忆阻器件的测试方法、系统、装置及存储介质与流程

本申请涉及器件测试领域，尤其涉及一种忆阻器件的测试方法、系统、装置及存储介质。

背景技术：

1、忆阻器件具有尺寸小，读写速度快，功耗低，非易失性存储，集成度极高，与cmos工艺兼容等优点，是第四种基本无源器件。目前对于忆阻器件特性的研究仍在发展阶段。

技术实现思路

1、本申请提供一种忆阻器件的测试方法、系统、装置及存储介质，以便研究忆阻器件的电容性能。

2、本申请提供一种忆阻器件的测试方法，包括：

3、根据所述忆阻器件的开关电压确定直流电压范围；

4、确定所述忆阻器件的电路模型；

5、在所述直流电压范围内，确定所述忆阻器件的测试频率区间内的多个频率点；及

6、在所述直流电压范围内，对所述忆阻器件的所述电路模型在所述测试频率区间内的多个频率点下进行电容性能测试。

7、可选的，所述根据所述忆阻器件的开关电压确定直流电压范围，包括：

8、确定所述忆阻器件的开关电压；及

9、根据所述开关电压确定所述直流电压范围。

10、可选的，所述确定所述忆阻器件的开关电压，包括:

11、对所述忆阻器件施加直流电压；

12、将所述直流电压从零逐渐增加到正向电压设定值，当所述忆阻器件的导通电流突增时，所述忆阻器件的当前阻态为低阻态，确定导通电流突增时的施加的所述直流电压为开启电压；

13、将所述直流电压从零逐渐增加到反向电压设定值，当所述忆阻器件的导通电流突降时，所述忆阻器件的当前阻态为高阻态，确定导通电流突降时的施加的所述直流电压为关闭电压；

14、所述根据所述开关电压确定所述直流电压范围，包括：

15、确定所述直流电压范围大于等于所述开启电压，使所述忆阻器件处于低阻态；

16、确定所述直流电压范围小于等于所述关闭电压，使所述忆阻器件处于高阻态。

17、可选的，所述确定所述忆阻器件的电路模型，包括：

18、确定所述忆阻器件的容抗特性；

19、根据所述容抗特性简化所述忆阻器件的等效电路，形成所述电路模型。

20、可选的，所述忆阻器件至少包括待测电容、界面电阻及壳层薄膜电阻；

21、所述确定所述忆阻器件的容抗特性，包括：

22、确定所述忆阻器件为低容抗或高容抗；

23、所述根据所述容抗特性简化所述忆阻器件的等效电路，形成所述电路模型，包括：

24、当确定所述忆阻器件为低容抗时，形成的所述电路模型为所述待测电容和所述界面电阻的串联模型；

25、当确定所述忆阻器件为高容抗时，形成的所述电路模型为所述待测电容和所述壳层薄膜电阻的并联模型。

26、可选的，所述在所述直流电压范围内，确定所述忆阻器件的测试频率区间内的多个频率点，包括：

27、在所述直流电压范围内，对所述忆阻器件施加不同的交流电压的幅值有效值；

28、在不同的所述交流电压的幅值有效值下，对所述忆阻器件进行测试，确定所述忆阻器件的电容-频率关系；

29、根据所述电容-频率关系确定所述测试频率区间内的多个频率点。

30、可选的，所述在所述直流电压范围内，测试所述忆阻器件的所述电路模型在所述测试频率区间内的多个频率点下的电容性能，包括：

31、在所述直流电压范围内，在不同的所述直流电压和不同的所述交流电压的幅值有效值下，对所述忆阻器件的所述电路模型在所述测试频率区间内的多个频率点下进行电容性能测试。

32、本申请提供一种计算机可读存储介质，包括一个或多个处理器，用于执行如上述实施例中任一项所述的忆阻器件的测试方法。

33、本申请提供一种忆阻器件的测试系统，包括一个或多个处理器，用于执行如上述实施例中任一项所述的忆阻器件的测试方法。

34、本申请提供一种忆阻器件的测试装置，包括：忆阻器件及上述的测试系统。

35、本申请实施例提供的忆阻器件的测试方法、系统、装置及存储介质。忆阻器件的测试方法首先根据忆阻器件的开关电压确定直流电压范围通过确定忆阻器件的电路模型，然后在直流电压范围内，确定忆阻器件的测试频率区间内的多个频率点；及在直流电压范围内，对忆阻器件的电路模型在测试频率区间内的多个频率点下进行电容性能测试。如此设置，可快速地、便捷地对忆阻器件进行电容性能的测试，便于研究忆阻器件的电阻电容双参量记忆特性，有利于研究忆阻器件的存储密度。

36、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

技术特征：

1.一种忆阻器件的测试方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的忆阻器件的测试方法，其特征在于，所述根据所述忆阻器件的开关电压确定直流电压范围，包括：

3.如权利要求1所述的忆阻器件的测试方法，其特征在于，所述确定所述忆阻器件的开关电压，包括:

4.如权利要求1所述的忆阻器件的测试方法，其特征在于，所述确定所述忆阻器件的电路模型，包括：

5.如权利要求4所述的忆阻器件的测试方法，其特征在于，所述忆阻器件至少包括待测电容、界面电阻及壳层薄膜电阻；

6.如权利要求1所述的忆阻器件的测试方法，其特征在于，所述在所述直流电压范围内，确定所述忆阻器件的测试频率区间内的多个频率点，包括：

7.如权利要求1所述的忆阻器件的测试方法，其特征在于，所述在所述直流电压范围内，测试所述忆阻器件的所述电路模型在所述测试频率区间内的多个频率点下的电容性能，包括：

8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，包括一个或多个处理器，用于执行如权利要求1-7任一项所述的忆阻器件的测试方法。

9.一种忆阻器件的测试系统，其特征在于，包括一个或多个处理器，用于执行如权利要求1-7任一项所述的忆阻器件的测试方法。

10.一种忆阻器件的测试装置，其特征在于，包括：忆阻器件及如权利要求9所述的测试系统。

技术总结本申请提供一种忆阻器件的测试方法、系统、装置及存储介质。忆阻器件的测试方法包括：根据忆阻器件的开关电压确定直流电压范围；确定忆阻器件的电路模型；在直流电压范围内，确定忆阻器件的测试频率区间内的多个频率点；及在直流电压范围内，对忆阻器件的电路模型在测试频率区间内的多个频率点下进行电容性能测试。本申请可以高效、便捷的对忆阻器件进行电容性能的测试，便于研究忆阻器件的电阻电容双参量记忆特性。技术研发人员：周睿晰,时拓,崔狮雨,陈美文受保护的技术使用者：之江实验室技术研发日：技术公布日：2024/4/17