一种MEMS扬声器的制作方法

本发明涉及mems发声，尤其是一种mems扬声器。

背景技术：

1、mems发声芯片技术是让扬声器的发声方式突破传统的电-声转换技术，通过mems+dsr技术，声波将被像素化，最终实现在发声端的数字化。mems发声芯片具有全频谱、高保真、低功耗、高效率等功能，可以用更小的尺寸从整体到细节实现声音的完美播放，改变传统扬声器的发声原理。

2、mems扬声器在使用过程中，会在高频段产生噪声，特别是50khz，100khz和150khz附近产生尖锐的脉冲噪音，高频段的噪声能量会对其它电子芯片产生干扰，从而影响mems芯片的兼容性；而现有技术中还不存在抑制mems扬声器的高频段噪声的解决方案。

3、鉴于此，为了提升mems芯片的兼容性，需要设计一种新的降噪结构，以解决现有技术中mems扬声器的高频段噪声干扰其它电子芯片的问题。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种mems扬声器，用于解决现有技术中mems扬声器的高频段噪声干扰其它电子芯片的问题。

2、为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

3、本发明提供一种mems扬声器，至少可以包括：

4、底板、mems扬声器本体、吸声组件以及保护罩；

5、所述mems扬声器本体设置在所述底板上，所述吸声组件贴附于所述mems扬声器本体的发声侧；所述吸声组件用于滤除驱动所述mems扬声器时产生的高频段噪声；所述吸声组件包括材质为超声吸声材料的多个目标组件；

6、所述保护罩设置在所述底板上，且所述保护罩与所述底板形成容纳空间；所述吸声组件以及所述mems扬声器本体均位于所述容纳空间内；所述保护罩用于对所述mems扬声器以及吸声组件进行安全防护，所述保护罩上设置有多个声孔。

7、与现有技术相比，本发明提供的一种mems扬声器，通过设置底板、mems扬声器本体、吸声组件以及保护罩；将mems扬声器本体设置在底板上，将吸声组件贴附于所述mems扬声器本体的发声侧；该吸声组件用于滤除驱动所述mems扬声器时产生的高频段噪声；吸声组件包括材质为超声吸声材料的多个目标组件；将保护罩设置在底板上，且该保护罩与底板形成容纳空间；吸声组件以及mems扬声器本体均位于该容纳空间内；保护罩用于对mems扬声器以及吸声组件进行安全防护，保护罩上还设置有多个声孔；基于此，实现了利用吸声组件对mems扬声器产生的高频段噪声的滤除，避免了mems扬声器产生的高频段噪声干扰其它电子芯片,提升了mems扬声器的兼容性。

技术特征：

1.一种mems扬声器，其特征在于，至少包括：

2.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于，多个所述目标组件包括多个扩张管；所述扩张管为至少一个单腔扩张管或一个多腔扩张管。

3.如权利要求2所述的扬声器，其特征在于，所述扩张管包括管壁为空腔结构的管道；

4.如权利要求3所述的扬声器，其特征在于，所述矩形结构的横截面的x方向的管厚度为第一厚度，y方向的管长度为第一长度，z方向的管宽度为第一宽度；其中，所述第一长度等于所述第一宽度，所述第一厚度小于所述第一长度。

5.如权利要求3所述的扬声器，其特征在于，所述凹形结构的嵌入宽度为第二宽度，嵌入深度为第一深度，空腔深度为第二深度；所述第二宽度小于第一厚度的二分之一。

6.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于，多个所述目标组件包括多个穿孔板，所述吸声组件还包括连接多个所述穿孔板的固定框；

7.如权利要求6所述的扬声器，其特征在于，多个所述穿孔板上包括贯穿于所述穿孔板的多个孔状结构，多个所述孔状结构按照预设间距均匀分布在所述穿孔板上。

8.如权利要求7所述的扬声器，其特征在于，所述吸声组件包括第一吸声组件，所述固定框包括第一固定框架结构，多个所述穿孔板包括第一穿孔板和第二穿孔板；

9.如权利要求8所述的扬声器，其特征在于，所述第一穿孔板和第二穿孔板的厚度相同。

10.如权利要求7所述的扬声器，其特征在于，所述吸声组件包括第二吸声组件，所述固定框包括第二固定框架结构，多个所述穿孔板为第三穿孔板、第四穿孔板、第五穿孔板和第六穿孔板；

技术总结本发明公开一种MEMS扬声器，涉及MEMS发声技术领域，以解决现有技术中MEMS扬声器的高频段噪声干扰其它电子芯片的问题。设备至少包括：底板、MEMS扬声器本体、吸声组件以及保护罩；MEMS扬声器本体设置在底板上，吸声组件贴附于MEMS扬声器本体的发声侧；吸声组件用于滤除驱动MEMS扬声器时产生的高频段噪声；吸声组件包括材质为超声吸声材料的多个目标组件；保护罩设置在底板上，且保护罩与底板形成容纳空间；吸声组件以及MEMS扬声器本体均位于该容纳空间内；保护罩用于对MEMS扬声器以及吸声组件进行安全防护，保护罩上设置有多个声孔；实现了利用吸声组件对MEMS扬声器产生的高频段噪声的滤除，避免了MEMS扬声器产生的高频段噪声干扰其它电子芯片,提升了兼容性。技术研发人员：刘长华,赵静,陈偲,符友军,谢海圣,马逢伯,胡舒怡受保护的技术使用者：地球山（苏州）微电子科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/10