技术新讯 > 电气元件制品的制造及其应用技术 > 锂离子电池的制作方法  >  正文

锂离子电池的制作方法

  • 国知局
  • 2024-11-25 14:58:03

本申请涉及电池,特别是涉及一种锂离子电池。

背景技术:

1、随着近年来新能源汽车的快速发展,锂离子电池作为新能源汽车的核心组成之一,占据了很大的成本。对锂离子电池降本成为车企和电池企业的重要研究方向。而锰元素由于储量丰富,价格低廉,例如锰酸锂、镍锰酸锂、镍钴锰酸锂、磷酸锰铁锂等具有较低的成本,常被用于锰基正极或者掺锰正极。然而这些含锰正极在充放电过程中晶体结构容易发生变化或者受到电解液中hf的侵蚀从而导致锰溶出,导致电池容量损失;同时,溶出的锰离子,会迁移至负极,破坏负极的sei膜,导致电池容量的快速衰减。

2、因此,如何消除电池电解液中的hf和锰离子对于提升锰基锂离子电池性能和降低锂离子电池成本具有重大意义。

技术实现思路

1、基于此,针对上述问题,本申请提供一种锂离子电池,以解决上述技术问题。

2、本申请提供了一种锂离子电池,该锂离子电池包括电芯单元、拦截层以及间隔层,其中,

3、电芯单元包括一个或多个电芯,电芯包括正极极片、负极极片以及设置于正极极片和负极极片之间的间隔层;任意两相邻的电芯之间设置有间隔层;

4、拦截层设置于电芯单元的两侧;

5、拦截层和电芯单元之间以及拦截层远离电芯单元的一侧均设置有间隔层。

6、在一些实施方式中,拦截层包括连续铜箔、铜网、多孔铜箔、连续镍箔、镍网、多孔镍箔、不锈钢箔、不锈钢网、复合铜箔、碳布、连续锂箔、锂网、多孔锂箔、锂铜复合带中的一种或多种。

7、在一些实施方式中,拦截层的厚度为10μm以下。

8、在一些实施方式中,拦截层的厚度为5μm以下。

9、在一些实施方式中,间隔层为隔膜层、电解质层或者隔膜层和电解质层的组合层。

10、在一些实施方式中,电解质层包括氧化物电解质层、聚合物电解质层、硫化物电解质层或卤化物电解质层中的一种或多种。

11、在一些实施方式中,拦截层包括功能极耳。

12、在一些实施方式中,正极极片的正极极耳之间电连接;负极极片的负极极耳之间电连接;拦截层的功能极耳之间电连接。

13、在一些实施方式中,正极极片包括正极活性物质,正极活性物质包括锰酸锂、镍锰酸锂、镍钴锰酸锂、磷酸锰铁锂中的一种或多种。

14、在一些实施方式中,锂离子电池包括电解液。

15、本申请中通过在锂离子电池结构中设置拦截层,一方面,拦截层能够与电解液中的hf进行反应,以消除电解液中的hf,减少hf对正极活性物质中的锰元素的侵蚀,降低锰溶出;另一方面,在充放电过程中,拦截层能够为锂离子和锰离子提供电子,使得溶出的锰离子能够在拦截层被析出,防止锰离子迁移至负极对负极的sei膜造成破坏,进而使得本申请中的锂离子电池具备优良的循环性能和存储性能。

技术特征:

1.一种锂离子电池,其特征在于,所述锂离子电池包括电芯单元、拦截层以及间隔层,其中,

2.根据权利要求1所述的锂离子电池,其特征在于,所述拦截层为连续铜箔、铜网、多孔铜箔、连续镍箔、镍网、多孔镍箔、不锈钢箔、不锈钢网、复合铜箔、碳布、连续锂箔、锂网、多孔锂箔、锂铜复合带中的一种。

3.根据权利要求1所述的锂离子电池,其特征在于,所述拦截层的厚度为10μm以下。

4.根据权利要求3所述的锂离子电池,其特征在于,所述拦截层的厚度为5μm以下。

5.根据权利要求1所述的锂离子电池,其特征在于,所述间隔层为隔膜层或电解质层。

6.根据权利要求5所述的锂离子电池,其特征在于,所述电解质层为氧化物电解质层、聚合物电解质层、硫化物电解质层或卤化物电解质层中的一种。

7.根据权利要求1所述的锂离子电池,其特征在于,所述拦截层包括功能极耳。

8.根据权利要求7所述的锂离子电池,其特征在于,所述正极极片的正极极耳之间电连接;所述负极极片的负极极耳之间电连接;所述拦截层的所述功能极耳之间电连接。

9.根据权利要求1所述的锂离子电池,其特征在于,所述正极极片包括正极活性物质,所述正极活性物质为锰酸锂、镍锰酸锂、镍钴锰酸锂、磷酸锰铁锂中的一种。

10.根据权利要求1所述的锂离子电池,其特征在于,所述锂离子电池包括电解液。

技术总结本申请涉及一种锂离子电池,锂离子电池包括电芯单元、拦截层以及间隔层,其中,电芯单元包括一个或多个电芯,电芯包括正极极片、负极极片以及设置于正极极片和负极极片之间的间隔层;任意两相邻的电芯之间设置有间隔层;拦截层设置于电芯单元的两侧;拦截层和电芯单元之间以及拦截层远离电芯单元的一侧均设置有间隔层。本申请通过设置拦截层,一方面,拦截层能够与电解液中的HF进行反应,降低锰溶出;另一方面,拦截层能够使溶出的锰离子在拦截层被析出,防止锰离子迁移至负极对负极的SEI膜造成破坏,进而使得本申请中的锂离子电池具备优良的循环性能和存储性能。技术研发人员:刘京亮,宋光鑫,陈凯,冯玉川,李峥受保护的技术使用者:苏州清陶新能源科技有限公司技术研发日:20231219技术公布日:2024/11/21

本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20241125/335528.html

版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容, 请发送邮件至 YYfuon@163.com 举报,一经查实,本站将立刻删除。