锁存器位单元的制作方法

背景技术：

1、本申请涉及sram和sram位单元。sram传统上使用6t或8t位单元。因为sram通常包括大量位单元，所以确保sram位单元面积利用的效率对于减少sram在所利用的硅面积方面的成本而言是重要的。

2、期望改进sram单元的密度以降低面积成本。

技术实现思路

1、因此，在一个实施方案中，sram的位单元包括写入部分和读取部分。位单元的写入部分包括耦合到输入节点的传输门，并且传输门在写入字线信号被断言时将输入节点上的数据供应到位单元的第一节点。反相器耦合到该第一节点并且供应反相数据。保持器电路耦合到反相器并且在写入字线信号被解除断言时维持第一节点上的数据。位单元的读取部分接收读取字线信号并且响应于读取字线信号的断言而在位单元的读取部分的输出节点上供应输出数据，该输出数据对应于第一节点上的数据。

2、在另一个实施方案中，一种方法包括响应于写入字线信号被断言而在sram的位单元上执行写入操作。写入操作包括在传输门电路处接收要写入位单元的写入部分中的数据。传输门响应于写入字线信号被断言而将数据供应到锁存器位单元中的第一节点。在反相器中对第一节点上的数据进行反相，该反相器提供反相数据。反相数据被供应到保持器电路。当写入字线信号被解除断言时，使用保持器电路来维持第一节点上的数据。该方法还包括响应于读取字线信号被断言而在位单元上执行读取操作。读取操作包括在位单元的读取部分处接收读取字线信号，并且响应于读取字线信号的断言而将读取数据供应到读取部分的输出节点，该读取数据对应于在第一节点上维持的数据。

3、在另一个实施方案中，静态随机存取存储器(sram)包括具有写入部分和读取部分的第一单元。第一位单元的写入部分包括耦合到输入节点的传输门，该传输门在写入字线(wwl)信号和有效低写入字线(wwlx)信号被断言时作出响应以将输入节点上的数据供应到第一锁存器位单元的第一节点。反相器耦合到第一节点以供应反相数据。保持器电路耦合到反相数据并且被配置为在wwl信号和wwlx信号被解除断言时维持第一节点上的数据，并且保持器电路响应于wwl信号和wwlx信号被断言而被禁用。第一位单元的读取部分经耦合以接收反相数据并且经耦合以接收读取字线(rwl)信号和有效低读取字线(rwlx)信号，并且响应于rwl信号和rwlx信号的断言而在读取部分的输出节点上供应输出数据。第一位单元的读取部分响应于rwl信号rwlx信号被解除断言而致使输出节点为高阻抗。

技术特征：

1.一种静态随机存取存储器(sram)的锁存器位单元，所述锁存器位单元包括：

2.根据权利要求1所述的锁存器位单元，其中所述锁存器位单元的所述读取部分由具有第一阈值电压的第一晶体管形成，并且所述锁存器位单元的所述写入部分由具有第二阈值电压的第二晶体管形成，所述第二阈值电压高于所述第一阈值电压。

3.根据权利要求2所述的锁存器位单元，所述锁存器位单元还包括虚拟晶体管，所述虚拟晶体管设置在所述锁存器位单元的所述读取部分与所述锁存器位单元的所述写入部分之间，以将具有所述第一阈值电压的所述第一晶体管与具有所述第二阈值电压的所述第二晶体管隔离。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的锁存器位单元，其中所述传输门还包括：

5.根据权利要求1至3中任一项所述的锁存器位单元，其中所述锁存器位单元的所述读取部分还包括：

6.根据权利要求1至3中任一项所述的锁存器位单元，其中所述保持器电路还包括：

7.根据权利要求6所述的锁存器位单元，其中所述第三保持器晶体管响应于所述有效低写入字线信号被解除断言而接通，并且所述第四保持器晶体管响应于所述写入字线信号被解除断言而接通。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的锁存器位单元，其中所述锁存器位单元的所述读取部分还包括：

9.根据权利要求8所述的锁存器位单元，

10.根据权利要求9所述的锁存器位单元，

11.一种方法，所述方法包括：

12.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：

13.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：

14.根据权利要求11至13中任一项所述的方法，其中使用所述保持器电路来维持所述第一节点上的所述数据还包括：

15.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

16.根据权利要求14所述的方法，其中执行所述读取操作还包括：

17.一种静态随机存取存储器(sram)，所述sram包括：

18.根据权利要求17所述的sram，所述sram还包括：

19.根据权利要求18所述的sram，所述sram还包括：

技术总结使用标准单元设计规则实现的SRAM的位单元包括写入部分和读取部分。该写入部分包括耦合到该位单元的输入节点的传输门，并且在写入字线信号被断言时将该输入节点上的数据供应到该位单元的第一节点。反相器耦合到该第一节点并且供应反相数据。耦合到该反相器的保持器电路在该写入字线信号被解除断言时维持该第一节点上的该数据。该位单元的该读取部分接收读取字线信号和该反相数据，并且响应于该读取字线信号的断言而将对应于该第一节点上的该数据的输出数据供应到该位单元的该读取部分的输出节点。技术研发人员：拉塞尔·J·施莱伯,约翰·J·吴受保护的技术使用者：超威半导体公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15