包括量子点的发光装置和包括发光装置的电子设备的制作方法

本公开涉及包括量子点的发光装置和包括该发光装置的电子设备。

背景技术：

1、量子点可用作在光学构件和各种电子设备中执行各种光学功能(例如，光转换功能和发光功能等)的材料。量子点(其为具有量子限制效应的半导体纳米晶体)通过控制纳米晶体的尺寸和组成可具有不同的能带隙，并且因此可发射各种发射波长的光。

2、包括这种量子点的光学构件可具有薄膜(例如，针对每个子像素图案化的薄膜)的形式。这种光学构件可用作包括各种光源的装置的颜色转换构件。

3、量子点可在各种电子设备中用于各种目的。例如，量子点可用作发射体。例如，量子点可包括在包含一对电极和发射层的发光装置的发射层中，并且可用作发射体。

4、目前，为了实施高清晰度光学构件和电子设备，需要开发发射具有490nm或更小的最大发射波长的蓝光、具有高光致发光量子产率(plqy)并且不包含作为有毒元素的镉的量子点。

技术实现思路

1、技术问题

2、一个或多个实施方式涉及包括量子点的发光装置和包括该发光装置的电子设备。

3、技术方案

4、根据一个或多个实施方式，发光装置包括：

5、第一电极，

6、面向第一电极的第二电极，以及

7、位于第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中：

8、发射层包括第一量子点和第二量子点，

9、第一量子点的能带隙大于第二量子点的能带隙，并且

10、第一量子点发射可见光区的一部分波长区的光。

11、根据一个或多个实施方式，电子设备包括发光装置。

12、有益效果

13、因为本公开的发光装置包括发射层，该发射层包括具有不同能带隙的两个或更多个量子点，所以可改善发射层的电荷注入特性，从而改善发光装置的发光效率。

技术特征：

1.一种发光装置，包括：

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中从所述第二量子点发射的发光组分为从所述发射层发射的总发光组分的10％或更小。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一量子点的所述能带隙为2.8ev或更小。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一量子点的所述能带隙和所述第二量子点的所述能带隙之间的差为0.01ev或更大。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一量子点和所述第二量子点各自独立地包括第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第iii-vi族半导体化合物、第i-iii-vi族半导体化合物、第iv-vi族半导体化合物、第iv族元素或化合物或者其任何组合。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其中

7.根据权利要求6所述的发光装置，其中所述核包括：第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；或其任何组合。

8.根据权利要求6所述的发光装置，其中所述核包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste、gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb或其任何组合。

9.根据权利要求6所述的发光装置，其中所述壳包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、znses、zntes、gaas、gap、gan、gao、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ins、inznp、inzns、ingap、ingan、insb、alas、alp、alsb、pbs、tio、srse或其任何组合。

10.根据权利要求1所述的发光装置，其中：

11.根据权利要求1所述的发光装置，其中

12.根据权利要求11所述的发光装置，其中：

13.根据权利要求1所述的发光装置，其中：

14.根据权利要求13所述的发光装置，其中所述第一量子点的所述核的尺寸小于所述第二量子点的所述核的尺寸。

15.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一量子点的量大于所述第二量子点的量。

16.根据权利要求1所述的发光装置，其中：

17.根据权利要求16所述的发光装置，其中：

18.一种电子设备，包括根据权利要求1至17中任一项所述的发光装置。

19.根据权利要求18所述的电子设备，进一步包括：

20.根据权利要求18所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。

技术总结本申请提供了发光装置和包括该发光装置的电子设备。发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及位于第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中发射层包括第一量子点和第二量子点，第一量子点的能带隙大于第二量子点的能带隙，并且第一量子点发射可见光区的一部分波长区的光。技术研发人员：郑然九,高崙赫,韩昌烈受保护的技术使用者：三星显示有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/2