TOPCon电池的电阻校准结构及其制作方法与流程

本申请涉及量测校准，具体而言，涉及一种topcon电池的电阻校准结构、其制作方法及topcon电池的电阻测试系统。

背景技术：

1、topcon电池，即tunnel oxide passivated contact(隧道氧化层钝化接触)电池，是一种新型钝化接触技术。当前在制备topcon电池时，增加了扩散工艺，以在衬底上形成扩散层。目前产线测试扩散工艺后结构的电阻通常采用四探针法测试，测试原理为：电流从两个电流探针的探针1流出，从探针2流回，由于pn结的阻挡作用，只能在扩散层通过。

2、而由于四探针电阻测试仪是由探针直接接触扩散工艺后的衬底表面，探针会出现老化、磨损等问题，所以四探针电阻测试仪需要频繁维护保养，维护保养后则需要进行电阻测试校准，以保证维护前后测试数据的统一性和准确性。日常校准过程中需要使用扩散工艺后的衬底作为标片，至少重复3次以上测量以保证其校准的准确性，但是同一片扩散工艺后标片多次测量后，探针会扎穿pn结，直接接触衬底，这样从探针1流出的电流就不只是在衬底表面上的扩散层通过，还会进入到扩散层以下的衬底内，从而使测量结果不准确。因此，使用扩散工艺后的topcon半成品结构作为topcon电池的电阻测试设备的校准标片，会使校准的电阻测试基准值不准确，而且会随工艺的调整而非控性变动。

技术实现思路

1、本申请的主要目的在于提供一种topcon电池的电阻校准结构、其制作方法及topcon电池的电阻测试系统，以至少解决现有技术中topcon电池的电阻校准结构在校准过程中容易损坏，造成topcon电池的电阻测试设备的校准结果不准确的问题。

2、为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种topcon电池的电阻校准结构，包括：衬底；扩散层，位于所述衬底上，所述衬底与所述扩散层的掺杂类型不同；多个重掺杂区域，间隔地位于所述扩散层中，且各所述重掺杂区域远离所述衬底的表面与所述扩散层远离所述衬底的表面平齐，所述重掺杂区域的掺杂浓度大于所述扩散层的掺杂浓度；氧化层，位于所述扩散层远离所述衬底的表面上，所述氧化层远离所述扩散层的表面具有多个测试标识区，所述测试标识区在所述衬底上的正投影一一对应地位于所述重掺杂区域在所述衬底上的正投影中。

3、可选地，所述扩散层包括硼扩散层，所述衬底包括n型硅衬底。

4、可选地，所述氧化层的厚度为80nm～100nm。

5、可选地，所述测试标识区的数量大于或等于4。

6、可选地，所述重掺杂区域为边长为10～30mm的正方形。

7、根据本申请的另一方面，提供了一种所述的topcon电池的电阻校准结构的制作方法，包括：提供预备衬底；通过扩散工艺，将所述预备衬底的表面转换为扩散层，剩余的所述预备衬底形成衬底，所述衬底与所述扩散层的掺杂类型不同；在所述扩散层中形成间隔设置的多个重掺杂区域，多个所述重掺杂区域从所述扩散层远离所述衬底的表面伸入至所述扩散层中，所述重掺杂区域的掺杂浓度大于所述扩散层的掺杂浓度；在所述扩散层远离所述衬底的表面上形成氧化层，所述氧化层远离所述扩散层的表面具有多个测试标识区，所述测试标识区在所述衬底上的正投影一一对应地位于所述重掺杂区域在所述衬底上的正投影中。

8、可选地，在所述扩散层中形成间隔设置的多个重掺杂区域，包括：通过激光掺杂工艺，形成多个从所述扩散层远离所述衬底的表面伸入至所述扩散层中的所述重掺杂区域。

9、可选地，提供预备衬底，包括：提供n型硅衬底，通过扩散工艺，将所述预备衬底的表面转换为扩散层，包括：采用硼扩散工艺处理所述预备衬底，以形成叠置的所述衬底与所述扩散层。

10、可选地，在所述扩散层远离所述衬底的表面上形成氧化层，包括：在预定温度范围内，对所述扩散层远离所述衬底的表面进行氧化，得到所述氧化层。

11、可选地，在预定温度范围内，对所述扩散层远离所述衬底的表面进行氧化，得到所述氧化层，包括：将形成有所述扩散层的所述衬底置于氧化设备中，控制所述氧化设备内的温度为1040℃～1050℃，并向所述氧化设备中持续通入20000sccm～28000sccm的氧气，持续时长为30min～35min。

12、根据本申请的再一方面，提供了一种topcon电池的电阻测试系统，包括：任一种所述的topcon电池的电阻校准结构；四探针电阻测试设备，所述四探针电阻测试设备采用所述电阻校准结构进行校准。

13、采用本申请的技术方案，衬底、扩散层以及氧化层依次叠置，多个重掺杂区域间隔位于所述扩散层中且与氧化层接触，重掺杂区域与氧化层的测试标识区一一对应。本申请通过在扩散层的表面形成氧化层，氧化层对扩散层可以起到保护作用，从而缓解了电阻测试设备的探针扎穿扩散层导致的校准数据不准确的问题，保证了电阻校准结构的稳定性较高。并且，由于增加氧化层后电阻校准结构的电阻会增大，本申请通过在扩散层中形成与测试标识区一一对应的高掺杂区域，电阻测试设备通过测试标识区对电阻校准结构进行电阻测试时，与测试标识区对应的高掺杂区域可以起到降低电阻校准结构的电阻值的作用，使得本申请的电阻校准结构的电阻值与扩散工艺后结构的电阻值接近，保证了电阻校准结构的精度较高，从而进一步地避免了校准数据不准确的问题。

技术特征：

1.一种topcon电池的电阻校准结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电阻校准结构，其特征在于，所述扩散层包括硼扩散层，所述衬底包括n型硅衬底。

3.根据权利要求1所述的电阻校准结构，其特征在于，所述氧化层的厚度为80nm～100nm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电阻校准结构，其特征在于，所述测试标识区的数量大于或等于4。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的电阻校准结构，其特征在于，所述重掺杂区域为边长为10～30mm的正方形。

6.一种权利要求1至5中任一项所述的topcon电池的电阻校准结构的制作方法，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述扩散层中形成间隔设置的多个重掺杂区域，包括：

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述扩散层远离所述衬底的表面上形成氧化层，包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在预定温度范围内，对所述扩散层远离所述衬底的表面进行氧化，得到所述氧化层，包括：

11.一种topcon电池的电阻测试系统，其特征在于，包括：

技术总结本申请提供了一种TOPCon电池的电阻校准结构及其制作方法。该TOPCon电池的电阻校准结构包括：衬底；扩散层，位于衬底上，衬底与扩散层的掺杂类型不同；多个重掺杂区域，间隔地位于扩散层中，且各重掺杂区域远离衬底的表面与扩散层远离衬底的表面平齐，重掺杂区域的掺杂浓度大于扩散层的掺杂浓度；氧化层，位于扩散层远离衬底的表面上，氧化层远离扩散层的表面具有多个测试标识区，测试标识区在衬底上的正投影一一对应地位于重掺杂区域在衬底上的正投影中。本申请解决了现有技术中TOPCon电池的电阻校准结构在校准过程中容易损坏，造成TOPCon电池的电阻测试设备的校准结果不准确的问题。技术研发人员：潘玉臻,胡克喜,王邦象,孙俊杰受保护的技术使用者：四川东磁新能源科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/10