探测基板及探测装置的制作方法

本公开涉及光电，特别是涉及一种探测基板及探测装置。

背景技术：

1、相关技术中的探测装置，可以将探测光束转换为可见光，然后在探测基板的感光器件作用下将可见光转换为电信号，最终通过探测基板的薄膜晶体管读取电信号并输出探测图像。感光器件包括光电二极管，以及形成在光电二极管两侧的第一电极和第二电极。

2、目前探测装置的偏压驱动一般通过探测基板的偏压总线搭接感光器件的第二电极进行偏压信号加载。但是，偏压总线在感光器件的第二电极上方布线搭接，会降低感光器件接收外界光线的面积，降低探测装置的填充率。

技术实现思路

1、本公开提供了一种探测基板，包括：衬底基板，以及设置在所述衬底基板一侧的探测区和非探测区，所述探测区包括多个探测单元，所述探测单元包括：

2、薄膜晶体管；

3、感光器件，位于所述薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧，包括依次层叠设置的第一电极、光电二极管以及第二电极，所述第一电极靠近所述薄膜晶体管设置，所述第一电极和所述第二电极分别与所述光电二极管连接，所述第一电极还与所述薄膜晶体管的第一极连接；

4、所述第二电极背离所述衬底基板的表面上设置有绝缘层，在所述绝缘层与所述第二电极之间无其它膜层设置，在所述衬底基板上的正投影中，位于所述探测单元内的绝缘层没有设置过孔。

5、在一些实施方式中，所述多个探测单元分别沿行方向和列方向阵列排布；并且

6、沿行方向和列方向排布的多个所述探测单元的第二电极相互连通为面状结构；或者

7、沿行方向和列方向排布的多个所述探测单元的第二电极相互连通为网格结构，相邻两个所述探测单元的第二电极之间通过至少一条连接线连接，相邻两条所述连接线之间相互分隔开设置。

8、在一些实施方式中，所述面状结构在所述衬底基板上的正投影整面覆盖所述探测区，且所述光电二极管在所述衬底基板上的正投影位于所述第二电极在所述衬底基板上的正投影范围内。

9、在一些实施方式中，设置在相邻两个所述探测单元的第二电极之间的连接线数量大于或等于2，且小于或等于5。

10、在一些实施方式中，所述第二电极与所述光电二极管在所述衬底基板上的正投影有交叠，所述探测区还包括：

11、扫描线，沿行方向延伸，与所述薄膜晶体管的栅极同层设置且相互连接；

12、数据线，沿列方向延伸，与所述薄膜晶体管的第二极同层设置且相互连接；以及

13、连通图案，与所述第二电极同层设置，且连接在相邻两个所述探测单元的第二电极之间，所述连通图案与所述光电二极管在所述衬底基板上的正投影无交叠，所述连通图案与所述扫描线或所述数据线在所述衬底基板上的正投影有交叠；并且

14、所述连通图案与所述衬底基板之间的距离，大于所述第二电极与所述衬底基板之间的距离。

15、在一些实施方式中，所述光电二极管包括中心部，以及环绕在所述中心部外围的边缘部，所述边缘部远离所述衬底基板的表面为斜面；

16、所述第二电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述中心部以及所述边缘部在所述衬底基板上的正投影。

17、在一些实施方式中，所述光电二极管包括中心部，以及环绕在所述中心部外围的边缘部，所述边缘部远离所述衬底基板的表面为斜面；

18、所述探测区还包括：透明导电层，设置在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述透明导电层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述边缘部在所述衬底基板上的正投影，所述透明导电层与所述中心部在所述衬底基板上的正投影无交叠。

19、在一些实施方式中，所述探测单元还包括：

20、遮挡图案，与所述第一电极同层且相互分隔开设置，所述遮挡图案在所述衬底基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影。

21、在一些实施方式中，所述非探测区包括：偏压总线，与所述第二电极连接，且与所述第二电极同层设置；

22、所述偏压总线为环绕所述探测区的闭合环状结构，所述偏压总线与靠近所述偏压总线的第二电极相互连接。

23、在一些实施方式中，所述探测区还包括：

24、缓冲层，设置在所述光电二极管与所述第二电极之间；以及

25、第一平坦层，设置在所述缓冲层与所述第二电极之间；

26、其中，所述第二电极与所述光电二极管远离所述衬底基板的表面通过设置在所述第一平坦层以及所述缓冲层上的过孔连接。

27、本公开提供了一种探测装置，包括：

28、如任一项所述的探测基板；以及

29、驱动组件，与所述偏压总线以及所述第一电极连接，用于向所述偏压总线提供偏压信号，并采集所述第一电极的电信号。

30、本公开提供的探测基板，由于位于第二电极上方的绝缘层在探测单元内没有设置过孔，因此，可以避免过孔导致的mura不良，从而降低工艺复杂度和难度，提升产品良率。

31、上述说明仅是本公开技术方案的概述，为了能够更清楚了解本公开的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本公开的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本公开的具体实施方式。

技术特征：

1.一种探测基板，包括：衬底基板，以及设置在所述衬底基板一侧的探测区和非探测区，所述探测区包括多个探测单元，所述探测单元包括：

2.根据权利要求1所述的探测基板，其中，所述多个探测单元分别沿行方向和列方向阵列排布；并且

3.根据权利要求2所述的探测基板，其中，所述面状结构在所述衬底基板上的正投影整面覆盖所述探测区，且所述光电二极管在所述衬底基板上的正投影位于所述第二电极在所述衬底基板上的正投影范围内。

4.根据权利要求2所述的探测基板，其中，设置在相邻两个所述探测单元的第二电极之间的连接线数量大于或等于2，且小于或等于5。

5.根据权利要求2所述的探测基板，其中，所述第二电极与所述光电二极管在所述衬底基板上的正投影有交叠，所述探测区还包括：

6.根据权利要求1至5任一项所述的探测基板，其中，所述光电二极管包括中心部，以及环绕在所述中心部外围的边缘部，所述边缘部远离所述衬底基板的表面为斜面；

7.根据权利要求1至5任一项所述的探测基板，其中，所述光电二极管包括中心部，以及环绕在所述中心部外围的边缘部，所述边缘部远离所述衬底基板的表面为斜面；

8.根据权利要求1至5任一项所述的探测基板，其中，所述探测单元还包括：

9.根据权利要求1至5任一项所述的探测基板，其中，所述非探测区包括：偏压总线，与所述第二电极连接，且与所述第二电极同层设置；

10.根据权利要求1至5任一项所述的探测基板，其中，所述探测区还包括：

11.一种探测装置，包括：

技术总结本公开提供了一种探测基板及探测装置，涉及光电技术领域，探测基板，包括：衬底基板，以及设置在衬底基板一侧的探测区和非探测区，探测区包括多个探测单元，探测单元包括：薄膜晶体管；感光器件，位于薄膜晶体管远离衬底基板的一侧，包括依次层叠设置的第一电极、光电二极管以及第二电极，第一电极靠近薄膜晶体管设置，第一电极和第二电极分别与光电二极管连接，第一电极还与薄膜晶体管的第一极连接；第二电极背离衬底基板的表面上设置有绝缘层，在绝缘层与第二电极之间无其它膜层设置，在衬底基板上的正投影中，位于探测单元内的绝缘层没有设置过孔。技术研发人员：王震,张鹏,张冠,吴申康,李晓东,马健,李良杰,刘琨,田露受保护的技术使用者：北京京东方光电科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/2