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数据结构、存储数据的纠错方法、模块、系统以及器件与流程

  • 国知局
  • 2024-09-14 14:59:38

本申请涉及数据处理,更具体地,涉及一种数据结构、存储数据的纠错方法、模块、系统以及器件。

背景技术:

1、存储模块用于存储数据,存储模块的可靠性对于确保存储数据的稳定性,以及依赖存储数据进行工作的器件的稳定性至关重要。

2、然而,存储模块在部分极端条件下,如高温、工作电压不稳定或射线干扰等,会导致存储模块的数据保持力(data retention)急剧下降,从而影响存储模块的产品寿命,导致数据错误。

技术实现思路

1、鉴于上述问题,本发明提出了一种数据结构、存储数据的纠错方法、模块、系统以及器件。

2、第一方面,本申请实施例提供了一种数据结构,该数据结构包括:第一位流数据和第二位流数据;其中,第一位流数据包括第一校验区域;第二位流数据包括第二校验区域;其中,第一校验区域用于在第二校验区域校验失败且第一校验区域校验成功时,更新第二校验区域;第二校验区域用于在第一校验区域校验失败且第二校验区域校验成功时,更新第一校验区域。

3、第二方面,本申请实施例还提供了一种存储数据的纠错方法,存储数据存储于存储模块,存储数据采用如上述第一方面的数据结构;该纠错方法包括:周期性发起自检和纠错,分别获取第一位流数据的第一校验区域和第二位流数据的第二校验区域对应的数据;分别对第一校验区域和第二校验区域对应的数据进行校验;将第一校验区域和第二校验区域中,校验成功的区域作为目标校验区域,校验失败的区域作为待纠错区域;采用目标校验区域的数据更新待纠错区域的数据。

4、第三方面,本申请实施例还提供了一种存储数据的纠错模块,该存储数据存储于存储模块,该存储数据采用如上述第一方面的数据结构;该纠错模块包括:存储单元、校验单元以及更新单元;其中,存储单元用于存储获取的第一位流数据的第一校验区域和第二位流数据的第二校验区域对应的数据;校验单元用于分别对第一校验区域和第二校验区域对应的数据进行校验;将第一校验区域和第二校验区域中,校验成功的区域作为目标校验区域,校验失败的区域作为待纠错区域;更新单元用于采用目标校验区域的数据更新待纠错区域的数据。

5、第四方面,本申请实施例还提供了一种存储数据的纠错系统,该纠错系统包括:控制模块以及如上述第三方面的存储数据的纠错模块;控制模块用于根据控制指令控制纠错模块进行工作。

6、第五方面,本申请实施例还提供了一种可编程逻辑器件,包括上述第一方面的存储数据的纠错模块以及存储模块;其中,存储模块用于存储采用如上述第一方面的数据结构的存储数据。

7、本发明提供的技术方案,提供的数据结构包括:第一位流数据和第二位流数据,第一位流数据包括第一校验区域;第二位流数据包括第二校验区域;第一校验区域用于在第二校验区域校验失败且第一校验区域校验成功时,更新第二校验区域;第二校验区域用于在第一校验区域校验失败且第二校验区域校验成功时,更新第一校验区域,从而,可以及时通过周期性检错,并对互为备份的校验区域进行纠错,保护存储数据的安全,降低数据存储过程中出现错误的概率,提高存储数据的安全性和稳定性。

技术特征:

1.一种数据结构,其特征在于,所述数据结构包括:

2.根据权利要求1所述的数据结构,其特征在于,所述第一位流数据还包括第一头部区域,所述第二位流数据还包括第二头部区域;其中,所述第一位流数据的地址在所述第二位流数据的地址之前;所述第一头部区域包括跳转指令,所述跳转指令用于在被首次加载时,跳转至所述第二头部区域。

3.一种存储数据的纠错方法,其特征在于,所述存储数据存储于存储模块,所述存储数据采用如权利要求1所述的数据结构;所述纠错方法包括:

4.根据权利要求3所述的纠错方法,其特征在于,所述采用所述目标校验区域的数据更新所述待纠错区域的数据,包括:

5.根据权利要求3所述的纠错方法,其特征在于,所述纠错方法还包括:

6.根据权利要求3所述的纠错方法,其特征在于,所述第一位流数据还包括第一固定区域,所述第二位流数据还包括第二固定区域;所述纠错方法还包括:

7.根据权利要求6所述的纠错方法,其特征在于,所述纠错方法还包括:

8.一种存储数据的纠错模块,其特征在于,所述存储数据存储于存储模块,所述存储数据采用如权利要求1所述的数据结构;所述纠错模块包括:

9.一种存储数据的纠错系统,其特征在于,所述纠错系统包括:

10.一种可编程逻辑器件,其特征在于,包括权利要求8所述的存储数据的纠错模块以及存储模块;其中,所述存储模块用于存储采用如权利要求1所述的数据结构的存储数据。

技术总结本申请公开了一种数据结构、存储数据的纠错方法、模块、系统以及器件,其中,数据结构包括:第一位流数据和第二位流数据,第一位流数据包括第一校验区域;第二位流数据包括第二校验区域;第一校验区域用于在第二校验区域校验失败且第一校验区域校验成功时,更新第二校验区域;第二校验区域用于在第一校验区域校验失败且第二校验区域校验成功时,更新第一校验区域,从而,可以及时通过周期性检错,并对互为备份的校验区域进行纠错,保护存储数据的安全,降低数据存储过程中出现错误的概率,提高存储数据的安全性和稳定性。技术研发人员:包朝伟,彭祥吉,项圣文,李笛康受保护的技术使用者:深圳市紫光同创电子有限公司技术研发日:技术公布日:2024/9/12

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