粘接膜及粘接膜的制造方法与流程

本发明涉及粘接膜及粘接膜的制造方法。本申请基于在2022年3月11日在日本申请的特愿2022-038048号主张优先权，并将其内容援引于此。

背景技术：

1、作为耐热性高的材料，已知有例如聚酰亚胺。例如，在专利文献1中记载了基材和两面的粘接层由特定的聚酰亚胺形成的电子部件用粘接带。另外，在专利文献1的第0110～0111段中记载了如下内容：通过1秒钟的加热将实施例的粘接带与金属散热板粘接，接着，通过1秒钟的加热与引线框粘接，进而，使银浆固化2小时而粘接半导体芯片，从而将半导体封装组装起来。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利3839887号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、在加热至高温而进行粘接的粘接膜中，要求对被粘物的粘接性和粘接膜的尺寸保持性。在专利文献1所记载的发明中，说明了作为热塑性的粘接剂被使用（第0029段），耐热性和粘接性高（第0118段）。但是，在专利文献1所记载的发明中，由于基材和粘接层需要使用特殊的聚酰亚胺，因此粘接膜变得昂贵。

3、本发明是鉴于上述情况而完成的，其课题在于，提供无论在常温下还是高温下均能兼顾对被粘物的粘接性和粘接膜的尺寸保持性的粘接膜及粘接膜的制造方法。

4、技术方案

5、为了解决所述问题，本发明提供一种粘接膜，所述粘接膜在耐热层的至少一面具有粘接层，所述耐热层以在单体单元中具有芳香环的热塑性树脂作为必要成分，所述耐热层的载荷挠曲温度为100℃以上。所述粘接层以亚胺改性聚烯烃树脂或具有碳二亚胺基的改性聚烯烃树脂作为必要成分。

6、所述粘接层可以含有具有苯乙烯结构或环状烃结构的树脂中的至少一种。

7、所述粘接层可以含有被不饱和羧酸成分改性的改性聚烯烃树脂。

8、在100重量份的所述耐热层中，可以在1～30重量份的范围内含有除所述在单体单元中具有芳香环的热塑性树脂以外的热塑性树脂。

9、所述改性聚烯烃树脂可以为改性聚乙烯树脂或改性聚丙烯树脂。

10、在100重量份的所述粘接层中，可以在1～30重量份的范围内含有热塑性弹性体树脂。

11、在所述粘接层之上可以具有与所述粘接膜的被粘物粘接的第二粘接层。

12、另外，本发明提供一种粘接膜的制造方法，所述粘接膜的制造方法包括：利用熔融挤出机将所述耐热层的材料进行熔融混炼，并通过挤出成型将所述耐热层膜化的工序；以及利用熔融挤出机将所述耐热层的材料进行熔融混炼，并通过挤出层压在所述耐热层的至少一面层叠所述粘接层的工序。

13、另外，本发明提供一种粘接膜的制造方法，所述粘接膜的制造方法包括：通过利用挤出机将所述耐热层和所述粘接层的材料分别进行熔融混炼，并同时进行挤出成型，从而在所述耐热层的至少一面层叠有所述粘接层的状态下将所述耐热层和所述粘接层膜化的工序。

14、另外，本发明提供一种粘接膜的制造方法，所述粘接膜的制造方法包括：利用熔融挤出机将所述耐热层的材料进行熔融混炼，并通过挤出成型将所述耐热层膜化的工序；利用熔融挤出机将所述粘接层的材料进行熔融混炼，并通过挤出成型将所述粘接层膜化的工序；以及利用热辊将所述粘接层压制并层叠于所述耐热层的至少一面的工序。

15、另外，本发明提供一种粘接膜的制造方法，所述粘接膜的制造方法包括：利用熔融挤出机将所述耐热层的材料进行熔融混炼，并通过挤出成型将所述耐热层膜化的工序；以及将所述粘接层的材料溶解于溶剂并涂布于所述耐热层上，使所述溶剂干燥而层叠所述粘接层的工序。

16、技术效果

17、根据本发明，无论在常温下还是高温下均能兼顾对被粘物的粘接性和粘接膜的尺寸保持性。

技术特征：

1.一种粘接膜，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的粘接膜，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的粘接膜，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘接膜，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘接膜，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的粘接膜，其特征在于，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的粘接膜，其特征在于，

8.一种粘接膜的制造方法，其特征在于，是权利要求1～7中任一项所述的粘接膜的制造方法，

9.一种粘接膜的制造方法，其特征在于，是权利要求1～7中任一项所述的粘接膜的制造方法，

10.一种粘接膜的制造方法，其特征在于，是权利要求1～7中任一项所述的粘接膜的制造方法，

11.一种粘接膜的制造方法，其特征在于，是权利要求1～7中任一项所述的粘接膜的制造方法，

技术总结本发明提供粘接膜及粘接膜的制造方法。该粘接膜（10）在耐热层（11）的至少一面具有粘接层（12），耐热层（11）以在单体单元中具有芳香环的热塑性树脂作为必要成分，耐热层（11）的载荷挠曲温度为100℃以上，粘接层（12）以亚胺改性聚烯烃树脂或具有碳二亚胺基的改性聚烯烃树脂作为必要成分。技术研发人员：武井邦浩,吉川悠以子,竹山俊辅受保护的技术使用者：藤森工业株式会社技术研发日：技术公布日：2024/8/27