低方阻ITO膜及其制备方法与流程

本发明属于薄膜，具体涉及一种低方阻ito膜及其制备方法。

背景技术：

1、ito导电膜的方阻介于100ω-150ω，主要应用于智能手机、平板电脑等屏幕尺寸较小的装置上。但随着一体机、大尺寸笔记型电脑、交互式教学平台等装置也开始采用触控装置，大尺寸触控面板的市场需求也越来越大。由于触控装置的尺寸越大所需处理的数据量越多，现有ito导电膜的方阻不再适用于大尺寸的触控装置。因此触控面板的ito导电膜的方阻需要做得更低，以控制方阻介于20ω-40ω之间。

2、公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种低方阻ito膜及其制备方法，其能够提供低方阻、低色差和更好耐候性的低方阻ito膜。

2、为了实现上述目的，本发明一具体实施例提供了一种低方阻ito膜，其包括基材、上涂布层、下涂布层、打底层、sio2混合层和ito混合层。基材具有相对设置的第一表面和第二表面；上涂布层涂布在所述基材的第一表面；下涂布层涂布在所述基材的第二表面；打底层磁控溅射在所述上涂布层的表面；sio2混合层磁控溅射在所述打底层的表面；ito混合层磁控溅射在所述sio2混合层的表面；其中，所述ito混合层中的铟占比80wt％-99wt％，锡占比1wt％-20wt％。

3、在本发明的一个或多个实施例中，所述ito混合层通过氧化铟锡靶磁控溅射在所述sio2混合层的表面；所述ito混合层的厚度介于100nm-400nm。

4、在本发明的一个或多个实施例中，所述sio2混合层通过硅铝靶磁控溅射在所述打底层的表面；所述sio2混合层中的硅占比75wt％-99wt％，铝占比1wt％-25wt％。

5、在本发明的一个或多个实施例中，所述sio2混合层的厚度介于2nm-80nm。

6、在本发明的一个或多个实施例中，所述打底层选自sio2、ti、tio2、si、al2o3、mgf2、sio、hfo2、sno2和y2o3中的一种；和/或，所述打底层的厚度介于0.2nm-20nm。

7、在本发明的一个或多个实施例中，所述基材的厚度介于10μm-250μm；和/或，所述基材选自pet、pi、tac、cop和pc中的一种。

8、在本发明的一个或多个实施例中，所述上涂布层介于40nm-1200nm；和/或，所述下涂布层介于20nm-1000nm。

9、在本发明的一个或多个实施例中，所述ito混合层的表面设置有高温正保层；和/或，所述下涂布层远离所述基材层的一侧设置有离型膜。

10、本发明另一具体实施例提供了一种低方阻ito膜的制备方法，其包括：

11、选取基材，通过涂布工艺涂布在所述基材的第一表面涂布上涂布层，第二表面涂布下涂布层；

12、在所述下涂布层远离所述基材层的一侧贴合离型膜；

13、在所述上涂布层的表面通过硅铝靶磁控溅射所述sio2混合层；

14、采用多个铟锡比例不相同的ito靶材在所述sio2混合层的表面磁控溅射所述ito混合层；

15、在所述ito混合层的表面贴合高温正保层，并老化处理得到所述低方阻ito膜。

16、在本发明的一个或多个实施例中，所述磁控溅射环境为真空环境，真空度小于或等于1.0×10-4pa，水汽值小于或等于9.0×10-5pa；和/或，所述磁控溅射的靶材轰击气体为氩气；和/或，所述靶材反应气体为氩气、氮气和氧气的混合气体，其中氩气占比60wt％-80wt％，氮气占比20wt％-35wt％，氧气占比5wt％-10wt％。

17、与现有技术相比，本发明的低方阻ito膜通过设置sio2混合层和ito混合层并控制ito混合层中铟锡的比例，并通过上述层结构可以改善低方阻ito膜的不结晶问题从而降低了ito膜的方阻。sio2混合层能够降低低方阻ito膜的色差并能够提高低方阻ito膜的耐候性。本发明的低方阻ito膜的制备方法采用硅铝靶稳定性更高，功率输出平稳，溅射更均匀。ito混合层采用多个铟锡比例不相同的ito靶材制备制得的低方阻ito膜的膜面外观、镀层性能更佳，且ito膜不会存在不结晶的问题，从而可以降低低方阻ito膜的方阻。

技术特征：

1.一种低方阻ito膜，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低方阻ito膜，其特征在于，所述ito混合层通过氧化铟锡靶磁控溅射在所述sio2混合层的表面；所述ito混合层的厚度介于100nm-400nm。

3.根据权利要求1所述的低方阻ito膜，其特征在于，所述sio2混合层通过硅铝靶磁控溅射在所述打底层的表面；所述sio2混合层中的硅占比75wt％-99wt％，铝占比1wt％-25wt％。

4.根据权利要求1所述的低方阻ito膜，其特征在于，所述sio2混合层的厚度介于2nm-80nm。

5.根据权利要求1所述的低方阻ito膜，其特征在于，所述打底层选自sio2、ti、tio2、si、al2o3、mgf2、sio、hfo2、sno2和y2o3中的一种；和/或，所述打底层的厚度介于0.2nm-20nm。

6.根据权利要求1所述的低方阻ito膜，其特征在于，所述基材的厚度介于10μm-250μm；和/或，所述基材选自pet、pi、tac、cop和pc中的一种。

7.根据权利要求1所述的低方阻ito膜，其特征在于，所述上涂布层介于40nm-1200nm；和/或，所述下涂布层介于20nm-1000nm。

8.根据权利要求1所述的低方阻ito膜，其特征在于，所述ito混合层的表面设置有高温正保层；和/或，所述下涂布层远离所述基材层的一侧设置有离型膜。

9.一种权利要求1-8任一项所述的低方阻ito膜的制备方法，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的低方阻ito膜，其特征在于，所述磁控溅射环境为真空环境，真空度小于或等于1.0×10-4pa，水汽值小于或等于9.0×10-5pa；和/或，所述磁控溅射的靶材轰击气体为氩气；和/或，所述靶材反应气体为氩气、氮气和氧气的混合气体，其中氩气占比60wt％-80wt％，氮气占比20wt％-35wt％，氧气占比5wt％-10wt％。

技术总结本发明公开了一种低方阻ITO膜及其制备方法，低方阻ITO膜包括基材、上涂布层、下涂布层、打底层、SiO<subgt;2</subgt;混合层和ITO混合层。基材具有相对设置的第一表面和第二表面；上涂布层涂布在所述基材的第一表面；下涂布层涂布在所述基材的第二表面；打底层磁控溅射在所述上涂布层的表面；SiO<subgt;2</subgt;混合层磁控溅射在所述打底层的表面；ITO混合层磁控溅射在所述SiO<subgt;2</subgt;混合层的表面；其中，所述ITO混合层中的铟占比80wt％‑99wt％，锡占比1wt％‑20wt％。本发明的低方阻ITO膜可以改善不结晶问题从而降低了ITO膜的方阻、降低了低方阻ITO膜的色差并能够提高低方阻ITO膜的耐候性。技术研发人员：高毓康,陈超,王志坚,陈涛,赵飞受保护的技术使用者：浙江日久新材料科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/12/2