存储器装置及其操作方法与流程

本公开的各种实施方式涉及存储器装置和操作该存储器装置的方法，更具体地，涉及一种包括虚设单元的存储器装置和该存储器装置的编程操作。

背景技术：

1、存储器装置可包括存储数据的存储器单元阵列、执行编程操作、读操作或擦除操作的外围电路以及控制外围电路的控制电路。

2、存储器单元阵列可包括多个存储块，各个存储块可包括多个存储器单元。具有三维(3d)结构的存储器装置可包括层叠在基板上的存储器单元。例如，具有3d结构的存储器装置可包括垂直于基板的插塞。各个插塞可包括形成在位线和源极线之间的存储器单元、虚设单元和选择晶体管。位线和源极线之间的存储器单元、虚设单元和选择晶体管可形成串。

3、存储器单元可存储用户数据或正常数据。虚设单元可存储虚设数据以防止包括在串中的存储器单元的电特性的劣化。选择晶体管可用于将位线或源极线联接到串或与串分离。

4、在对存储块的编程操作期间，需要减小所选串的沟道电压或者需要增加未选串的沟道电压。为了增加未选串的沟道电压，可通过源极线或位线施加预充电电压。然而，随着形成存储块的插塞的高度增加，可能难以对未选串进行预充电。

技术实现思路

1、本公开的实施方式可提供一种存储器装置。该存储器装置可包括：存储块，其包括串，各个串包括联接在第一虚设单元和第二虚设单元之间的第一存储器单元以及联接在第三虚设单元和第四虚设单元之间的第二存储器单元，第三虚设单元与第二虚设单元相邻；以及外围电路，其被配置为执行对存储块的擦除操作、对第一存储器单元和第二存储器单元的正常编程操作或对第一至第四虚设单元的软编程操作。外围电路可被配置为在对存储块执行擦除操作之后，对第一至第四虚设单元当中的距被施加有预充电电压的区域最远的第四虚设单元执行软编程操作，并且对第二存储器单元执行正常编程操作，其中，预充电电压在正常编程操作期间被施加到该区域，并且其中，该区域与第一虚设单元相邻。

2、本公开的实施方式可提供一种操作存储器装置的方法。该方法可包括以下步骤：对包括联接在第一虚设单元和第二虚设单元之间的第一存储器单元和联接在第三虚设单元和第四虚设单元之间的第二存储器单元的存储块执行擦除操作，第三虚设单元与第二虚设单元相邻；对第四虚设单元执行第一软编程操作，使得第四虚设单元具有第一阈值电压；对第二存储器单元执行第一正常编程操作；对第二虚设单元和第三虚设单元执行第二软编程操作，使得第二虚设单元和第三虚设单元具有低于第一阈值电压的第二阈值电压；对第一存储器单元执行第二正常编程操作；以及对第一虚设单元执行第三软编程操作，使得第一虚设单元具有低于第一阈值电压的第三阈值电压。

3、本公开的实施方式可提供一种存储器装置。该存储器装置可包括：存储块，其包括串，各个串包括联接在第一虚设单元和第二虚设单元之间的第一存储器单元和联接在第三虚设单元和第四虚设单元之间的第二存储器单元，第三虚设单元与第二虚设单元相邻；以及外围电路，其被配置为执行对存储块的擦除操作、对第一存储器单元和第二存储器单元的正常编程操作或对第一至第四虚设单元的软编程操作。外围电路可被配置为在对存储块执行擦除操作之后，对第一至第四虚设单元当中的距被施加有预充电电压的区域最远的第四虚设单元执行软编程操作，并且对第二存储器单元执行正常编程操作，其中，预充电电压在正常编程操作期间被施加到该区域，并且其中，该区域与第一虚设单元相邻。

4、本公开的实施方式可提供一种操作存储器装置的方法。该方法可包括：对包括联接在第一虚设单元和第二虚设单元之间的第一存储器单元和联接在第三虚设单元和第四虚设单元之间的第二存储器单元的存储块执行擦除操作，第三虚设单元与第二虚设单元相邻；对第四虚设单元执行第一软编程操作；对第二存储器单元执行第一正常编程操作；对第二虚设单元和第三虚设单元执行第二软编程操作，使得第二虚设单元和第三虚设单元的阈值电压低于第四虚设单元的阈值电压；对第一存储器单元执行第二正常编程操作；以及对第一虚设单元执行第三软编程操作，使得第一虚设单元的阈值电压低于第四虚设单元的阈值电压。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在已对所述第二存储器单元执行所述正常编程操作之后，所述外围电路对所述第二虚设单元和所述第三虚设单元执行软编程操作。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述外围电路对所述第二虚设单元至所述第四虚设单元执行软编程操作，使得所述第二虚设单元和所述第三虚设单元的阈值电压低于所述第四虚设单元的阈值电压。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述外围电路对所述第二虚设单元和所述第三虚设单元执行软编程操作，使得所述第二虚设单元和所述第三虚设单元的阈值电压彼此相等。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述外围电路对所述第二虚设单元和所述第三虚设单元执行软编程操作，使得所述第二虚设单元的阈值电压低于所述第三虚设单元的阈值电压。

6.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，在已对所述第二虚设单元和所述第三虚设单元执行所述软编程操作之后，所述外围电路对所述第一存储器单元执行正常编程操作。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，在已对所述第一存储器单元执行所述正常编程操作之后，所述外围电路对所述第一虚设单元执行软编程操作。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述外围电路对所述第一虚设单元至所述第三虚设单元执行软编程操作，使得所述第一虚设单元至所述第三虚设单元的阈值电压彼此相等。

9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述外围电路对所述第一虚设单元至所述第三虚设单元执行软编程操作，使得所述第一虚设单元的阈值电压低于所述第二虚设单元和所述第三虚设单元的阈值电压。

10.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述第一软编程操作期间，软编程电压当中的作为最高软编程电压的第一软编程电压被施加到与所述第四虚设单元联接的虚设线。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述第一软编程操作期间，软编程电压被多次施加到与所述第四虚设单元联接的虚设线。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述第一软编程操作期间，施加到与所述第四虚设单元联接的所述虚设线的所述软编程电压以步进方式增加。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述第一软编程操作期间，施加到与所述第四虚设单元联接的所述虚设线的所述软编程电压被设定为具有相同的电平。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述第二软编程操作期间，比施加到与所述第四虚设单元联接的虚设线的第一软编程电压低的第二软编程电压被施加到与所述第二虚设单元和所述第三虚设单元联接的虚设线。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述第二软编程操作期间，软编程电压被多次施加到与所述第二虚设单元和所述第三虚设单元联接的虚设线。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述第二软编程操作期间，施加到与所述第二虚设单元和所述第三虚设单元联接的所述虚设线的所述软编程电压以步进方式增加。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述第二软编程操作期间，施加到与所述第二虚设单元和所述第三虚设单元联接的所述虚设线的所述软编程电压被设定为具有相同的电平。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述第二软编程操作期间，所述软编程电压被施加到与所述第二虚设单元和所述第三虚设单元联接的虚设线的次数少于所述软编程电压被施加到与所述第四虚设单元联接的虚设线的次数。

20.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述第三软编程操作期间，与施加到与所述第二虚设单元和所述第三虚设单元联接的虚设线的第二软编程电压相等的电压被施加到与所述第一虚设单元联接的虚设线。

21.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述第三软编程操作期间，软编程电压被多次施加到与所述第一虚设单元联接的虚设线。

22.根据权利要求21所述的方法，其中，在所述第三软编程操作期间，施加到与所述第一虚设单元联接的所述虚设线的所述软编程电压以步进方式增加。

23.根据权利要求21所述的方法，其中，在所述第三软编程操作期间，所述软编程电压被施加到与所述第一虚设单元联接的虚设线的次数少于所述软编程电压被施加到与所述第四虚设单元联接的虚设线的次数。

24.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述第三软编程操作期间，比施加到与所述第二虚设单元和所述第三虚设单元联接的虚设线的第二软编程电压低的第三软编程电压被施加到与所述第一虚设单元联接的虚设线。

25.一种存储器装置，该存储器装置包括：

26.根据权利要求25所述的存储器装置，其中，在对所述第四虚设单元执行所述软编程操作时，所述外围电路对所述第四虚设单元同时进行编程。

27.根据权利要求25所述的存储器装置，其中，所述外围电路：

28.根据权利要求25所述的存储器装置，其中，在已对所述第二存储器单元执行所述正常编程操作之后，所述外围电路对所述第二虚设单元和所述第三虚设单元执行软编程操作。

29.根据权利要求26所述的存储器装置，其中，所述外围电路对所述第二虚设单元至所述第四虚设单元执行软编程操作，使得所述第二虚设单元和所述第三虚设单元的阈值电压低于所述第四虚设单元的阈值电压。

30.根据权利要求29所述的存储器装置，其中，在对所述第二虚设单元和所述第三虚设单元执行所述软编程操作时，所述外围电路对所述第二虚设单元和所述第三虚设单元同时进行编程。

31.根据权利要求29所述的存储器装置，其中，所述外围电路：

32.根据权利要求30所述的存储器装置，其中，在已对所述第二虚设单元和所述第三虚设单元执行所述软编程操作之后，所述外围电路对所述第一存储器单元执行正常编程操作。

33.根据权利要求32所述的存储器装置，其中，在已对所述第一存储器单元执行所述正常编程操作之后，所述外围电路对所述第一虚设单元执行软编程操作。

34.根据权利要求33所述的存储器装置，其中，所述外围电路对所述第一虚设单元执行所述软编程操作，使得所述第一虚设单元的阈值电压低于或等于所述第二虚设单元的阈值电压。

35.根据权利要求33所述的存储器装置，其中，所述外围电路：

36.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

37.根据权利要求36所述的方法，其中，在所述第一软编程操作期间，软编程电压当中的作为最高软编程电压的第一软编程电压被施加到与所述第四虚设单元联接的虚设线。

38.根据权利要求36所述的方法，其中，在所述第一软编程操作期间，

39.根据权利要求36所述的方法，其中，在所述第二软编程操作期间，比施加到与所述第四虚设单元联接的虚设线的软编程电压低的软编程电压被施加到与所述第二虚设单元和所述第三虚设单元联接的虚设线。

40.根据权利要求36所述的方法，其中，在所述第二软编程操作期间，

41.根据权利要求36所述的方法，其中，在所述第三软编程操作期间，与施加到与所述第二虚设单元和所述第三虚设单元联接的虚设线的软编程电压相等的电压被施加到与所述第一虚设单元联接的虚设线。

42.根据权利要求36所述的方法，其中，在所述第三软编程操作期间，比施加到与所述第二虚设单元和所述第三虚设单元联接的虚设线的软编程电压低的软编程电压被施加到与所述第一虚设单元联接的虚设线。

43.根据权利要求36所述的方法，其中，在所述第三软编程操作期间，

技术总结本文可提供一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置可包括：存储块，其包括串，各个串包括联接在第一虚设单元和第二虚设单元之间的第一存储器单元以及联接在第三虚设单元和第四虚设单元之间的第二存储器单元；以及外围电路，其执行对第一存储器单元和第二存储器单元的正常编程操作或者对第一至第四虚设单元的软编程操作，其中，外围电路被配置为对距被施加有预充电电压的区域最远的第四虚设单元执行软编程操作，并且对第二存储器单元执行正常编程操作，其中，预充电电压在正常编程操作期间被施加到所述区域，并且其中，所述区域与第一虚设单元相邻。技术研发人员：安尚太,李性旻受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/23