半导体器件的制作方法

实施方式涉及半导体器件，更具体地，涉及包括接合焊盘的半导体器件。

背景技术：

1、半导体器件包括由金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)构成的集成电路。随着半导体器件的尺寸和设计规则逐渐减小，mosfet的尺寸也在逐渐按比例缩小。mosfet的按比例缩小可能使半导体器件的操作特性劣化。因此，已经开展了各种研究以制造具有优异性能同时克服由于半导体器件的集成导致的限制的半导体器件。

技术实现思路

1、实施方式可以提供其电性质得到改善的半导体器件。

2、根据一些实施方式，一种半导体器件可以包括下基板、在下基板上的下电介质结构、在下基板和下电介质结构之间的存储单元结构、在下电介质结构中的下接合焊盘、在下电介质结构上的上电介质结构、在上电介质结构上的上基板、在上基板和上电介质结构之间的晶体管和在上电介质结构中的上接合焊盘。下接合焊盘的顶表面可以与上接合焊盘的底表面接触，下接合焊盘和上接合焊盘可以与存储单元结构重叠。

3、根据一些实施方式，一种半导体器件可以包括：下接合结构，包括下基板、在下基板上的下电介质结构、在下基板和下电介质结构之间的存储单元结构和在下电介质结构中的第一下接合焊盘；以及上接合结构，包括在下电介质结构上的上电介质结构、在上电介质结构上的上基板、在上基板和上电介质结构之间的第一晶体管、以及在上电介质结构中的第一上接合焊盘。第一下接合焊盘可以与第一上接合焊盘接触。第一晶体管可以与存储单元结构重叠。第一晶体管可以通过第一上接合焊盘和第一下接合焊盘电连接到存储单元结构。

4、根据一些实施方式，一种半导体器件可以包括：下基板；在下基板上的下电介质结构；在下基板和下电介质结构之间的存储单元结构，其中存储单元结构包括位线；在下电介质结构上的上电介质结构；在上电介质结构上的上基板；在上基板和上电介质结构之间的晶体管；在上基板上的连接电介质结构；在连接电介质结构中的连接导电结构；将晶体管电连接到位线的下接合焊盘和上接合焊盘，其中下接合焊盘和上接合焊盘彼此接触；以及将晶体管电连接到连接导电结构的贯通通路。晶体管、上接合焊盘和下接合焊盘可以与存储单元结构重叠。贯通通路可以穿透上基板。

5、根据一些实施方式，一种制造半导体器件的方法可以包括在下基板上形成包括位线的存储单元结构、形成覆盖存储单元结构的下电介质结构、在下电介质结构中形成下接合焊盘、在上基板上形成晶体管、形成覆盖晶体管的上电介质结构、在上电介质结构中形成上接合焊盘、以及将上电介质结构接合到下电介质结构并且将上接合焊盘接合到下接合焊盘。上接合焊盘和下接合焊盘可以与存储单元结构重叠。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述晶体管构成感测放大器。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述晶体管与所述存储单元结构重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述晶体管和所述存储单元结构通过所述下接合焊盘和所述上接合焊盘电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述上电介质结构的底表面接合到所述下电介质结构的顶表面。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述存储单元结构的水平低于所述上接合焊盘的水平和所述下接合焊盘的水平。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括穿透所述上基板的贯通通路，

9.一种半导体器件，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一上接合焊盘和所述第一下接合焊盘与所述存储单元结构重叠。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中：

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述第一上接合焊盘和所述第一下接合焊盘与所述单元栅极结构和所述单元电容器重叠。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，进一步包括：

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述上接合结构进一步包括：

15.根据权利要求9所述的半导体器件，

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述第二上接合焊盘和所述第二下接合焊盘与所述功率电容器重叠。

17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述存储单元结构包括单元电容器，

18.根据权利要求9所述的半导体器件，其中

19.根据权利要求18所述的半导体器件，所述位线在所述第二方向上的节距与所述两个第一上接合焊盘之间在所述第二方向上的偏移距离相同。

20.一种半导体器件，包括：

技术总结公开了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括下基板、在下基板上的下电介质结构、在下基板和下电介质结构之间的存储单元结构、在下电介质结构中的下接合焊盘、在下电介质结构上的上电介质结构、在上电介质结构上的上基板、在上基板和上电介质结构之间的晶体管和在上电介质结构中的上接合焊盘。下接合焊盘的顶表面与上接合焊盘的底表面接触。下接合焊盘和上接合焊盘与存储单元结构重叠。技术研发人员：李泓浚,金根楠,金熙中,朴硕韩,李基硕,郑文泳,崔宰福,崔贤根,韩珍优受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/8/5