一种高良率反极性LED芯片制造方法与流程

本申请涉及芯片制造，尤其涉及一种高良率反极性led芯片制造方法。

背景技术：

1、led(light-emitting diode，发光二极管)是一种能将电能转化为光能的半导体电子元件，随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明，而光学光刻技术在这种趋势中的作用是至关重要的。光刻技术的进步使得器件的关键线宽不断缩减。在生产加工过程中，光刻版需要频繁的使用。然而，由于光刻版材质比较容易受损伤，进而影响其使用寿命和性能，同时也会影响曝光图形的质量。

2、专利cn1111487844a公开了一种光刻版表面损伤修复溶液，是使用包括重铬酸钾、水溶性铬盐、浓硫酸和水的溶液将损伤的光刻版进行超声加热并浸泡的方法，上述方法所使用的修复溶液中含有危险性较强的浓硫酸，且需要使用超声配合加热使用，工步繁琐，耗时极高，效率较低。而且此种方法虽然起到了修复表面的作用，但势必会降低光刻版的原始使用寿命。因此，开发一种能够在源头上有效防止光刻版在曝光过程中受到硌伤的方法，对于提高光刻版的使用寿命和稳定性、保障生产效率和产品质量具有重要意义。

技术实现思路

1、本申请提供了一种高良率反极性led芯片制造方法，用以解决上述技术问题。

2、本申请提供了一种高良率反极性led芯片制造方法，所述方法包括以下步骤：

3、步骤s1：晶片键合：将生长完键合层待键合的临时砷化镓衬底晶片与待键合的永久硅衬底晶片贴片后放入自动键合机中键合；

4、步骤s2：去除临时砷化镓基衬底：将步骤s1中键合完成的晶片放入腐蚀液中去除临时砷化镓基衬底；

5、步骤s3：黏性膜粘附及刀片刮除：将步骤s2处理完成的晶片能明显看到晶片边缘黏附有凸起的高于晶片表平面的固体硬物，将步骤s2处理完成的晶片吸附在真空吸盘上进行多次黏性膜粘附以除去表面部分黏附不牢的凸起物，随后用刀片刮除黏性膜粘附不掉的其他凸起物；

6、步骤s4：蓝膜粘附：使用蓝膜粘附步骤s3处理完成的晶片表面，以去除落在晶片表面的刀片刮除过程中产生的粉尘；

7、步骤s5：甩胶曝光显影工艺：将步骤s4处理完成的晶片依次进行甩胶、曝光、显影以得到需要的图形；

8、步骤s6：晶片及光刻版检查：将步骤s5处理完成的晶片及曝光用光刻版进行卤素灯下检查，晶片表面干净整洁，光刻版无任何硌伤印迹。

9、在本申请的一种实现方式中，所述步骤s1中，所述的生长完键合层待键合的临时砷化镓衬底晶片最表层键合层为金，生长完键合层待键合的永久硅衬底晶片最表层键合层为金或者铟。

10、在本申请的一种实现方式中，所述步骤s1中，所述的自动键合机压力为2000kg，温度为200摄氏度，时间为25min。

11、在本申请的一种实现方式中，所述步骤s2中，所述的腐蚀液为氟化铵、双氧水、水的混合溶液。

12、在本申请的一种实现方式中，所述步骤s2中，处理完成的晶片边缘凸起的高于晶片表平面的固体硬物经sem分析为键合层中流出的金属铟凝结而成，且高度大于曝光间隙。

13、在本申请的一种实现方式中，所述步骤s3中，所述的黏性膜的粘性剥离度为3000mn/20mm。

14、在本申请的一种实现方式中，所述步骤s3中，刀片刮除黏性膜粘附不掉的其他凸起物时，刀片角度与晶片表平面呈45°角。

15、在本申请的一种实现方式中，所述步骤s4中，所述的蓝膜粘性剥离度为1000mn/20mm。

16、在本申请的一种实现方式中，所述步骤s5中，甩胶胶厚为曝光间隙的1/20至1/15，曝光采用接近式曝光。

17、本申请提供的一种高良率反极性led芯片制造方法，通过高达3000mn/20mm粘性剥离度的黏性膜可以粘附掉大部分可能导致光刻版硌伤的凸状硬物；通过进一步使用刀片刮除黏性膜粘附不掉的其他凸起物，可以保证晶片表面边缘键合不良完全处理干净，完全避免掉晶片边缘凸起硬物硌坏光刻版问题；使用粘性剥离度相对较小的蓝膜继续去除落在晶片表面的刀片刮除过程中产生的粉尘有效保证了晶片表面洁净度。方法简单，成本低廉，不使用液体溶剂，只需要使用成本低廉的黏性膜和刀片，在保证不损伤晶片表面、不改变现有键合工艺的前提下，杜绝了键合不良导致的光刻版硌伤问题，大大延长了光刻版使用寿命及更换周期，减少了光刻版清洗次数，节约了光刻版清洗溶剂提高了光刻制程良率。

技术特征：

1.一种高良率反极性led芯片制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高良率反极性led芯片制造方法，其特征在于，所述步骤s1中，所述的生长完键合层待键合的临时砷化镓衬底晶片最表层键合层为金，生长完键合层待键合的永久硅衬底晶片最表层键合层为金或者铟。

3.根据权利要求1所述的一种高良率反极性led芯片制造方法，其特征在于，所述步骤s1中，所述的自动键合机压力为2000kg，温度为200摄氏度，时间为25min。

4.根据权利要求1所述的一种高良率反极性led芯片制造方法，其特征在于，所述步骤s2中，所述的腐蚀液为氟化铵、双氧水、水的混合溶液。

5.根据权利要求1所述的一种高良率反极性led芯片制造方法，其特征在于，所述步骤s2中，处理完成的晶片边缘凸起的高于晶片表平面的固体硬物经sem分析为键合层中流出的金属铟凝结而成，且高度大于曝光间隙。

6.根据权利要求1所述的一种高良率反极性led芯片制造方法，其特征在于，所述步骤s3中，所述的黏性膜的粘性剥离度为3 000mn/20mm。

7.根据权利要求1所述的一种高良率反极性led芯片制造方法，其特征在于，所述步骤s3中，刀片刮除黏性膜粘附不掉的其他凸起物时，刀片角度与晶片表平面呈45°角。

8.根据权利要求1所述的一种高良率反极性led芯片制造方法，其特征在于，所述步骤s4中，所述的蓝膜粘性剥离度为1000mn/20mm。

9.根据权利要求1所述的一种高良率反极性led芯片制造方法，其特征在于，所述步骤s5中，甩胶胶厚为曝光间隙的1/20至1/15，曝光采用接近式曝光。

技术总结本申请公开了一种高良率反极性LED芯片制造方法，方法包括以下步骤：将生长完键合层待键合的临时砷化镓衬底晶片与待键合的永久硅衬底晶片贴片后放入自动键合机中键合；将晶片放入腐蚀液中去除临时砷化镓基衬底；晶片能明显看到晶片边缘黏附有凸起的高于晶片表平面的固体硬物，将晶片吸附在真空吸盘上进行多次黏性膜粘附以除去表面部分黏附不牢的凸起物，随后用刀片刮除黏性膜粘附不掉的其他凸起物；使用蓝膜粘附处理完成的晶片表面，以去除落在晶片表面的刀片刮除过程中产生的粉尘；将处理完成的晶片依次进行甩胶、曝光、显影以得到需要的图形；将处理完成的晶片及曝光用光刻版进行卤素灯下检查，晶片表面干净整洁，光刻版无任何硌伤印迹。技术研发人员：苏娜,魏宽冰受保护的技术使用者：山东浪潮华光光电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/4