杂化太阳能电池及光伏组件的制作方法

本申请主要涉及光伏，尤其涉及一种杂化太阳能电池及光伏组件。

背景技术：

1、随着光伏技术领域的发展，不同类型的太阳能电池逐渐受到研究者和市场的青睐，也因此各种新型晶硅结构电池和技术层出不穷。在众多电池类型中，每一种类型的电池均具有各自的优缺点。在这样的前提下将不同类型电池进行组合制备可以更好的利用电池的优势，但同时也需要重新对于各膜层结构重新设计，从而在实现多类型电池组合制备的基础上可以不断优化电池的转换效率。

技术实现思路

1、本申请要解决的技术问题是提供种杂化太阳能电池及组件，可以在提升电池转化效率的基础上，降低膜层的寄生吸收以及降低制备成本。

2、为解决上述技术问题，本申请提供了一种杂化太阳能电池，具有相对的第一表面和第二表面，其所述杂化太阳能电池包括：硅基底；隧穿层，位于所述硅基底与所述第一表面之间；以及本征非晶硅层，位于所述硅基底与所述第二表面之间。

3、在本申请的一实施例中，所述第一表面为所述杂化太阳能电池的向光面，所述第二表面为所述杂化太阳能电池的背光面。

4、在本申请的一实施例中，所述隧穿层的厚度不大于3纳米，且所述隧穿层为氧化硅、氮氧化硅或氧化铝。

5、在本申请的一实施例中，还包括第一掺杂层，位于所述隧穿层与所述第一表面之间，其中，所述第一掺杂层的厚度范围为20～600纳米。

6、在本申请的一实施例中，所述第一掺杂层包括掺杂多晶硅，所述掺杂多晶硅包含氧、碳、氮元素中的至少一种元素。

7、在本申请的一实施例中，还包括第一导电层，位于所述第一掺杂层与所述第一表面之间，其中，所述第一导电层的厚度范围为10～200纳米。

8、在本申请的一实施例中，还包括扩散层，位于所述硅基底与所述隧穿层之间，其中，所述扩散层的掺杂类型与所述硅基底相同，且所述扩散层的掺杂浓度小于所述硅基底的掺杂浓度。

9、在本申请的一实施例中，所述本征非晶硅层包含氧，碳，氮元素中的至少一种元素，且所述本征非晶硅层的厚度范围为3～15纳米。

10、在本申请的一实施例中，还包括第二掺杂层，位于所述本征非晶硅层与所述第二表面之间，其中，所述第二掺杂层的厚度范围为3～60纳米。

11、在本申请的一实施例中，所述第二掺杂层包括掺杂非晶硅或微晶硅薄膜，所述第二掺杂层包含氧，碳，氮元素中的至少一种元素，其中，所述第二掺杂层的掺杂类型与所述硅基底相反。

12、在本申请的一实施例中，所述硅基底的掺杂类型为n型掺杂。

13、在本申请的一实施例中，还包括第二导电层，位于所述第二掺杂层与所述第二表面之间，其中，所述第二导电层的厚度范围为10～200纳米。

14、在本申请的一实施例中，还包括介电层，位于靠近所述第一表面的最外层。

15、在本申请的一实施例中，所述介电层为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，且所述介电层的厚度范围为10～200纳米。

16、在本申请的一实施例中，所述第一表面为所述杂化太阳能电池的背光面，所述的第二表面为所述杂化太阳能电池的向光面，其中，所述杂化太阳能电池还包括第一掺杂层，位于所述隧穿层与所述第一表面之间，且所述第一掺杂层的厚度为20～600纳米。

17、在本申请的一实施例中，所述隧穿层的厚度不大于3纳米，且所述隧穿层为氧化硅、氮氧化硅或氧化铝。

18、在本申请的一实施例中，所述本征非晶硅层包含氧，碳，氮元素中的至少一种元素，且所述本征非晶硅层的厚度范围为3～15纳米。

19、本申请的另一方面还提出了一种光伏组件，包括多个串联和/或并联的本申请任一实施例的杂化太阳能电池。

20、与现有技术相比，本申请具有以下优点：本申请将具有隧穿氧化层的钝化接触太阳能电池结构与异质结电池进行结合以得到杂化太阳能电池，具有更高的转化效率；同时，通过对于膜层排布及尺寸的优化配置，可以有效降低膜层的寄生吸收，提高电池的光谱响应，并降低电池成本。

技术特征：

1.一种杂化太阳能电池，具有相对的第一表面和第二表面，其特征在于，所述杂化太阳能电池包括：

2.如权利要求1所述的杂化太阳能电池，其特征在于，所述第一表面为所述杂化太阳能电池的向光面，所述第二表面为所述杂化太阳能电池的背光面。

3.如权利要求2所述的杂化太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层的厚度不大于3纳米，且所述隧穿层为氧化硅、氮氧化硅或氧化铝。

4.如权利要求2或3所述的杂化太阳能电池，其特征在于，还包括第一掺杂层，位于所述隧穿层与所述第一表面之间，其中，所述第一掺杂层的厚度范围为20～600纳米。

5.如权利要求4所述的杂化太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层包括掺杂多晶硅，所述掺杂多晶硅包含氧、碳、氮元素中的至少一种元素。

6.如权利要求4所述的杂化太阳能电池，其特征在于，还包括扩散层，位于所述硅基底与所述隧穿层之间，其中，所述扩散层的掺杂类型与所述第一掺杂层相同，且所述扩散层的掺杂浓度小于所述第一掺杂层的掺杂浓度。

7.如权利要求5所述的杂化太阳能电池，其特征在于，还包括第一导电层，位于所述第一掺杂层与所述第一表面之间，其中，所述第一导电层的厚度范围为10～200纳米。

8.如权利要求5或7所述的杂化太阳能电池，其特征在于，还包括介电层，位于靠近所述第一表面的最外层。

9.如权利要求8所述的杂化太阳能电池，其特征在于，所述介电层为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，且所述介电层的厚度范围为10～200纳米。

10.如权利要求2所述的杂化太阳能电池，其特征在于，所述本征非晶硅层包含氧，碳，氮元素中的至少一种元素，且所述本征非晶硅层的厚度范围为3～15纳米。

11.如权利要求2或10所述的杂化太阳能电池，其特征在于，还包括第二掺杂层，位于所述本征非晶硅层与所述第二表面之间，其中，所述第二掺杂层的厚度范围为3～60纳米。

12.如权利要求11所述的杂化太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂层包括掺杂非晶硅或微晶硅薄膜，所述第二掺杂层包含氧，碳，氮元素中的至少一种元素，其中，所述第二掺杂层的掺杂类型与所述硅基底相反。

13.如权利要求12所述的杂化太阳能电池，其特征在于，所述硅基底的掺杂类型为n型掺杂。

14.如权利要求11所述的杂化太阳能电池，其特征在于，还包括第二导电层，位于所述第二掺杂层与所述第二表面之间，其中，所述第二导电层的厚度范围为10～200纳米。

15.如权利要求1所述的杂化太阳能电池，其特征在于，所述第一表面为所述杂化太阳能电池的背光面，所述第二表面为所述杂化太阳能电池的向光面，其中，所述杂化太阳能电池还包括第一掺杂层，位于所述隧穿层与所述第一表面之间，且所述第一掺杂层的厚度为20～600纳米。

16.如权利要求15所述的杂化太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层的厚度不大于3纳米，且所述隧穿层为氧化硅、氮氧化硅或氧化铝。

17.如权利要求15或16所述的杂化太阳能电池，其特征在于，所述本征非晶硅层包含氧，碳，氮元素中的至少一种元素，且所述本征非晶硅层的厚度范围为3～15纳米。

18.一种光伏组件，包括多个串联和/或并联的如权利要求1～17任一项所述的杂化太阳能电池。

技术总结本申请提供了一种杂化太阳能电池，具有相对的第一表面和第二表面，杂化太阳能电池包括：硅基底；隧穿层，位于硅基底与第一表面之间；以及本征非晶硅层，位于硅基底与第二表面之间。本申请提出的杂化太阳能电池及光伏组件，可以在提升电池转化效率的基础上，降低膜层的寄生吸收以及降低制备成本。技术研发人员：杨广涛,陈达明,陈奕峰受保护的技术使用者：天合光能股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/14