一种TOPCon太阳能电池的制备方法与流程

本发明涉及光伏，尤其涉及一种topcon太阳能电池的制备方法。

背景技术：

1、topcon(tunnel oxide passivation contact)电池全称为隧穿氧化钝化接触电池，其核心在于背面超薄的隧穿氧化层以及掺杂的多晶硅层，隧穿氧化层和掺杂多晶硅层共同形成钝化接触结构，该结构不仅利用超薄氧化硅层(siox)层提供有效的化学钝化，同时通过掺杂多晶硅层与硅基底之间势能差实现了良好的场效应钝化，该结构还通过能带弯曲使得多数载流子穿过氧化层，对少数载流子起阻挡作用，有效地实现了载流子的选择通过性，从而极大地降低了少数载流子的复合，提高了topcon电池的效率。

2、在topcon太阳能电池制备工艺的去bsg工序中，由于硼扩后膜后偏侯，致密性强，为保证bsg去除干净和充分反应，故去bsg工序设有槽a、槽b两个酸槽，工艺过程控制槽a中hf酸浓度25%左右，槽b中hf酸浓度20%左右，现有技术中是槽a、槽b两个独立的酸槽，hf酸在槽中反应后经过定排和换液排出槽体，造成了酸耗增加，进而提高了生产成本。

技术实现思路

1、本发明目的在于提供一种topcon太阳能电池的制备方法，将槽a中的hf酸排入副槽中，再补液至槽b中二次使用降低bsg工序中hf酸的耗量，进而降低生产成本，以达到解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

3、一种topcon太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：

4、s1、制绒：n型硅片在加热的碱性溶液中进行各向异性腐蚀，形成微米级金字塔绒面；

5、s2、前硼扩散：n型硅扩散硼源，形成重要的pn结；

6、s3、后硼扩散：扩散炉中通入bci3源进行一定时间的高温扩散，在n型硅片表面形成p+掺杂；

7、s4、去bsg&碱抛腐蚀：利用20%～25%浓度的酸液与硅片背面发生化学反应，从而刻蚀掉背面的bsg，在该工序中，共设有两个用于化学反应的槽a与槽b，从而保证去除干净bsg，此外还设有一个副槽，槽a中的hf酸在反应后通过定排到独立的副槽中，再通过泵将副槽中的hf酸打入槽b使用，这样槽b就不需要从外围消耗hf酸，从而降低酸耗；

8、再利用碱的腐蚀作用，在硅片背面进行抛光刻蚀；

9、s5、lpcvd：氧气和硅在低压高温环境下反应生产sio2，sih4在低压高温环境下通热分解成si和h2，形成非晶硅层；

10、s6、磷扩：pocl3源进行一定时间的高温扩散，在多晶硅薄膜上进行磷掺杂；

11、s7、psg/正刻：利用一定浓度的酸液与硅片背面发生化学反应，从而刻蚀掉边结；

12、利用碱的腐蚀作用，去除正表面的多晶硅薄膜；

13、s8、ald：在炉管中通入tma、臭氧利用ald，即原子层沉积方式生长alox薄膜；

14、s9、正背膜sinx：利用pecvd方式將炉管中通入的sih4、nh3进行电离分解反应，生长sinx减反射薄膜。

15、本发明的进一步技术方案是，槽a上设有补酸第一管道，槽a的底端通过第二管道连接于副槽顶端，副槽底部通过第三管道连接于槽b底部，且第三管道上连接有泵。

16、本发明的进一步技术方案是，第三管道上连接有过滤器，防止颗粒物质进入槽b。

17、本发明的另一种技术方案是：

18、一种topcon太阳能电池，由上述的topcon太阳能电池的制备方法制备得到。

19、本发明的有益效果：

20、本发明的topcon太阳能电池的制备方法，原有槽b中hf酸通过外围自补补入槽中，自补耗量约1.5l/万片，而本发明将槽a中的hf酸排入副槽中，再补液至槽b中二次使用降低bsg工序中hf酸的耗量1.5l/万片，进而降低生产成本。

21、本发明的topcon太阳能电池的制备方法，在副槽与槽b的路径上安装一个过滤器，防止颗粒物质进入槽b。

技术特征：

1.一种topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述槽a（1）上设有补酸第一管道（4），槽a（1）的底端通过第二管道（5）连接于副槽（3）顶端，副槽（3）底部通过第三管道（6）连接于槽b（2）底部，且第三管道（6）上连接有泵（7）。

3.如权利要求2所述的一种topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述第三管道（6）上连接有过滤器（8），防止颗粒物质进入槽b（2）。

4.一种topcon太阳能电池，由权利要求1-3中任一项所述的topcon太阳能电池的制备方法制备得到。

技术总结本发明公开了一种TOPCon太阳能电池的制备方法，S4、去BSG&碱抛腐蚀：利用20%～25%浓度的酸液与硅片背面发生化学反应，从而刻蚀掉背面的BSG，在该工序中，共设有两个用于化学反应的槽A与槽B，从而保证去除干净BSG，此外还设有一个副槽，槽A中的HF酸在反应后通过定排到独立的副槽中，再通过泵将副槽中的HF酸打入槽B使用，这样槽B就不需要从外围消耗HF酸，从而降低酸耗；再利用碱的腐蚀作用，在硅片背面进行抛光刻蚀。与现有技术相比，本发明将槽A中的HF酸排入副槽中，再补液至槽B中二次使用降低BSG工序中HF酸的耗量，进而降低生产成本。技术研发人员：赵祥,潘增宇受保护的技术使用者：淮安捷泰新能源科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/10