封装结构及其制备方法与流程

本公开实施例涉及封装，特别是涉及一种封装结构及其制备方法。

背景技术：

1、在先进封装工艺制程中，在硅基圆片的一侧安装芯片，通过贯穿硅基圆片的导电插塞将芯片引出至硅基圆片的另一侧；然后，进行塑封和划片，将硅基圆片分成内部具有多个不同芯片的独立封装器件。由于应力集中，划片过程中容易出现崩边或破裂，影响封装器件的性能，降低了封装制程的良品率。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种封装结构及其制备方法，可以减少划片过程中出现的崩边或破裂，提高封装结构的良品率。

2、一种封装结构的制备方法，包括：

3、提供正面形成有应力层的晶圆，所述晶圆包括器件区和划片区，所述划片区用于隔离相邻所述器件区；

4、采用激光烧蚀工艺，沿预设路径于所述划片区形成应力缓冲槽，所述应力缓冲槽至少贯穿所述应力层；

5、沿所述预设路径切割所述晶圆，以将所述晶圆分裂成与所述器件区对应的封装结构，形成贯穿所述晶圆的切割槽；

6、其中，所述切割槽与所述应力缓冲槽相连通。

7、在一些实施例中，所述切割槽在所述应力层上的投影位于所述应力缓冲槽中。

8、在一些实施例中，所述器件区上形成有多个间隔设置并贯穿所述晶圆的导电插塞，所述采用激光烧蚀工艺，沿预设路径于所述划片区形成应力缓冲槽之前，还包括：

9、将芯片置于所述晶圆的正面，所述芯片位于所述器件区，并与所述导电插塞连接；

10、采用激光烧蚀工艺，沿预设路径于所述划片区形成应力缓冲槽的步骤，包括：

11、翻转所述晶圆；

12、采用激光烧蚀工艺，沿预设路径于所述晶圆的背面形成所述应力缓冲槽，所述应力缓冲槽自所述晶圆的背面延伸至贯穿所述应力层，所述背面和所述正面相对设置。

13、在一些实施例中，翻转所述晶圆之前，还包括：

14、于所述晶圆的正面形成绝缘结构，所述绝缘结构位于相邻所述芯片之间；

15、形成贯穿所述晶圆的切割槽的步骤，包括：

16、于所述晶圆的背面，沿所述应力缓冲槽切割所述晶圆，直至贯穿所述绝缘结构。

17、在一些实施例中，所述采用激光烧蚀工艺，沿预设路径于所述划片区形成应力缓冲槽之前，还包括：

18、于所述导电插塞远离所述芯片的一端形成保护膜，所述保护膜沿所述导电插塞延伸至所述晶圆的背面；

19、其中，形成贯穿所述晶圆的切割槽之后，还包括：

20、去除所述保护膜的步骤。

21、在一些实施例中，所述器件区上形成有多个间隔设置并贯穿所述晶圆的导电插塞，所述采用激光烧蚀工艺，沿预设路径于所述划片区形成应力缓冲槽的步骤，包括：

22、采用激光烧蚀工艺，于所述晶圆的正面形成所述应力缓冲槽，所述应力缓冲槽自所述晶圆的正面延伸至所述晶圆中；

23、采用激光烧蚀工艺，沿预设路径于所述划片区形成应力缓冲槽之后，所述封装结构的制备方法还包括：

24、将芯片置于所述晶圆的正面，所述芯片位于所述器件区，并与所述导电插塞连接。

25、在一些实施例中，形成贯穿所述晶圆的切割槽的步骤，包括：

26、翻转所述晶圆；

27、沿所述预设路径切割所述晶圆，于所述晶圆的背面形成所述切割槽，所述背面和所述正面相对设置。

28、在一些实施例中，翻转所述晶圆之前，封装结构的制备方法还包括：

29、于所述晶圆的正面形成绝缘结构，所述绝缘结构位于相邻所述芯片之间和所述应力缓冲槽中；

30、其中，所述切割槽穿过所述应力缓冲槽，并延伸至贯穿所述绝缘结构。

31、在一些实施例中，采用刀片切割工艺沿所述预设路径切割所述晶圆；

32、其中，在平行于所述晶圆的方向上，所述应力缓冲槽的宽度大于或等于所述刀片切割工艺中使用的刀片的厚度。

33、一种封装结构，采用如上述封装结构的制备方法制成，包括：

34、晶圆，所述晶圆的正面形成有应力层，所述晶圆中形成有多个间隔设置并贯穿所述晶圆的导电插塞；

35、芯片，位于所述晶圆的正面，并与所述导电插塞连接。

36、上述封装结构及其制备方法中，采用激光烧蚀工艺，沿预设路径于所述划片区形成的至少贯穿应力层的应力缓冲槽，降低了划片区的整体应力，使得沿预设路径切割晶圆得到封装结构的过程中，划片裂纹的产生及蔓延的概率更低，提高了封装结构制程过程中的良品率。并且，本申请制备方法不会增加封装结构的应力，实用性强，可行性高。

技术特征：

1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述切割槽在所述应力层上的投影位于所述应力缓冲槽中。

3.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述器件区上形成有多个间隔设置并贯穿所述晶圆的导电插塞，所述采用激光烧蚀工艺，沿预设路径于所述划片区形成应力缓冲槽之前，还包括：

4.根据权利要求3所述的封装结构的制备方法，其特征在于，翻转所述晶圆之前，还包括：

5.根据权利要求3所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述形成应力缓冲槽之前，还包括：

6.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述器件区上形成有多个间隔设置并贯穿所述晶圆的导电插塞，所述采用激光烧蚀工艺，沿预设路径于所述划片区形成应力缓冲槽的步骤，包括：

7.根据权利要求6所述的封装结构的制备方法，其特征在于，形成贯穿所述晶圆的切割槽的步骤，包括：

8.根据权利要求7所述的封装结构的制备方法，其特征在于，翻转所述晶圆之前，还包括：

9.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，采用刀片切割工艺沿所述预设路径切割所述晶圆；

10.一种封装结构，其特征在于，采用如权利要求1至9中任一项所述的封装结构的制备方法制成，包括：

技术总结本申请公开了一种封装结构及其制备方法，该方法包括：提供正面形成有应力层的晶圆，所述晶圆包括器件区和划片区，所述划片区用于隔离相邻所述器件区；采用激光烧蚀工艺，沿预设路径于所述划片区形成应力缓冲槽，所述应力缓冲槽至少贯穿所述应力层；沿所述预设路径切割所述晶圆，以将所述晶圆分裂成与所述器件区对应的封装结构，形成贯穿所述晶圆的切割槽；其中，所述切割槽与所述应力缓冲槽相连通。降低划片裂纹的产生及蔓延，提高良品率。技术研发人员：张章龙,张诺琦,方佳浩,杨文豪,杨盼盼受保护的技术使用者：长电集成电路（绍兴）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/20