连续时间线性均衡器的制作方法

本技术涉及集成电路，尤其涉及一种连续时间线性均衡器。

背景技术：

1、随着技术的反战，要求芯片间的通信速率越来越快。芯片间的通信速率越高，信号穿过信道造成的高频衰减就越严重，高频衰减导致最大传输距离减小，传输距离越远，通信失败的概率就越大。

2、常用的线性均衡方式有两种：一种是在漏极引入电感，增加系统的极点，提高信号的高频分量；一种是在源极引入电容，增加系统的极点，提高信号的高频分量。二者的区别是：电感可以在更高频率增加极点，电容对应的极点频率比电感小。所以当信号速率较高时，可以采用增加源极电容的方式，提高信号的高频分量；当信号速率特别高时，可以采用增加电感的方式，提高信号的高频分量。例如公告号为cn213461678u的中国专利公开了一种连续时间线性均衡器和公开号为cn116032705a的中国专利公开了一种连续时间线性均衡器和包括其的装置。现有技术中对高频信号的放大需要较大的电感，而电感的感值与面积相关，电感的感值越大，所占用的面积越大，从而增大了芯片面积。

3、因此，有必要提供一种新型的连续时间线性均衡器以解决现有技术中存在的上述问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种连续时间线性均衡器，在接收端去除高速率传输信号的码间串扰，同时降低芯片的面积。

2、为实现上述目的，本实用新型的所述连续时间线性均衡器，包括第一级连续时间线性均衡器、第二级连续时间线性均衡器、可变增益放大器和峰化电感单元，所述第一级连续时间线性均衡器和所述第二级连续时间线性均衡器均通过所述峰化电感单元与电源电压连接，所述第一级连续时间线性均衡器用于补充信号穿过低通信道时造成的高频分量衰减，以输出补充高频分量信号，所述第二级连续时间线性均衡器用于对所述补充高频分量信号进行高频增益补偿，以得到高频增益补偿信号，所述可变增益放大器用于对所述高频增益补偿信号提供增益，以得到所述连续时间线性均衡器的输出结果信号。

3、可选地，所述第一级连续时间线性均衡器包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第一电容、第二电容、第三电容、第一nmos管、第二nmos管、第一可调电流源单元、第二可调电流源单元、第一可调电阻单元、第二可调电阻单元和第三可调电阻单元，所述峰化电感单元包括第五电感和第六电感，所述第一电感的一端作为所述第一级连续时间线性均衡器的第一输入端，所述第一电感的另一端与所述第一电容的一端、所述第三电感的一端连接，所述第一电容的另一端接地，所述第三电感的另一端与所述第一nmos管的栅极连接，所述第二电感的一端作为所述第一级连续时间线性均衡器的第二输入端，所述第二电感的另一端与所述第二电容的一端、所述第四电感的一端连接，所述第二电容的另一端接地，所述第四电感的另一端与所述第二nmos管的栅极连接，所述第五电感的一端和所述第六电感的一端均接电源电压，所述第五电感的另一端与所述第一可调电阻单元的第一端连接，所述第一nmos管的漏极与所述第一可调电阻单元的第二端连接，所述第一nmos管的源极与所述第三可调电阻单元的第一端、所述第三电容的一端、所述第一可调电流源单元的第一端连接，所述第一可调电流源单元的第二端接地，所述第六电感的另一端一所述第二可调电阻单元的第一端连接，所述第二nmos管的漏极与所述第二可调电阻单元的第二端连接，所述第二nmos管的源极与所述第三可调电阻单元的第二端、所述第三电容的另一端、所述第二可调电流源单元的第一端连接，所述第二可调电流源单元的第二端接地。

4、可选地，所述第二级连续时间线性均衡器包括第三nmos管、第四nmos管、第四可调电阻单元、第五可调电阻单元、第六可调电阻单元、可调电容单元、第三可调电流源单元和第四可调电流源单元，所述第三nmos管的栅极与所述第二nmos管的漏极连接，所述第三nmos管的漏极与所述第四可调电阻单元的第二端连接，所述第四可调电阻单元的第一端与所述第五电感的另一端连接，所述第三nmos管的源极与所述第六可调电阻单元的第一端、所述可调电容单元的第一端、所述第三可调电流源单元的第一端连接，所述第三可调电流源单元的第一端接地，所述第四nmos管的栅极与所述第一nmos管的漏极连接，所述第四nmos管的漏极与所述第五可调电阻单元的第二端连接，所述第五可调电阻单元的第一端与所述第六电感的另一端连接，所述第四nmos管的源极与所述第六可调电阻单元的第二端、所述可调电容单元的第二端、所述第四可调电流源单元的第一端连接，所述第四可调电流源单元的第二端接地。

5、可选地，所述可变增益放大器包括第五nmos管、第六nmos管、第七nmos管、第八nmos管、第五可调电流源单元、第六可调电流源单元、第七可调电流源单元、第八可调电流源单元、第七可调电阻单元、第八可调电阻单元、第九可调电阻单元和第十可调电阻单元，所述第五nmos管的栅极与所述第七nmos管的栅极均与所述第三nmos管的漏极连接，所述第五nmos管的漏极与所述第七可调电阻单元的第二端连接，所述第五nmos管的源极与所述第五可调电流源单元的第一端、所述第六nmos管的源极、所述第六可调电流源单元的第一端连接，所述第六nmos管的漏极与所述第八可调电阻单元的第二端连接，所述第六nmos管的栅极和所述第七nmos管的栅极均与所述第四nmos管的漏极连接，所述第七nmos管的漏极与所述第九可调电阻单元的第二端连接，所述第七nmos管的源极与所述第七可调电流源单元的第一端、所述第八nmos管的源极、所述第八可调电流源单元的第一端连接，所述第八nmos管的漏极与所述第十可调电阻单元的第二端连接，所述第七可调电阻单元的第一端、所述第八可调电阻单元的第一端、所述第九可调电阻单元的第一端和所述第十可调电阻单元的第一端均接电源电压，所述第五可调电流源单元的第二端、所述第六可调电流源单元的第二端、所述第七可调电流源单元的第二端和所述第八可调电流源单元的第二端均接地。

6、可选地，所述第三可调电阻单元和所述第六可调电阻单元均包括若干第一可调电阻子单元，所述第一可调电阻子单元包括第九nmos管、第十nmos管和第一电阻，若干所述第九nmos管的源极相互连接，作为第一端，所述第九nmos管的漏极与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第十nmos管的源极连接，若干所述第十nmos管的漏极相互连接，作为第二端，所述第九nmos管的栅极和所述第十nmos管的栅极均接电阻调节信号。

7、可选地，所述可调电容单元包括若干可调电容子单元，所述可调电容子单元包括第十一nmos管、第十二nmos管和第四电容，若干所述第十一nmos管的源极相互连接，作为第一端，所述第十一nmos管的漏极与所述第四电容的一端连接，所述第四电容的另一端与所述第十二nmos管的源极连接，若干所述第十二nmos管的漏极相互连接，作为第二端，所述第十一nmos管的栅极和所述第十二nmos管的栅极均接电容调节信号。

8、可选地，所述第一可调电流源单元、所述第二可调电流源单元、所述第三可调电流源单元、所述第四可调电流源单元、所述第五可调电流源单元、所述第六可调电流源单元、所述第七可调电流源单元和所述第八可调电流源单元均包括若干电流源管，若干所述电流源管的漏极相互连接，作为第一端，若干所述电流源管的源极相互连接，并接地，作为第二端，所述电流源管的栅极接电流调节信号。

9、可选地，所述第一可调电阻单元、所述第二可调电阻单元、所述第四可调电阻单元、所述第五可调电阻单元、所述第七可调电阻单元、所述第八可调电阻单元、所述第九可调电阻单元和所述第十可调电阻单元均包括若干第二可调电阻子单元，所述第二可调电阻子单元包括第一pmos管和第二电阻，若干所述第一pmos管的源极相互连接，作为第一端，所述第一pmos管的漏极与所述第二电阻的一端连接，若干所述第二电阻的另一端相互连接，作为第二端，所述第一pmos管的栅极接电阻控制信号。

10、本实用新型的有益效果在于：所述连续时间线性均衡器包括第一级连续时间线性均衡器、第二级连续时间线性均衡器、可变增益放大器和峰化电感单元，所述第一级连续时间线性均衡器和所述第二级连续时间线性均衡器均通过所述峰化电感单元与电源电压连接，所述第一级连续时间线性均衡器用于补充信号穿过低通信道时造成的高频分量衰减，以输出补充高频分量信号，所述第二级连续时间线性均衡器用于对所述补充高频分量信号进行高频增益补偿，以得到高频增益补偿信号，所述可变增益放大器用于对所述高频增益补偿信号提供增益，以得到所述连续时间线性均衡器的输出结果信号，能够在接收端去除高速率传输信号的码间串扰，并且所述第一级连续时间线性均衡器和所述第二级连续时间线性均衡器均通过所述峰化电感单元与电源电压连接，共用峰化电感单元，降低了电感所占用的面积，进而降低了芯片的面积。