发光元件的制造方法及发光元件

本发明涉及一种由gan基半导体构成的发光元件的制造方法及发光元件。

背景技术：

1、作为由gan基半导体构成的发光二极管等发光元件，已知包括具有量子阱结构的由ingan构成的发光层的发光元件。

2、ingan是gan和inn的混晶，能够通过调节其组成比而改变带隙能量，由此能够控制发光波长。然而现状是：虽然已经在蓝色区域实现了高发光效率，但在除此以外的区域发光效率极低。

3、作为提高发光效率的方法，已有人提出了利用表面等离激元共振的方法(非专利文献1)。该方法是在ingan发光层的附近隔着gan层(覆盖层)形成金属薄膜的方法，在ingan发光层内产生的电子空穴对通过复合而发光时，与在金属薄膜与gan层之间的界面产生的表面等离激元产生共振，由此发光速度增加，从而发光效率提高。

4、非专利文献1：applied physics letters，87卷，7110，第2页，2005年

技术实现思路

1、－发明要解决的技术问题－

2、利用表面等离激元共振的方法存在这样的技术问题：由于来自发光层的光被金属薄膜吸收，因此光损失大，并且没有适用于绿色区域的金属材料。

3、本发明正是为解决上述技术问题而完成的，其目的在于：针对由gan基半导体构成的发光元件，提供一种能够提高发光效率的发光元件的制造方法及发光元件。

4、－用以解决技术问题的技术方案－

5、本发明所涉及的发光元件的制造方法为由gan基半导体构成的发光元件的制造方法，所述发光元件的制造方法包括：在衬底上形成具有量子阱结构的发光层的步骤；在发光层上形成由gan构成的覆盖层的步骤；以及在覆盖层上形成氧化膜的步骤，氧化膜由能够扩散并侵入ga空穴中的元素的氧化物构成，该ga空穴存在于由gan构成的覆盖层内。

6、本发明所涉及的发光元件为由gan基半导体构成的发光元件，所述发光元件包括：具有量子阱结构的发光层；形成在发光层上的由gan构成的覆盖层；以及形成在覆盖层上的zno膜。

7、－发明的效果－

8、根据本发明，针对由gan基半导体构成的发光元件，能够提供一种能够提高发光效率的发光元件的制造方法及发光元件。

技术特征：

1.一种发光元件的制造方法，其为由gan基半导体构成的发光元件的制造方法，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于：

7.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于：

8.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于：

9.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于：

10.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于：

11.根据权利要求6所述的发光元件的制造方法，其特征在于：

12.一种发光元件，其为由gan基半导体构成的发光元件，其特征在于：

13.根据权利要求12所述的发光元件，其特征在于：

14.根据权利要求12所述的发光元件，其特征在于：

15.根据权利要求12所述的发光元件，其特征在于：

16.根据权利要求12所述的发光元件，其特征在于：

17.根据权利要求12所述的发光元件，其特征在于：

18.根据权利要求17所述的发光元件，其特征在于：

技术总结一种由GaN基半导体构成的发光元件的制造方法，包括：在衬底(10)上形成具有量子阱结构的发光层(12)的步骤；在发光层上形成由GaN构成的覆盖层(13)的步骤；以及在覆盖层上形成氧化膜(14)的步骤。氧化膜由能够扩散并侵入到Ga空穴中的元素的氧化物构成，该Ga空穴存在于由GaN构成的所述覆盖层内。技术研发人员：冈本晃一,垣内晴也,松山哲也,和田健司,川上养一,船戸充受保护的技术使用者：公立大学法人大阪技术研发日：技术公布日：2024/9/9