高性能碳化硅MOSFET开关特性优化方法及装置与流程

本发明涉及mosfet性能优化的，尤其涉及一种高性能碳化硅mosfet开关特性优化方法及装置。

背景技术：

1、碳化硅（sic）mosfet以其高开关速度、高电压阻断能力和高温操作性能，在电力电子领域获得了广泛应用，mosfet开关的开关特性受到驱动电压与自身电阻的影响，在合理限度内保持较高的电压和较低的电阻会提升其性能，然而若超过额度则会损坏mosfet二极管，并且较高的电压会产生电压尖峰现象进而影响开关性能，在现有技术中，难以均衡驱动电压与开关电阻来确保碳化硅mosfet开关的性能达到最优化。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种高性能碳化硅mosfet开关特性优化方法及装置，旨在解决现有技术中难以通过控制mosfet开关的电压电阻达到性能最优化的问题。

2、本发明是这样实现的，第一方面，本发明提供一种高性能碳化硅mosfet开关特性优化方法，包括：

3、对mosfet开关进行开关工作参数的数据采集，得到所述mosfet开关的工作监测数据；

4、对与所述mosfet开关进行电路连接的电压驱动单元与电阻调整单元进行单元工作参数的数据采集，得到所述电压驱动单元的电压驱动数据与所述电阻调整单元的电阻调整数据；

5、根据所述工作监测数据、所述电压驱动数据以及所述电阻调整数据对所述mosfet开关进行开关工作状态的分析处理，得到所述mosfet开关的工作状态特征；

6、根据所述工作状态特征对所述mosfet开关进行驱动优化方案的梯度分析处理，得到所述mosfet开关的若干执行梯度的优化测试方案；

7、根据各个执行梯度的优化测试方案依次对所述电压驱动单元与所述电阻调整单元进行优化测试处理，在进行各个执行梯度的优化测试处理时，获取优化测试处理的优化测试特征，并根据所述优化测试特征决定是否执行下一梯度的优化测试方案，以对所述mosfet开关进行开关特性的优化。

8、第二方面，本发明提供一种高性能碳化硅mosfet开关特性优化装置，用于实现第一方面任意一项所述的一种高性能碳化硅mosfet开关特性优化方法，包括：

9、数据监测模块，用于对mosfet开关进行开关工作参数的数据采集，得到所述mosfet开关的工作监测数据；

10、数据采集模块，用于对与所述mosfet开关进行电路连接的电压驱动单元与电阻调整单元进行单元工作参数的数据采集，得到所述电压驱动单元的电压驱动数据与所述电阻调整单元的电阻调整数据；

11、状态分析模块，用于根据所述工作监测数据、所述电压驱动数据以及所述电阻调整数据对所述mosfet开关进行开关工作状态的分析处理，得到所述mosfet开关的工作状态特征；

12、方案分析模块，用于根据所述工作状态特征对所述mosfet开关进行驱动优化方案的梯度分析处理，得到所述mosfet开关的若干执行梯度的优化测试方案；

13、测试执行模块，用于根据各个执行梯度的优化测试方案依次对所述电压驱动单元与所述电阻调整单元进行优化测试处理，在进行各个执行梯度的优化测试处理时，获取优化测试处理的优化测试特征，并根据所述优化测试特征决定是否执行下一梯度的优化测试方案，以对所述mosfet开关进行开关特性的优化。

14、本发明提供了一种高性能碳化硅mosfet开关特性优化方法，具有以下有益效果：

15、本发明对mosfet开关进行工作参数的数据采集，获取工作监测数据，对电压驱动单元和电阻调整单元进行参数数据采集，获取电压驱动数据和电阻调整数据，根据采集的数据进行开关工作状态的分析，得到工作状态特征，基于工作状态特征进行梯度分析，制定若干优化测试方案，依次执行各个梯度的优化测试方案，获取优化测试特征，并根据测试特征决定是否执行下一梯度的优化方案，通过此方法，可以系统且精确地优化碳化硅mosfet的开关特性。实时数据分析和梯度优化步骤提高了优化效率，减少了试错成本，并增强了mosfet的性能稳定性和可靠性。

技术特征：

1.一种高性能碳化硅mosfet开关特性优化方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的高性能碳化硅mosfet开关特性优化方法，其特征在于，对mosfet开关进行开关工作参数的数据采集，得到所述mosfet开关的工作监测数据的步骤包括：

3.如权利要求1所述的高性能碳化硅mosfet开关特性优化方法，其特征在于，对与所述mosfet开关进行电路连接的电压驱动单元与电阻调整单元进行单元工作参数的数据采集，得到所述电压驱动单元的电压驱动数据与所述电阻调整单元的电阻调整数据的步骤包括：

4.如权利要求2所述的高性能碳化硅mosfet开关特性优化方法，其特征在于，根据所述工作监测数据、所述电压驱动数据以及所述电阻调整数据对所述mosfet开关进行开关工作状态的分析处理，得到所述mosfet开关的工作状态特征的步骤包括：

5.如权利要求4所述的高性能碳化硅mosfet开关特性优化方法，其特征在于，根据所述工作状态特征对所述mosfet开关进行驱动优化方案的梯度分析处理，得到所述mosfet开关的若干执行梯度的优化测试方案的步骤包括：

6.如权利要求5所述的高性能碳化硅mosfet开关特性优化方法，其特征在于，根据若干种单元参数调整预案进行梯度解析处理，得到若干执行梯度的优化测试方案的步骤包括：

7.如权利要求6所述的高性能碳化硅mosfet开关特性优化方法，其特征在于，根据各个执行梯度的优化测试方案依次对所述电压驱动单元与所述电阻调整单元进行优化测试处理，在进行各个执行梯度的优化测试处理时，获取优化测试处理的优化测试特征，并根据所述优化测试特征决定是否执行下一梯度的优化测试方案，以对所述mosfet开关进行开关特性的优化的步骤包括：

8.一种高性能碳化硅mosfet开关特性优化装置，其特征在于，用于实现权利要求1-7任意一项所述的一种高性能碳化硅mosfet开关特性优化方法，包括：

技术总结本发明涉及MOSFET性能优化的技术领域，公开了一种高性能碳化硅MOSFET开关特性优化方法及装置，本发明对MOSFET开关进行工作参数的数据采集，获取工作监测数据，对电压驱动单元和电阻调整单元进行参数数据采集，获取电压驱动数据和电阻调整数据，根据采集的数据进行开关工作状态的分析，得到工作状态特征，基于工作状态特征进行梯度分析，制定若干优化测试方案，依次执行各个梯度的优化测试方案，获取优化测试特征，并根据测试特征决定是否执行下一梯度的优化方案，通过此方法，可以系统且精确地优化碳化硅MOSFET的开关特性。实时数据分析和梯度优化步骤提高了优化效率，减少了试错成本，并增强了MOSFET的性能稳定性和可靠性。技术研发人员：杨彦峰,黄凤明受保护的技术使用者：深圳市芯电元科技有限公司技术研发日：技术公布日：2025/1/13