相对应的存储器块作为坏块来管理。

4、本公开的实施例提供了一种数据存储装置，该数据存储装置包括：存储器装置，其包括多个存储器块；以及存储器控制器，其中，多个存储器块与包括字线的各行线连接，其中，存储器控制器通过将从多个存储器块中选择的存储器块的编程操作时间设置为短于其它存储器块的编程操作时间，来检查在除字线之外的各行线是否发生电阻缺陷。

技术特征：

1.一种数据存储装置，包括：

2.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中，与发生所述电阻缺陷的行线相对应的所述存储器块的恢复时间裕量长于所述其它存储器块的恢复时间裕量。

3.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中，所述存储器控制器执行电阻缺陷预检查操作以检查在除所述字线之外的各行线是否发生所述电阻缺陷，并且

4.根据权利要求3所述的数据存储装置，其中，所述存储器控制器执行电阻缺陷检查操作以进一步检查在除所述字线之外的各行线是否发生所述电阻缺陷，并且

5.根据权利要求4所述的数据存储装置，其中，所述存储器控制器将由所述电阻缺陷预检查操作确定为具有高于或等于所述给定水平的发生所述电阻缺陷的概率的所述行线的所述编程操作的所述恢复时间裕量设置为短于所述其它存储器块的恢复时间裕量。

6.根据权利要求1所述的数据存储装置，还包括对与发生所述电阻缺陷的所述行线相对应的所述存储器块执行编程操作。

7.根据权利要求6所述的数据存储装置，其中，所述存储器控制器基于由于所述编程操作而导致的错误位的数量，将与发生所述电阻缺陷的所述行线相对应的所述存储器块作为坏块来管理。

8.根据权利要求6所述的数据存储装置，其中，所述存储器控制器基于由于所述编程操作而导致的错误位的数量，将与发生所述电阻缺陷的所述行线相对应的串作为坏串来管理。

9.一种数据存储装置，包括：

10.根据权利要求9所述的数据存储装置，其中，所述存储器控制器包括：

11.根据权利要求10所述的数据存储装置，其中，所述电阻缺陷管理器还通过调整被确定为具有高于或等于给定水平的发生所述电阻缺陷的概率的行线的编程操作的恢复时间裕量，来检查在除所述字线之外的各行线发生所述电阻缺陷的概率。

12.根据权利要求11所述的数据存储装置，其中，所述电阻缺陷管理器还通过缩短所述恢复时间裕量来检查发生所述电阻缺陷的概率。

13.根据权利要求9所述的数据存储装置，其中，所述存储器控制器包括坏块表，并且

14.根据权利要求9所述的数据存储装置，其中，所述存储器控制器包括坏块表，并且

15.一种数据存储装置，包括：

16.根据权利要求15所述的数据存储装置，其中，所述存储器控制器将选择的所述存储器块的恢复时间裕量设置为短于所述其它存储器块的恢复时间裕量。

17.根据权利要求15所述的数据存储装置，其中，在选择的所述存储器块的所述编程操作时间被设置为短于所述其它存储器块的所述编程操作时间之前，所述存储器控制器通过将从选择的所述存储器块检测到的错误位的数量与从所述其它存储器块检测到的错误位的数量进行比较，来预检查在与选择的所述存储器块相对应的行线是否发生所述电阻缺陷。

18.根据权利要求15所述的数据存储装置，其中，在选择的所述存储器块的所述编程操作时间被设置为短于所述其它存储器块的所述编程操作时间之前，所述存储器控制器基于属于选择的所述存储器块的未选择的串中包括的存储器单元的阈值电压增量，来预检查在与选择的所述存储器块相对应的行线是否发生所述电阻缺陷。

19.根据权利要求15所述的数据存储装置，其中，在选择的所述存储器块的所述编程操作时间被设置为短于所述其它存储器块的所述编程操作时间之前，所述存储器控制器基于与选择的所述存储器块相对应的恢复代码算法的纠正级别，来预检查在与选择的所述存储器块相对应的行线是否发生所述电阻缺陷。

20.根据权利要求15所述的数据存储装置，其中，在选择的所述存储器块的所述编程操作时间被设置为短于所述其它存储器块的所述编程操作时间之前，所述存储器控制器基于与选择的所述存储器块相对应的行线的电压电平分布，来预检查在与选择的所述存储器块相对应的行线是否发生所述电阻缺陷。

技术总结一种数据存储装置包括：存储器装置，其包括多个存储器块；以及存储器控制器，其被配置为控制存储器装置，其中，多个存储器块与各行线连接，其中，各行线包括字线，其中，存储器控制器还被配置为：检查在除字线之外的各行线是否发生电阻缺陷；并且将与发生电阻缺陷的行线相对应的存储器块的编程操作时间设置为长于其它存储器块的编程操作时间。技术研发人员：李庚德,安浩圣,千允洙受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/1/15