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石墨舟的制作方法

  • 国知局
  • 2024-06-20 15:13:33

本申请涉及电池生产制造,尤其涉及一种石墨舟。

背景技术:

1、以n型钝化接触电池为代表的下一代高效电池,逐渐受到市场认可。钝化接触电池具有隧穿氧化层叠加掺磷的多晶硅层的膜层结构。

2、现有技术中,一般会在电池的硅片的印刷电极区域及非印刷电极区域先形成较厚的多晶硅层,再在印刷电极区域覆盖掩膜,通过化学刻蚀等方式将非印刷电极区域的多晶硅层减薄。但该方式需要增加湿法刻蚀等工序,增加了工序的繁琐程度。

技术实现思路

1、本申请公开了一种石墨舟,其能够降低在硅片表面沉积多晶硅层的工序的复杂程度。

2、为了实现上述目的,本申请公开一种石墨舟,包括:

3、叶片,所述叶片设置有舟框,所述舟框用于承载硅片;

4、掩膜板,所述掩膜板连接于所述叶片,所述掩膜板用于与所述硅片贴合,所述掩膜板开设有镂空槽,以使所述硅片的印刷电极区域经所述镂空槽露出、非印刷电极区域遮盖于所述掩膜板;

5、所述硅片被配置为与所述掩膜板贴合的表面沉积有第一多晶硅层,且在所述印刷电极区域对应的所述第一多晶硅层的表面经所述镂空槽沉积第二多晶硅层。

6、上述方式在印刷电极区域沉积较厚且掺杂磷的浓度较高的多晶硅层,可以有效防止浆料烧穿印刷电极区域,同时有利于增大欧姆接触,同时在非印刷电极区域沉积较薄且掺杂磷的浓度较低的多晶硅层,可以降低长波段的寄生吸收,降低电流损失。

7、可选地,所述掩膜板可拆卸地连接于所述叶片;在所述掩膜板与所述叶片分离时,承载于所述舟框的所述硅片沉积所述第一多晶硅层,在所述掩膜板连接于所述叶片时,经所述镂空槽露出并覆盖于所述印刷电极区域的所述第一多晶硅层的表面沉积所述第二多晶硅层。

8、上述方式可以方便更换及清洁掩膜板,从而提高生产效率。同时,在沉积第一多晶硅层后,可以直接安装掩膜板,无需对硅片进行额外的处理,从而减少生产步骤和成本。

9、可选地,还包括连接件,所述掩膜板通过所述连接件可拆卸地连接于所述叶片,且调节所述连接件可调节所述掩膜板与所述叶片之间的距离。

10、掩膜板通过连接件连接于叶片,且连接件不仅具有将掩膜板安装于叶片的作用,还具有调节作用,即通过调节连接件可以调节掩膜板与叶片之间的距离,从而使掩膜板能紧密贴合不同厚度的硅片的表面,避免对不同厚度的硅片沉积第二多晶硅层时出现绕镀的情况。

11、可选地,还包括承载件,所述承载件可拆卸地连接于所述舟框的内壁,所述掩膜板与所述承载件间隔设置,所述硅片夹持于所述掩膜板与所述承载件之间,所述承载件承载所述硅片的表面与所述叶片的表面平齐。

12、承载件可拆卸地设置于舟框的内壁,并与叶片的表面平齐,方便上下料。当硅片的形状及表面质量等参数不同时,舟框承载硅片的效果可能不佳,因此设置承载件承载硅片,可以达到适配硅片的效果。

13、可选地,所述掩膜板与所述承载件之间的间距范围为100um-200um。

14、硅片厚度范围一般为100um-200um,从而在保证电池的转换效率和寿命的同时可以控制制造工艺和生产成本。为了与硅片的厚度相匹配,掩膜板与承载件之间的间距范围也为100um-200um,以使硅片承载于承载件时,掩膜板能紧密贴合硅片。

15、可选地,还包括夹持件,所述夹持件连接于所述掩膜板的边缘,并连接于所述连接件,以使所述掩膜板连接于所述连接件;调节所述连接件可调节所述夹持件与所述叶片之间的距离,以调节所述掩膜板与所述叶片之间的距离。

16、夹持件用于配合承载件夹持硅片,且夹持件可以设置于掩膜板的边缘,从而使得夹持件可以夹持于硅片的边缘,以避免硅片移动。

17、可选地,所述夹持件朝向所述硅片的表面与所述掩膜板贴合所述硅片的表面平齐,所述硅片夹持于所述夹持件与所述承载件之间。

18、掩膜板紧密贴合于硅片表面时对硅片施加的作用力可以小于夹持件夹持硅片时对硅片施加的作用力,从而可以避免对硅片表面的核心区域造成损伤,以达到保护硅片的目的。

19、可选地,所述连接件的数量至少为四个,至少四个所述连接件绕所述掩膜板的边缘均匀设置。

20、在掩膜板的边缘均匀设置至少四个连接件,使得掩膜板紧密贴合于对硅片表面时对硅片表面施加的作用力较为均衡,不会出现局部作用力过大的情况。

21、可选地,所述舟框的内壁设置有卡点,在所述掩膜板与所述叶片分离时,所述硅片通过所述卡点固定于所述舟框。

22、硅片通过卡点固定于舟框,避免硅片在沉积第一多晶硅层的过程中出现脱落的情况。

23、可选地,所述镂空槽的宽度范围为20um-100um。

24、印刷电极区域的宽度范围一般为20um-100um,从而在确保电池的效率与性能的同时可以控制制造工艺及生产成本。印刷电极区域需要经镂空槽露出,才能在印刷电极区域对应的第一多晶硅层上沉积第二多晶硅层,因此镂空槽的宽度范围为20um-100um,以与印刷电极区域相匹配。

25、与现有技术相比,本申请的有益效果在于:

26、本申请提供的石墨舟,硅片的印刷电极区域通过掩膜板的镂空槽露出,从而可以经镂空槽在印刷电极区域沉积较厚且掺杂磷浓度较大的多晶硅层,以与非印刷电极区域沉积的较薄且掺杂磷浓度较小的多晶硅层形成差异,可以有效防止浆料烧穿印刷电极区域,同时可以降低非印刷电极区域对长波段的寄生吸收,降低电流损失,工序简单,可以有效提高生产效率,降低生产成本。

技术特征:

1.一种石墨舟,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的石墨舟,其特征在于,所述掩膜板可拆卸地连接于所述叶片。

3.根据权利要求2所述的石墨舟,其特征在于,还包括连接件,所述掩膜板通过所述连接件可拆卸地连接于所述叶片,且调节所述连接件可调节所述掩膜板与所述叶片之间的距离。

4.根据权利要求3所述的石墨舟,其特征在于,还包括承载件,所述承载件可拆卸地连接于所述舟框的内壁,所述掩膜板与所述承载件间隔设置,所述硅片夹持于所述掩膜板与所述承载件之间,所述承载件承载所述硅片的表面与所述叶片的表面平齐。

5.根据权利要求4所述的石墨舟,其特征在于,所述掩膜板与所述承载件之间的间距范围为100um-200um。

6.根据权利要求4所述的石墨舟,其特征在于,还包括夹持件,所述夹持件连接于所述掩膜板的边缘,并连接于所述连接件,以使所述掩膜板连接于所述连接件;调节所述连接件可调节所述夹持件与所述叶片之间的距离,以调节所述掩膜板与所述叶片之间的距离。

7.根据权利要求6所述的石墨舟,其特征在于,所述夹持件朝向所述硅片的表面与所述掩膜板贴合所述硅片的表面平齐,所述硅片夹持于所述夹持件与所述承载件之间。

8.根据权利要求3-7任一项所述的石墨舟,其特征在于,所述连接件的数量至少为四个,至少四个所述连接件绕所述掩膜板的边缘均匀设置。

9.根据权利要求2-7任一项所述的石墨舟,其特征在于,所述舟框的内壁设置有卡点,在所述掩膜板与所述叶片分离时,所述硅片通过所述卡点固定于所述舟框。

10.根据权利要求1-7任一项所述的石墨舟,其特征在于,所述镂空槽的宽度范围为20um-100um。

技术总结本申请涉及电池生产制造技术领域,尤其涉及一种石墨舟。石墨舟包括叶片以及掩膜板。叶片设置有舟框,舟框用于承载硅片。掩膜板连接于叶片,掩膜板用于与硅片贴合,掩膜板开设有镂空槽,以使硅片的印刷电极区域经镂空槽露出、非印刷电极区域遮盖于掩膜板。本申请提供的石墨舟,硅片的印刷电极区域通过掩膜板的镂空槽露出,可以经镂空槽在印刷电极区域沉积较厚且掺杂磷浓度较大的多晶硅层,有效防止浆料烧穿印刷电极区域,工序简单,可以有效提高生产效率,降低生产成本。技术研发人员:杨鹏受保护的技术使用者:通威太阳能(眉山)有限公司技术研发日:20231019技术公布日:2024/6/11

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