闪存装置及其编程方法与流程

本发明涉及一种存储器的编程方法，尤其涉及一种能够针对漏电流进行补偿的闪存装置及其编程方法。

背景技术：

1、在针对闪存(flash memory)的编程操作中，为了确保临限电压(thresholdvoltage，vt)已被编程到预定的目标电压，编程验证(program-verify，pv)是不可或缺的操作项目。在编程验证中会对选中存储单元施加读取电压，并且对所产生的胞电流进行检测。胞电流必需被判定为足够低才能通过验证。

2、除了选中存储单元的胞电流之外，在共同位线(global bit line)上还会有其他存储单元所产生的漏电流。因此，实际上在编程验证中与参考电流进行比较的是共同位线上由胞电流以及漏电流相加而成的感测电流。当感测电流不够低时就会对选中存储单元所耦接的字线再次施加编程脉冲以及进行编程验证，并且重复操作直到感测电流被判定为足够低为止。此外，对于或非型闪存(nor flash memory)来说，由于劣化的关系漏电流还会随着进行循环操作(即由编程操作及抹除操作构成的循环)的次数增加而逐渐增加，导致需要施加更多次的编程脉冲来将选中存储单元的临限电压推动至更高，才能在编程验证时使感测电流低于参考电流。同时，编程验证的次数也会随之增加。如此恶性循环之下，页编程时间(page program time，tpp)就会随着循环操作的次数增加而逐渐增加，导致闪存的效率下降，进而成为存储器技术开发上的瓶颈。

技术实现思路

1、本发明提供一种闪存装置及其编程方法，能够尽量使页编程时间在经过多次循环操作后仍维持不变。

2、本发明的闪存装置包括存储器阵列、第一共同位线以及感测放大装置。存储器阵列包括第一存储器区块。第一存储器区块包括多个第一存储单元。第一共同位线耦接第一存储单元。感测放大装置耦接第一共同位线。在漏电流检测操作中，感测放大装置检测第一存储单元在第一共同位线上产生的漏电流，以获得漏电流仿真信息。在编程操作中，感测放大装置根据漏电流仿真信息以提供参考电流，且对第一存储单元中的选中存储单元在第一共同位线上产生的感测电流与参考电流进行比较，以进行编程验证。

3、本发明的闪存装置的编程方法包括下列步骤：在漏电流检测操作中，检测第一存储单元在第一共同位线上产生的漏电流，以获得漏电流仿真信息；以及在编程操作中，根据漏电流仿真信息以提供参考电流，且对第一存储单元中的选中存储单元在第一共同位线上产生的感测电流与参考电流进行比较，以进行编程验证。

4、基于上述，本发明的闪存装置及其编程方法能够在编程操作之前预先检测存储器区块所产生的漏电流。并且，在编程操作中能够根据漏电流的大小提供适当的参考电流来进行编程验证。由此，不会因漏电流的影响而需要在编程验证时施加更多次的编程脉冲，不会对页编程时间产生不良的影响，避免闪存的效率下降。

技术特征：

1.一种闪存装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的闪存装置，其特征在于，所述感测放大装置包括：

3.根据权利要求2所述的闪存装置，其特征在于，在所述漏电流检测操作中，所述第一感测放大器对所述第一共同位线上的漏电流与所述复制漏电流进行比较，以产生比较结果，当所述比较结果维持为第一逻辑电平时所述比例控制器调整所述设定比例，并且所述第一感测放大器及所述比例控制器重复进行所述第一共同位线上的漏电流与所述复制漏电流的比较以及所述设定比例的调整，直到所述比较结果由所述第一逻辑电平转态为第二逻辑电平为止。

4.根据权利要求3所述的闪存装置，其特征在于，当所述比较结果由所述第一逻辑电平转态为所述第二逻辑电平时，所述感测放大装置存储对应的所述设定比例来作为所述漏电流仿真信息。

5.根据权利要求2所述的闪存装置，其特征在于，所述参考电流由比较电流以及补偿电流相加而成，在所述编程操作中，所述感测放大装置根据所述漏电流仿真信息以提供所述补偿电流，所述补偿电流相当于与所存储的所述设定比例对应的所述复制漏电流。

6.根据权利要求1所述的闪存装置，其特征在于，在所述漏电流检测操作中，与所述多个第一存储单元对应的所有字线均为禁能的状态。

7.根据权利要求1所述的闪存装置，其特征在于，在所述编程操作中，与所述选中存储单元对应的字线为致能的状态，与其余的所述多个第一存储单元对应的字线为禁能的状态。

8.根据权利要求1所述的闪存装置，其特征在于，还包括多个第二共同位线，

9.一种闪存装置的编程方法，其特征在于，所述闪存装置包括存储器阵列，所述存储器阵列包括具有多个第一存储单元的第一存储器区块，各所述多个第一存储单元耦接第一共同位线，

10.根据权利要求9所述的闪存装置的编程方法，其特征在于，在所述漏电流检测操作中，检测所述多个第一存储单元在所述第一共同位线上产生的漏电流，以获得所述漏电流仿真信息的步骤包括：

11.根据权利要求10所述的闪存装置的编程方法，其特征在于，在所述漏电流检测操作中，检测所述多个第一存储单元在所述第一共同位线上产生的漏电流，以获得所述漏电流仿真信息的步骤还包括：

12.根据权利要求11所述的闪存装置的编程方法，其特征在于，在所述漏电流检测操作中，检测所述多个第一存储单元在所述第一共同位线上产生的漏电流，以获得所述漏电流仿真信息的步骤还包括：

13.根据权利要求10所述的闪存装置的编程方法，其特征在于，所述参考电流由比较电流以及补偿电流相加而成，在所述编程操作中，根据所述漏电流仿真信息以提供所述参考电流的步骤包括：

14.根据权利要求9所述的闪存装置的编程方法，其特征在于，在所述漏电流检测操作中，与所述多个第一存储单元对应的所有字线均为禁能的状态，

15.根据权利要求9所述的闪存装置的编程方法，其特征在于，所述存储器阵列还包括多个第二存储器区块，各所述多个第二存储器区块包括多个第二存储单元，各所述多个第二存储单元耦接对应的第二共同位线，

技术总结本发明提供一种闪存装置及其编程方法。闪存装置包括存储器阵列、第一共同位线以及感测放大装置。存储器阵列包括具有多个第一存储单元的第一存储器区块。在漏电流检测操作中，感测放大装置检测第一存储单元在第一共同位线上产生的漏电流，以获得漏电流仿真信息。在编程操作中，感测放大装置根据漏电流仿真信息以提供参考电流，且对第一存储单元中的选中存储单元在第一共同位线上产生的感测电流与参考电流进行比较，以进行编程验证。技术研发人员：何文乔受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/8