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一种表面多孔Co2B化合物的制备方法与流程

  • 国知局
  • 2024-12-06 12:15:08

本发明涉及一种表面多孔co2b化合物的制备方法。

背景技术:

1、针对高温服役电站锅炉管道等长期经受高温烟气侵蚀用材料,目前国内外多采用的“司太力”合金,其具有较理想的抗高温损伤性能,但是制备成本较高。对于诸多涉及高温磨损工况的用户及研究者来说,得到一种成本较低廉,服役性能又较好的材料是当前的期望。显然,发明一种能吸附锅炉烟气的表面多孔co2b化合物材料,在服役过程通过在表面孔洞中吸附、聚集烟气物质来提高抗动态烟气侵蚀的能力,以替代“司太力”合金或致密的钴硼化合物材料具有重要的创新意义和工程应用价值。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种能够吸附锅炉烟气的表面多孔co2b化合物的制备方法。

2、为达到以上目的,本发明是采取如下技术方案予以实现的:

3、一种表面多孔co2b化合物的制备工艺,其特征在于,包括下

4、述步骤:

5、(1)将纯度不低于99%的co粉、b4c粉按摩尔比8:1进行称重后装入球磨罐中并进行抽真空;

6、(2)将球磨罐放入球磨机中球磨5小时~10小时,将取出的co和b4c混合粉快速充填到高强钢模具压坯,控制压力100mpa~500mpa,保压时间5min~10min;

7、(3)将坯体放入真空感应烧结炉时先抽真空,当最高温度达950℃~1200℃时,通入氧气10min-30min脱碳,保温10小时~30小时,烧结完毕后随炉冷却,最终得到表面孔洞深度可控的co2b化合物。

8、上述工艺中,所述co粉粒度≤50μm;b4c粉粒度≤50μm。

9、所述球磨罐的真空度<10-1pa。

10、所述真空烧结的真空度<10-1pa。所述真空烧结的升温速度为1℃/秒~5℃/秒。

11、本发明制备表面多孔co2b化合物的工艺过程简单,每公斤生产成本仅为“司太力”合金的35%~50%,从而可显著节约生产成本。所制得co2b化合物表面孔洞深度可控,而且具有优良的耐高温损伤性能。如在700℃高温烟气模拟侵蚀试验机中进行动态烟气损伤试验(100小时),同样试验条件下与“司太力”材料相比,其表面厚度损失显著低于“司太力”合金,具有明显高性价比,使用其替代目前所使用的价格昂贵的“司太力”合金成为可能。

12、本发明可以制备出表面孔洞深度可控的co2b化合物,通过表面孔洞可吸附、聚集锅炉烟气物质来抵抗动态烟气侵蚀,同时由于烟气物质在孔洞中聚集可起到被钉扎作用,有利于烟气物质稳定存在于co2b化合物表面,可明显提高抵抗动态烟气侵蚀性能。

技术特征:

1.一种表面多孔co2b化合物的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述co粉和所述b4c粉装入球磨罐中并抽真空,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述球磨罐的真空度小于10-1pa。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用所述球磨罐对所述co粉和所述b4c粉进行球磨,包括:

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述混合粉充填到高强钢模具压坯,控制压力并保压,包括:

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在达到最高温度时通入氧气进行脱碳,包括:

7.根据权利要求1至6任一项所述的方法,其特征在于,所述co粉的粒度不大于50μm。

8.根据权利要求1至6任一项所述的方法,其特征在于,所述b4c粉的粒度不大于50μm。

9.根据权利要求1至6任一项所述的方法,其特征在于,所述真空烧结的真空度小于10-1pa。

10.根据权利要求1至6任一项所述的方法,其特征在于,所述真空烧结的升温速度为1℃/秒~5℃/秒。

技术总结本公开的实施例提供一种表面多孔Co<subgt;2</subgt;B化合物的制备方法,其特征在于,包括:提供Co粉和B<subgt;4</subgt;C粉;将所述Co粉和所述B<subgt;4</subgt;C粉装入球磨罐中并抽真空;利用所述球磨罐对所述Co粉和所述B<subgt;4</subgt;C粉进行球磨,得到混合粉;将所述混合粉充填到高强钢模具压坯,控制压力并保压,得到坯体;将所述坯体放入真空感应烧结炉并抽真空进行真空烧结,在达到最高温度时通入氧气进行脱碳,冷却得到表面多孔Co<subgt;2</subgt;B化合物。本发明制备出的表面多孔Co<subgt;2</subgt;B化合物,通过表面孔洞可吸附、聚集锅炉烟气物质来抵抗动态烟气侵蚀,同时由于烟气物质在孔洞中聚集可起到被钉扎作用,有利于烟气物质稳定存在于Co<subgt;2</subgt;B化合物表面,可明显提高抵抗动态烟气侵蚀性能。技术研发人员:刘福广,李建华,曹凯,杨二娟,李勇,刘刚,韩天鹏,黎俊良,王明远,李毅受保护的技术使用者:西安热工研究院有限公司技术研发日:技术公布日:2024/12/2

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