电池盖的制备方法及电子设备与流程

本公开涉及电池盖制造，尤其涉及一种电池盖的制备方法及电子设备。

背景技术：

1、随着科学技术的不断发展，手机、平板等电子设备逐步普及。对电子设备的电池盖的装饰要求也逐步提高。常见的电池盖装饰工艺有贴膜片、镀膜、ag、闪光砂和表面微纹理等形式。其中，电池盖镀膜的方式可以是靶材通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的方式。

2、由于电池盖的边缘部分弯曲，使得电池盖边缘位置与靶材的距离和大面位置与靶材之间的距离不同，会导致每一层镀膜的厚度偏差，随着每层镀膜的误差逐步累积，使得电池盖会出现严重的边缘异色问题。

技术实现思路

1、本公开提供一种电池盖的制备方法及电子设备。

2、本公开提供一种电池盖的制备方法，其中包括：

3、对玻璃基材进行加工处理，得到非光面玻璃基板；

4、在所述非光面玻璃基板的外侧表面镀膜；及

5、对镀膜后的所述非光面玻璃基板进行热弯处理。

6、进一步地，所述对玻璃基材进行加工处理，包括：

7、对所述玻璃基材的外侧表面的边缘位置进行丝网印刷，在所述边缘位置形成非镀膜区域。

8、进一步地，所述非光面玻璃基板的外侧表面具有不连续性；和/或

9、所述非光面玻璃基板的透过率的范围为70％至90％；和/或

10、所述非光面玻璃基板的雾度的范围为70％至90％；和/或

11、所述非光面玻璃基板的外侧表面的粗糙度的范围为0.1um至5um。

12、进一步地，所述在所述非光面玻璃基板的外侧表面镀膜，包括：

13、采用物理气相沉积的方式在所述非光面玻璃基板的外侧表面镀膜形成膜层结构。

14、进一步地，所述在所述非光面玻璃基板的外侧表面镀膜，包括：

15、在所述非光面玻璃基板的外侧表面交错镀膜形成交错堆叠的高折射率膜层和低折射率膜层。

16、进一步地，所述高折射率膜层的材料包括氮化硅、氧化钛及氧化锆中的其中一者；和/或

17、所述低折射率膜层的材料包括二氧化硅、五氧化二铌中的其中一者。

18、进一步地，所述高折射率膜层的厚度的范围为20nm至100nm；和/或

19、所述低折射率膜层的厚度的范围为20nm至100nm。

20、进一步地，所述在所述非光面玻璃基板的外侧表面镀膜，包括：

21、根据预设厚度，在所述非光面玻璃基板的外侧表面镀膜形成膜层结构，所述非光面玻璃基板与所述膜层结构的总厚度小于等于所述预设厚度。

22、进一步地，所述预设厚度的范围为小于等于2um。

23、进一步地，所述对镀膜后的所述非光面玻璃基板进行热弯处理，包括：

24、对镀膜后的所述非光面玻璃基板进行预热处理；

25、对预热后的所述非光面玻璃基板进行成型处理；

26、对成型后的所述非光面玻璃基板进行冷却处理。

27、进一步地，所述对镀膜后的所述非光面玻璃基板进行预热处理，包括：

28、将镀膜后的所述非光面玻璃基板的温度升至第一温度；

29、在所述第一温度的基础上，对所述非光面玻璃基板进行至少一次的升温操作，以使所述非光面玻璃基板的温度达到第二温度。

30、进一步地，所述升温操作包括：

31、以设定温度对所述非光面玻璃基板进行升温；

32、以第一设定时间对所述非光面玻璃基板进行保温。

33、进一步地，所述第一温度的范围为600℃至800℃；和/或

34、所述第二温度的范围为600℃至800℃。

35、进一步地，所述对预热后的所述非光面玻璃基板进行成型处理，包括：

36、对预热后的所述非光面玻璃基板进行至少一次的成型操作，直至将所述非光面玻璃基板的温度降至所述第一温度。

37、进一步地，所述成型操作包括：

38、对所述非光面玻璃基板施加第一设定压强，并维持第二设定时间；

39、对所述非光面玻璃基板的温度进行降温。

40、进一步地，所述第一设定压强的范围为0.1mpa至1mpa之间；和/或

41、所述第二设定时间的范围为30s至120s之间。

42、进一步地，所述非光面玻璃基板的温度降至所述第一温度之后，还包括：

43、对所述非光面玻璃基板施加第二设定压强，并维持第三设定时间。

44、进一步地，所述对镀膜后的所述非光面玻璃基板进行热弯处理之后，所述电池盖的制备方法还包括：

45、将热弯处理后的所述非光面玻璃基板放入强化炉中，依照设定的温度及处理时间进行强化。

46、本公开还提供一种电子设备，其中包括如上述任一实施例所述的电池盖。

47、本公开提供的一种电池盖的制备方法，先在非光面玻璃基板的外侧表面镀膜，再对镀膜后的非光面玻璃基板进行热弯处理，使得在镀膜过程中，非光面玻璃基板的边缘位置至靶材的距离和大面位置至靶材的距离接近或相等，减小了镀膜过程中的误差累积，从而解决了电池盖的边缘异色问题，提升了电池盖的视觉效果。

48、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

技术特征：

1.一种电池盖的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述对玻璃基材进行加工处理，包括：

3.根据权利要求1所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述非光面玻璃基板的外侧表面具有不连续性；和/或

4.根据权利要求1所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述在所述非光面玻璃基板的外侧表面镀膜，包括：

5.根据权利要求1至4任一项所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述在所述非光面玻璃基板的外侧表面镀膜，包括：

6.根据权利要求5所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述高折射率膜层的材料包括氮化硅、氧化钛及氧化锆中的其中一者；和/或

7.根据权利要求5所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述高折射率膜层的厚度的范围为20nm至100nm；和/或

8.根据权利要求1所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述在所述非光面玻璃基板的外侧表面镀膜，包括：

9.根据权利要求8所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述预设厚度的范围为小于等于2um。

10.根据权利要求1所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述对镀膜后的所述非光面玻璃基板进行热弯处理，包括：

11.根据权利要求10所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述对镀膜后的所述非光面玻璃基板进行预热处理，包括：

12.根据权利要求11所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述升温操作包括：

13.根据权利要求11所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述第一温度的范围为600℃至800℃；和/或

14.根据权利要求11所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述对预热后的所述非光面玻璃基板进行成型处理，包括：

15.根据权利要求14所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述成型操作包括：

16.根据权利要求15所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述第一设定压强的范围为0.1mpa至1mpa之间；和/或

17.根据权利要求14所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述非光面玻璃基板的温度降至所述第一温度之后，还包括：

18.根据权利要求1所述的电池盖的制备方法，其特征在于，所述对镀膜后的所述非光面玻璃基板进行热弯处理之后，所述电池盖的制备方法还包括：

19.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-18任一项所述的电池盖。

技术总结本公开提供一种电池盖的制备方法及电子设备。电池盖的制作方法包括对玻璃基材进行加工处理，得到非光面玻璃基板。在所述非光面玻璃基板的外侧表面镀膜。对镀膜后的所述非光面玻璃基板进行热弯处理。先在非光面玻璃基板的外侧表面镀膜，再对镀膜后的非光面玻璃基板进行热弯处理，使得镀膜过程中，非光面玻璃基板的边缘位置与靶材的距离和大面位置与靶材之间的距离相同，减少了镀膜过程中的误差累积，解决了电池盖的边缘异色的问题，提升了视觉效果。技术研发人员：原树同,王煜琨受保护的技术使用者：北京小米移动软件有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/27