半导体器件的制备方法与流程

本发明涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。

背景技术：

1、闪存是一种非易失存储器，其包括多个闪存单元，闪存单元包括浮栅、ono结构层和控制栅，多个闪存单元一般呈阵列排布。目前，由于制备工艺缺陷，普遍在各闪存单元之间会形成漏电失效的问题，可能是由于闪存单元制备时浮栅、控制栅的尺寸较难精准的控制，导致相邻闪存单元之间形成漏电路径，影响闪存的可靠性。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种半导体器件的制备方法，减小半导体器件漏电的可能性，提高半导体器件的可靠性。

2、为了达到上述目的，本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：

3、提供衬底；

4、形成若干闪存单元位于所述衬底上，若干所述闪存单元沿x方向和y方向呈阵列排布，沿y方向相邻两个所述闪存单元之间的衬底上形成有多晶硅残留和绝缘物残留，所述多晶硅残留还延伸至沿y方向相邻两个所述闪存单元的下方使得沿y方向相邻两个所述闪存单元连接，所述绝缘物残留覆盖沿y方向相邻两个所述闪存单元之间的多晶硅残留；

5、执行离子轰击工艺，轰击所述绝缘物残留以在所述绝缘物残留中形成暴露所述多晶硅残留的孔洞；以及，

6、执行热氧化工艺，透过所述孔洞氧化沿y方向相邻两个所述闪存单元之间的多晶硅残留以形成绝缘氧化层，所述绝缘氧化层位于沿y方向相邻两个所述闪存单元之间的衬底上。

7、可选的，所述闪存单元包括浮栅、控制栅和ono结构层，所述浮栅位于所述衬底上，所述浮栅的侧壁倾斜且所述浮栅侧壁的底部具有所述多晶硅残留，所述ono结构层覆盖所述浮栅的侧壁和顶部以及所述浮栅侧壁的底部的多晶硅残留，所述控制栅位于所述ono结构层上。

8、可选的，所述绝缘物残留与沿y方向相邻两个所述闪存单元中的ono结构层连接。

9、可选的，执行所述离子轰击工艺之前，还包括执行吹扫工艺，去除所述衬底表面的杂质。

10、可选的，所述离子轰击工艺采用的轰击离子包括锗、锡和铅中的一种或多种。

11、可选的，所述离子轰击工艺的轰击角度为30度~60度中的任一固定角度，或者所述离子轰击工艺的轰击角度在30度~60度中的任一范围内变化。

12、可选的，所述离子轰击工艺采用的温度范围为0摄氏度~25摄氏度。

13、可选的，在执行所述离子轰击工艺后，还包括：

14、执行尖峰退火工艺，修复所述离子轰击工艺对所述衬底造成的损伤；

15、执行清洗工艺，去除部分所述绝缘物残留以扩大所述孔洞。

16、可选的，所述尖峰退火工艺的工艺温度为1000摄氏度~1100摄氏度，所述尖峰退火工艺的工艺时间为1秒~10秒。

17、可选的，所述清洗工艺的清洗剂包括氢氟酸和水，且氢氟酸和水的比例为1:1000~1:1200。

18、在本发明提供的半导体器件的制备方法中，提供衬底，形成若干闪存单元位于衬底上，若干闪存单元沿x方向和y方向呈阵列排布，沿y方向相邻两个闪存单元之间的衬底上形成有多晶硅残留和绝缘物残留，多晶硅残留还延伸至沿y方向相邻两个闪存单元的下方使得沿y方向相邻两个闪存单元连接，绝缘物残留覆盖沿y方向相邻两个闪存单元之间的多晶硅残留；执行离子轰击工艺，轰击绝缘物残留以在绝缘物残留中形成暴露多晶硅残留的孔洞；以及，执行热氧化工艺，透过孔洞氧化沿y方向相邻两个闪存单元之间的多晶硅残留以形成绝缘氧化层，绝缘氧化层位于沿y方向相邻两个闪存单元之间的衬底上。本发明意想不到的技术效果是：轰击绝缘物残留以在绝缘物残留中形成暴露多晶硅残留的孔洞，结合氧化沿y方向相邻两个闪存单元之间的衬底上的多晶硅残留形成绝缘氧化层，能够避免在沿y方向相邻两个闪存单元之间形成漏电路径，减小半导体器件漏电的可能性，提高半导体器件的可靠性。

技术特征：

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述闪存单元包括浮栅、控制栅和ono结构层，所述浮栅位于所述衬底上，所述浮栅的侧壁倾斜且所述浮栅侧壁的底部具有所述多晶硅残留，所述ono结构层覆盖所述浮栅的侧壁和顶部以及所述浮栅侧壁的底部的多晶硅残留，所述控制栅位于所述ono结构层上。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述绝缘物残留与沿y方向相邻两个所述闪存单元中的ono结构层连接。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，执行所述离子轰击工艺之前，还包括执行吹扫工艺，去除所述衬底表面的杂质。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子轰击工艺采用的轰击离子包括锗、锡和铅中的一种或多种。

6.如权利要求1或5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子轰击工艺的轰击角度为30度~60度中的任一固定角度，或者所述离子轰击工艺的轰击角度在30度~60度中的任一范围内变化。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子轰击工艺采用的温度范围为0摄氏度~25摄氏度。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在执行所述离子轰击工艺后，还包括：

9.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述尖峰退火工艺的工艺温度为1000摄氏度~1100摄氏度，所述尖峰退火工艺的工艺时间为1秒~10秒。

10.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述清洗工艺的清洗剂包括氢氟酸和水，且氢氟酸和水的比例为1:1000~1:1200。

技术总结本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，形成若干闪存单元位于衬底上，若干闪存单元沿X方向和Y方向呈阵列排布，沿Y方向相邻两个闪存单元之间的衬底上形成有多晶硅残留和绝缘物残留，多晶硅残留还延伸至沿Y方向相邻两个闪存单元的下方使得沿Y方向相邻两个闪存单元连接，绝缘物残留覆盖沿Y方向相邻两个闪存单元之间的多晶硅残留；执行离子轰击工艺，轰击绝缘物残留以在绝缘物残留中形成暴露多晶硅残留的孔洞；以及，执行热氧化工艺，透过孔洞氧化沿Y方向相邻两个闪存单元之间的多晶硅残留以形成绝缘氧化层。本发明减小半导体器件漏电的可能性，提高半导体器件的可靠性。技术研发人员：王敦年,洪繁,谢荣源,谢学文受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29