一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构

本发明涉及半导体封装，尤其涉及一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构。

背景技术：

1、芯片内埋在基板内是一种先进的封装形式，通过将裸芯片内嵌在基板内，可以大幅度降低芯片与基板表面封装元件以及芯片间信号传输距离，减小信号传输损耗，提高信号传输质量；同时减小封装尺寸，压缩器件使用空间。

2、目前，芯片内埋基板主要的制造方法是在印刷线路板芯板中通过挖腔，将裸芯片嵌入后，用树脂填埋，再在芯板两侧进行多层布线形成基板。

3、现有芯片内埋基板制造方法中，基板的一面填埋树脂后进行单面压合过程中，由于结构的不对称性容易发生严重翘曲。基板的另一面进行绝缘层压合和固化烘烤过程中，基板又被压平，如此基板从翘曲到压平形成反复的弯折，固化的内埋树脂由于模量较高，过度翘曲和压平会导致刚性树脂开裂，刚性的内埋树脂和芯片界面结合力较弱，也会导致界面开裂。树脂开裂和芯片界面分离，可能导致内埋基板失效，甚至内埋基板在潮湿环境中，开裂界面水汽富集，导致内埋基板烧毁等严重的可靠性问题。因此，在基板加工制造中如何降低基板翘曲，是加工制造内埋基板的技术难题，是提高内埋基板可靠性的重要问题。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构。

2、为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

3、一种内埋芯片基板的制造方法，包括步骤：

4、基板开窗，在基板上开设用于容置芯片的容置腔，所述基板的两面分别为第一键合面和填埋树脂面；

5、第一临时键合，将第一键合材料层键合于所述第一键合面，且所述第一键合材料层背离所述基板的一侧固定有第一支撑板；

6、贴芯片，将芯片设置于所述容置腔内；

7、第一压合填埋树脂，在所述基板的填埋树脂面压合填埋树脂以形成第一树脂层，并进行第一次预固化，将该步骤形成的结构置于130℃-150℃恒温环境中保持25min-35min以使结构中的树脂进行预固化，所述第一树脂层背离所述基板的一侧为第二键合面；

8、第二临时键合，将第二键合材料层键合于所述第二键合面，且所述第二键合材料层背离所述第一树脂层的一侧固定有第二支撑板；

9、第一解键合，将所述第一键合材料层和第一树脂层解键合以去除所述第一键合材料层和第一支撑板；

10、第二压合填埋树脂，在所述基板的第一键合面压合填埋树脂以形成第二树脂层，并进行第二次预固化，以使该步骤形成的结构中的树脂固化至70％以上；

11、第二解键合，将所述第二键合材料层解键合以去除所述第二键合材料层和第二支撑板；

12、盲孔加工，在上一步骤形成的结构的上表面和下表面开设盲孔；

13、电路制作，在盲孔加工形成的结构的上表面和下表面加工电路；

14、固化，将电路制作形成的结构中的树脂层进行固化至90％以上；

15、绝缘层加工，在固化步骤形成的结构中的上表面和下表面均设置树脂绝缘层，且进行第三次预固化，以使该步骤形成的结构中的树脂固化至70％-80％；

16、制作中间电路以及外层电路，重复n次盲孔加工、电路制作、固化步骤和绝缘层加工步骤，n≥0，以形成中间电路，之后重复盲孔加工、电路制作和固化步骤，形成外层电路；

17、制作阻焊层，在所述外层电路表面制作阻焊层；

18、涂层，在所述制作阻焊层之后形成的结构表面涂覆涂层。

19、在一实施方式中，所述第一解键合之后还包括步骤：第一清洗，清洗所述第一键合面；和/或，

20、所述第二解键合之后还包括步骤：第二清洗，清洗所述第二键合面。

21、在一种实现方式中，所述第一次预固化将形成的结构中的树脂固化至50％以上。

22、在一种实现方式中，所述第二次预固化具体为：将该步骤形成的结构置于170℃-185℃恒温环境中保持25min-35min使结构中的树脂预固化。

23、在一种实现方式中，所述第三次预固化具体为：将形成的结构置于95℃-105℃恒温环境中保持25min-35min之后，再置于170℃-185℃恒温环境中保持25min-35min。

24、在一种实现方式中，所述固化具体为：在180℃以上环境中使将形成的结构中的树脂固化至90％以上。

25、在一种实现方式中，第一次预固化的固化温度低于所述第一键合材料层的解键合温度；或，

26、所述第一键合材料层的解键合温度低于第二键合材料层的解键合温度。

27、在一种实现方式中，所述第一压合填埋树脂步骤、第二压合填埋树脂步骤以及绝缘层加工步骤中所采用的原料均为abf树脂片，所述abf树脂片包括abf本层、贴合在所述abf本层第一侧的opp膜以及贴合在所述abf本层第二侧的pet膜。

28、在一种实现方式中，所述第一压合填埋树脂步骤具体为：去除所述abf树脂片的opp膜，并使所述abf树脂片的第一侧压合在所述基板的填埋树脂面以形成第一树脂层，并进行第一次预固化，以使该步骤形成的结构中的树脂固化至50％以上，所述第一树脂层背离所述基板的一侧为第二键合面且保留有pet膜；和/或，

29、所述第二压合填埋树脂步骤具体为，去除所述abf树脂片的opp膜，并使所述abf树脂片的第一侧压合在所述基板的第一键合面以形成第二树脂层，并进行第二次预固化，以使该步骤形成的结构中的树脂固化至70％以上，所述第二树脂层保留pet膜。

30、一种临时键合结构，包括：

31、基板，所述基板开设有用于容置芯片的容置腔，且所述基板的两面分别为第一键合面和填埋树脂面；

32、芯片，所述芯片设置于所述容置腔内；

33、第一键合材料层和第一支撑板，所述第一键合材料层与所述第一键合面键合，所述第一支撑板与所述第一键合材料层背离所述基板的一侧固定；

34、第一树脂层，所述第一树脂层位于所述基板的填埋树脂面，所述第一树脂层背离所述基板的一侧为第二键合面；

35、第二键合材料层和第二支撑板，所述第二键合材料层与所述第二键合面键合，所述第二支撑板与所述第二键合材料层背离所述基板的一侧固定。

36、在一种实现方式中，所述第一支撑板和/或第二支撑板为双面覆铜板、金属板、玻璃板或陶瓷板；和/或，所述第一支撑板和/或第二支撑板的厚度大于0.2mm。

37、在一种实现方式中，所述第一键合材料层包括依次层叠的发泡膜、支撑膜和压敏胶膜，且所述第一键合材料层的压敏胶膜与基板键合；和/或，所述第二键合材料层包括依次层叠的发泡膜、支撑膜和压敏胶膜，且所述第二键合材料层的压敏胶膜与第一树脂层键合。

38、本发明提供的内埋芯片基板的制造方法中，在贴芯片、埋入树脂、预固化等步骤中，均有第一支撑板和/或第二支撑板对基板进行支撑，第一支撑板和/或第二支撑板的支撑作用可以减小内埋芯片基板制造过程中，由于结构不对称导致的基板整体翘曲，保证了整个内埋芯片基板制造过程中，基板始终处于低翘曲的状态。此外，第一填埋树脂步骤中进行了第一次预固化，第二填埋树脂步骤中进行了第二次预固化，最终使第一树脂层和第二树脂层达到同样的固化程度，整个基板形成对称结构，降低了基板的翘曲水平，避免了内埋芯片基板制造过程中由于第一树脂层和第二树脂层固化程度不同导致的基板过度翘曲，进而避免了形成脆性的固化树脂发生开裂以及结合力较弱的芯片与树脂界面产生开裂。

39、本发明还提供一种临时键合结构，本发明提供的临时键合结构的有益效果与上述技术方案所述内埋芯片基板的制造方法的有益效果相同，此处不做赘述。