薄壁开口环形件及加工方法与流程

本发明涉及薄壁开口零部件加工，尤其涉及薄壁开口环形件及加工方法。

背景技术：

1、在半导体技术领域，在对薄壁开口环形件进行加工过程中，通过压板装夹或胶水粘住装夹等装夹方式进行装夹固定。

2、但是，常规的加工方法很容易导致环形件的表面划伤和变形，压的力度太大，造成结构压弯，并且，由于开口薄壁环形件的厚度较薄，加工过程中变形不可控，经常会出现加工之后产生变形，导致开口位置尺寸内缩。同时，开口薄壁环形件容易出现侧壁震动，装夹时间长，对于操作的技术要求较高。

3、因此，亟需薄壁开口环形件及加工方法，以解决上述问题。

技术实现思路

1、根据本发明的一个方面，本发明提供薄壁开口环形件，在加工过程中变形量小，加工尺寸稳定，变形可控，操作简单，并且，防止在粗加工过程中产生变形。

2、为了解决现有技术存在的上述问题，本发明采用以下技术方案：

3、薄壁开口环形件，包括：

4、底板，所述底板呈环状结构，所述底板设置有开口，对所述底板的所述开口处进行预整形处理；

5、围板，所述围板呈环状结构，沿所述底板的圆周方向，所述围板设置于所述底板的外圈；

6、压板，沿所述底板的圆周方向，所述压板设置于所述底板的内圈，所述压板与所述围板之间具有环形通槽，所述压板开设有凹陷部，所述凹陷部连通于所述环形通槽，所述凹陷部的数量有多个，多个所述凹陷部沿所述环形通槽的长度方向间隔设置。

7、优选地，所述底板具有第一端部和第二端部，所述开口位于所述第一端部和所述第二端部之间，所述第一端部与所述第二端部相对且间隔设置，且所述第一端部和所述第二端部设置为倒圆角结构，所述开口的预整形量范围为0.5～2mm。

8、优选地，所述底板的中心与所述底板的外边缘之间的间距范围为200～600mm。

9、优选地，所述围板与所述底板一体成型。

10、优选地，所述压板与所述底板一体成型。

11、优选地，所述压板还开设有凹槽，所述凹槽靠近所述凹陷部设置，所述凹槽的数量有多个，多个所述凹槽沿所述环形通槽的长度方向间隔设置。

12、优选地，所述围板的厚度范围为1.5～3mm。

13、优选地，所述薄壁开口环形件由铝制材料或者不锈钢材料制成。

14、根据本发明的另一个方面，提供薄壁开口环形件加工方法，通过上述的薄壁开口环形件的实施，所述薄壁开口环形件加工方法包括：

15、粗加工所述围板和所述压板，所述围板与所述压板之间的所述环形通槽用于粗加工过程中防止变形；

16、对所述底板的所述开口进行预整形加工，以使所述开口的预整形量范围为0.5～2mm；

17、对所述薄壁开口环形件进行热处理以去除变形应力；

18、精加工所述底板和所述压板，所述薄壁开口环形件加工成型。

19、优选地，对所述薄壁开口环形件进行热处理的加热温度范围为180～220℃。

20、本发明的有益效果为：

21、本发明提供的薄壁开口环形件，底板呈环状结构，底板设置有开口，在精加工之前，对底板的开口处进行预整形处理，通过人工整型的方式把薄壁开口环形件提前变形，使得该薄壁开口环形件在加工过程中的变形量小，加工尺寸稳定，变形可控，操作简单，针对圆形开口的薄壁半导体零部件加工效果明显。围板呈环状结构，沿底板的圆周方向，围板设置于底板的外圈。沿底板的圆周方向，压板设置于底板的内圈，压板与围板之间具有环形通槽，环形通槽能够防止薄壁开口环形件在粗加工过程中产生变形，压板开设有凹陷部，凹陷部连通于环形通槽，凹陷部的数量有多个，多个凹陷部沿环形通槽的长度方向间隔设置，在粗加工过程中，方便围板的内侧壁加工凸设有多个凸起，凸起沿凹陷部的深度方向延伸，方便加工。

22、本发明提供的薄壁开口环形件加工方法，通过薄壁开口环形件的实施，粗加工围板和压板，围板与压板之间的环形通槽用于粗加工过程中防止变形，对底板的开口进行预整形加工，以使开口的预整形量范围为0.5～2mm，对薄壁开口环形件进行热处理以去除变形应力，精加工底板和压板，薄壁开口环形件加工成型。预整形加工把薄壁开口环形件提前变形，使其在加工过程中的变形量小，加工尺寸稳定，变形可控，操作简单，针对圆形开口的薄壁半导体零部件加工效果明显。

技术特征：

1.薄壁开口环形件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的薄壁开口环形件，其特征在于，所述底板(1)具有第一端部(12)和第二端部(13)，所述开口(11)位于所述第一端部(12)和所述第二端部(13)之间，所述第一端部(12)与所述第二端部(13)相对且间隔设置，且所述第一端部(12)和所述第二端部(13)设置为倒圆角结构，所述开口(11)的预整形量范围为0.5～2mm。

3.根据权利要求1所述的薄壁开口环形件，其特征在于，所述底板(1)的中心与所述底板(1)的外边缘之间的间距范围为200～600mm。

4.根据权利要求1所述的薄壁开口环形件，其特征在于，所述围板(2)与所述底板(1)一体成型。

5.根据权利要求1所述的薄壁开口环形件，其特征在于，所述压板(3)与所述底板(1)一体成型。

6.根据权利要求1所述的薄壁开口环形件，其特征在于，所述压板(3)还开设有凹槽(32)，所述凹槽(32)靠近所述凹陷部(31)设置，所述凹槽(32)的数量有多个，多个所述凹槽(32)沿所述环形通槽(4)的长度方向间隔设置。

7.根据权利要求1所述的薄壁开口环形件，其特征在于，所述围板(2)的厚度范围为1.5～3mm。

8.根据权利要求1所述的薄壁开口环形件，其特征在于，所述薄壁开口环形件由铝制材料或者不锈钢材料制成。

9.薄壁开口环形件加工方法，其特征在于，通过如权利要求1-8任一项所述的薄壁开口环形件的实施，所述薄壁开口环形件加工方法包括：

10.根据权利要求9所述的薄壁开口环形件加工方法，其特征在于，对所述薄壁开口环形件进行热处理的加热温度范围为180～220℃。

技术总结本发明属于薄壁开口零部件加工技术领域，公开了薄壁开口环形件及加工方法，该薄壁开口环形件包括底板、围板和压板，底板呈环状结构，底板设置有开口，在精加工之前，对底板的开口处进行预整形处理，通过人工整型的方式把薄壁开口环形件提前变形，使得该薄壁开口环形件在加工过程中的变形量小，加工尺寸稳定，变形可控，操作简单，针对圆形开口的薄壁半导体零部件加工效果明显，围板呈环状结构，沿底板的圆周方向，围板设置于底板的外圈，沿底板的圆周方向，压板设置于底板的内圈，压板与围板之间具有环形通槽，能够防止薄壁开口环形件在粗加工过程中产生变形。技术研发人员：姚力军,鲍伟江,王超受保护的技术使用者：上海睿昇半导体科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/21