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一种高温反向偏压测试设备的测试单元底座的制作方法
本技术涉及高温反向偏压测试设备，具体为一种高温反向偏压测试设备的测试单元底座。背景技术：1、随着经济的繁荣昌盛，人们生活水平的不断的提高，生产技术的发展越来越好，人们对自己时间的利用越来越苛刻，生活中......
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复合脉冲电子束偏压电路、偏压电源和电子枪
本发明涉及电子束加工设备，特别涉及一种复合脉冲电子束偏压电路、偏压电源和电子枪。背景技术：1、高频复合脉冲电子束焊接是一种先进的焊接技术，它结合了高频和低频脉冲的特点，以实现对焊接过程更精细地控制，以......
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本体偏压电路与本体偏压产生方法与流程
本发明涉及本体偏压电路，特别涉及可使得mos元件的本体效应(body effect)在一适当范围且不受工艺变异影响的本体偏压电路及本体偏压产生方法。背景技术：1、与本技术相关的现有技术有：a±4-a ......
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主体偏压发生器以及包括该主体偏压发生器的半导体装置的制作方法
各种示例实施例涉及一种主体偏压发生器和/或一种包括该主体偏压发生器的半导体装置。背景技术：1、半导体装置可以包括使用由外部主机提供的外部电源电压等来产生其操作所需要或使用的电源电压的电压产生器或电压产......
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隔板与偏压板的制作方法
专利名称：隔板与偏压板的制作方法专为冷冻剂蒸气设计的往复式制冷压缩机，在活塞缸中有液态冷冻剂和/或油的液体滞流状态时，产生超限的压力。处理大量液态冷冻剂和/或冷冻油时，活塞缸中压力可能接近并超过214......
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一种基于（In）GaN纳米柱阵列的自偏压光电催化体系及其应用
本发明涉及(in)gan纳米柱、光电极的集成、光电极与太阳能电池的集成、能源与催化领域，特别涉及一种基于(in)gan纳米柱阵列的自偏压光电催化体系及其应用。背景技术：1、自偏压光电化学(pec)水分......
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一种钒酸铋基无偏压光电化学池、制备方法及其在光电催化的应用
本发明属于纳米催化材料和光电催化技术及相关领域，涉及一种钒酸铋基无偏压光电化学池的制备方法，还包括光电化学池在光电催化氧气还原和水氧化制备过氧化氢的应用。背景技术：1、过氧化氢(h2o2)是一种高效、......
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一种浅埋偏压隧道施工方法与流程
本发明涉及隧道施工，特别地，涉及一种浅埋偏压隧道施工方法。背景技术：1、公路隧道断面一般采用马蹄形，因地形、地质岩层和施工等因素的不对称，导致隧道结构两侧的荷载不对称，进而形成了偏压。偏压侧若不处理则......
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双侧近接偏压隧道不良地质段进洞施工方法与流程
本发明涉及偏压隧道进洞，特别涉及一种双侧近接偏压隧道不良地质段进洞施工方法。背景技术：1、偏压隧道是由于地形不对称或者地质岩层因素，造成隧道结构两面荷载不对称而形成。当隧道入口位于地形条件较差的不稳定......
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一种偏压基坑支护装置的制作方法
本申请涉及建筑基坑防护的，尤其是涉及一种偏压基坑支护装置。背景技术：1、基坑是在基础设计位置按基底标高和基础平面尺寸所开挖的土坑，随着我国交通建设的发展，基坑工程越来越多，由于坑外不平衡堆载、坑内开挖......
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一种隧道洞口段偏压地质的抗滑桩复合结构的制作方法
本技术涉及隧道建设，具体为一种隧道洞口段偏压地质的抗滑桩复合结构。背景技术：1、隧道建设过程中，常常面临着地质偏压的情况，即隧道一侧的山体坡形较陡，对隧道形成了侧面压力,隧道偏压现象存在，则作用于隧道......
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用于PVD溅射腔室的可偏压式通量优化器/准直器的制作方法
本公开内容的实施方式一般地涉及一种用于将材料均匀溅射沉积到基板上的高深宽比特征的底部和侧壁中的装置和方法。背景技术：1、以可靠的方式产生亚半微米(sub-half micron)和更小的特征是半导体器......
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用于PVD溅射腔室的可偏压式通量优化器/准直器的制作方法
本公开内容的实施方式一般地涉及一种用于将材料均匀溅射沉积到基板上的高深宽比特征的底部和侧壁中的装置和方法。背景技术：1、以可靠的方式产生亚半微米(sub-half micron)和更小的特征是半导体器......
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一种耐直流偏压和交变电压的光敏介电特性的钙钛矿结构化合物及其制备方法
本发明涉及电子材料领域中具有优异光致介电响应特性的化合物及其制备方法，尤其是指一种耐直流偏压和交变电压的光敏介电特性的钙钛矿结构化合物及其制备方法。背景技术：1、在现代电子产品中，电容器是非常重要的一......
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小数据传输失败报告的制作方法
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一种船体上层建筑分段建造工艺的制作方法
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