降低跑货风险的后段光刻返工方法与流程

本发明涉及半导体，特别是涉及一种降低跑货风险的后段光刻返工方法。

背景技术：

1、目前后段金属层和通孔层的制备采用双大马士革工艺，当完成了后段金属层的刻蚀后，需要尽快进行via(通孔)的光刻，如果等待时间过长，晶圆表面的材料即有可能和空气中的杂质反应，改变材料的性质。28nm以上工艺节点通孔采用tri-layer(三涂层)工艺，可以先涂一层soc(旋涂碳硬掩膜)避免此问题，而40nm及以后工艺节点通孔仍采用di-layer(双涂层)工艺，仍然有此风险。在40nm及以后工艺节点后段光刻的开发过程中，就有多批晶圆因为在通孔光刻等待时间太长而导致报废。

2、为解决上述问题，需要提出一种新型的降低跑货风险的后段光刻返工方法。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种降低跑货风险的后段光刻返工方法，用于解决现有技术中晶圆后段工艺中因为在光刻等待时间太长而导致报废的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种降低跑货风险的后段光刻返工方法，包括：

3、步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成有当层图形，所述当层图形上具有后段工艺中需返工的第一底部抗反射涂层和/或光刻胶层；

4、步骤二、去除所述当层图形上的所述第一底部抗反射涂层和/或光刻胶层；

5、步骤三、在所述当层图形上形成第二底部抗反射涂层，其符合距下一次光刻作业的安全时间；

6、步骤四、等待至所述下一次光刻作业时，去除所述第二底部抗反射涂层，之后进行光刻作业。

7、优选地，步骤一中的所述当层图形为刻蚀后的后段金属层，所述当层图形上还需形成通孔。

8、优选地，步骤一中的所述后段工艺中需返工的原因包括：所述当层图形的通孔光刻距下一次光刻作业的安全时间不足。

9、优选地，步骤一中的所述后段工艺中需返工的原因包括：所述当层图形在进行通孔光刻时只形成了所述第二底部抗反射涂层。

10、优选地，步骤一中的所述后段工艺中需返工的原因包括：所述当层图形在进行通孔光刻后继续形成了至少一层光刻胶层和/或抗反射涂层。

11、优选地，步骤一中的所述衬底上形成有集成电路器件；在所述衬底上形成有互连结构，其中，所述互连结构包括与所述集成电路器件连接的多个导电部件；所述当层图形位于最顶层的所述导电部件上。

12、优选地，步骤二中利用喷涂光刻胶稀释剂的方法去除所述当层图形上的所述第一底部抗反射涂层和/或光刻胶层。

13、优选地，步骤四中利用氧气作为刻蚀气体去除所述第二底部抗反射涂层。

14、优选地，步骤四中在去除所述第二底部抗反射涂层之后，还包括清洗残留杂质的步骤。

15、优选地，步骤四中利用氢氟酸清洗的方法去除所述残留杂质。

16、如上所述，本发明的降低跑货风险的后段光刻返工方法，具有以下有益效果：

17、本发明返工方法可以避免后段金属层刻蚀完等待时间太长晶圆报废的风险，同时将旋涂底部抗反射涂层与光刻返工相结合避免人为因素的干扰。光刻返工具有普适性，可以广泛应用于不同节点的后段光刻工艺，有利于统一光刻返工。

技术特征：

1.一种降低跑货风险的后段光刻返工方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的降低跑货风险的后段光刻返工方法，其特征在于：步骤一中的所述当层图形为刻蚀后的后段金属层，所述当层图形上还需形成通孔。

3.根据权利要求2所述的降低跑货风险的后段光刻返工方法，其特征在于：步骤一中的所述后段工艺中需返工的原因包括：所述当层图形的通孔光刻距下一次光刻作业的安全时间不足。

4.根据权利要求2所述的降低跑货风险的后段光刻返工方法，其特征在于：步骤一中的所述后段工艺中需返工的原因包括：所述当层图形在进行通孔光刻时只形成了所述第二底部抗反射涂层。

5.根据权利要求2所述的降低跑货风险的后段光刻返工方法，其特征在于：步骤一中的所述后段工艺中需返工的原因包括：所述当层图形在进行通孔光刻后继续形成了至少一层光刻胶层和/或抗反射涂层。

6.根据权利要求1所述的降低跑货风险的后段光刻返工方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底上形成有集成电路器件；在所述衬底上形成有互连结构，其中，所述互连结构包括与所述集成电路器件连接的多个导电部件；所述当层图形位于最顶层的所述导电部件上。

7.根据权利要求1所述的降低跑货风险的后段光刻返工方法，其特征在于：步骤二中利用喷涂光刻胶稀释剂的方法去除所述当层图形上的所述第一底部抗反射涂层和/或光刻胶层。

8.根据权利要求1所述的降低跑货风险的后段光刻返工方法，其特征在于：步骤四中利用氧气作为刻蚀气体去除所述第二底部抗反射涂层。

9.根据权利要求1所述的降低跑货风险的后段光刻返工方法，其特征在于：步骤四中在去除所述第二底部抗反射涂层之后，还包括清洗残留杂质的步骤。

10.根据权利要求9所述的降低跑货风险的后段光刻返工方法，其特征在于：步骤四中利用氢氟酸清洗的方法去除所述残留杂质。

技术总结本发明提供一种降低跑货风险的后段光刻返工方法，提供衬底，在衬底上形成有当层图形，当层图形上具有后段工艺中需返工的第一底部抗反射涂层和/或光刻胶层；去除当层图形上的第一底部抗反射涂层和/或光刻胶层；在当层图形上形成第二底部抗反射涂层，其符合距下一次光刻作业的安全时间；等待至下一次光刻作业时，去除第二底部抗反射涂层，之后进行光刻作业。本发明返工方法可以避免后段金属层刻蚀完等待时间太长晶圆报废的风险，同时将旋涂底部抗反射涂层与光刻返工相结合避免人为因素的干扰。光刻返工具有普适性，可以广泛应用于不同节点的后段光刻工艺，有利于统一光刻返工。技术研发人员：曹伟受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/9