制造晶锭的装置的制作方法

本发明涉及半导体，涉及一种制造晶锭的装置。

背景技术：

1、就半导体晶锭的长晶技术而言，例如碳化硅(sic)晶锭生长的方法包括物理气相传输法(pvt法)(又称为升华法(sublimation法)、高温化学气相沉积法(htcvd法)或溶液生长法(solution growth法)。

2、其中，物理气相传输法(pvt法)由于具有长晶速率快、操作简单和成本低等优点，因此是业界目前普遍采用的长晶方法。

3、坩埚是利用物理气相传输法进行碳化硅(sic)晶锭生长的主要装置，主要由盖体与埚体构成。将碳化硅(sic)粉末材料放置于埚体内的底面，晶种设置于盖体的底面。将坩埚置放于腔体内，待腔体抽真空而后加热，使坩埚升温至预设温度(例如2000摄氏度以上)后，碳化硅(sic)粉末升华出各种碳化硅(sic)分子上升至晶种，并于晶种表面沉积形成碳化硅(sic)晶体。

4、目前本领域工作人员利用物理气相传输法(pvt法)进行长晶时，于腔体抽真空初期，坩埚内外会产生压力差，导致盖体因工艺降压而浮起。待坩埚内外压力接近平衡后，盖体会落下，而盖体底面是否能够与埚体的顶面密合，是影响长晶品质与良率的因素之一。

5、据此，如何发展出一种于盖体与埚体设有可相互搭配的导准结构，能够确保盖体于长晶工艺抽真空后可确实落下与埚体密合的“制造晶锭的装置”，是相关技术领域人员亟待解决的问题。

技术实现思路

1、于一实施例中，本发明提出一种制造晶锭的装置，适用于晶锭生长制程，该装置包含：

2、埚体，其具有上下贯通呈筒状的埚身，于埚身的底部设有埚底，埚身与埚底形成内部空间供置放长晶原料，埚身的顶部具有相对的环状埚身外侧壁与环状埚身内侧壁，埚身外侧壁的外径大于埚身内侧壁的内径，在埚身外侧壁与埚身内侧壁之间具有环状的顶缘，埚身内侧壁与顶缘的相连接处形成环状的第一导准部，第一导准部为非直角；以及

3、盖体，其底面供设置晶种，盖体的底面设有突出部，突出部的最大外径小于盖体的最大外径，突出部的外沿对应于第一导准部具有环状的第二导准部，第二导准部为非直角，盖体可分离地覆盖于埚体的顶部，突出部嵌入于埚身内侧壁之内，第一导准部与第二导准部相接触，且突出部外围的盖体底面与埚体顶缘接触。

技术特征：

1.一种制造晶锭的装置，适用于晶锭生长制备工艺，该装置包含：

2.根据权利要求1所述制造晶锭的装置，其中该第一导准部为倒角，该第二导准部为倒角。

3.根据权利要求1所述制造晶锭的装置，其中该顶缘的宽度为a，该埚身外侧壁与该埚身内侧壁的距离为b，该顶缘与该第一导准部底缘的垂直距离为c，该a、该b、该c的关系为：

4.根据权利要求3所述制造晶锭的装置，其中该c的范围为：

5.根据权利要求3所述制造晶锭的装置，其中该a、该b、该c的关系为：

6.根据权利要求1所述制造晶锭的装置，其中该第一导准部为凸弧形或凹弧形其中之一，该第二导准部为凹弧形或凸弧形其中之一。

7.根据权利要求1所述制造晶锭的装置，其中该顶缘与该埚身外侧壁之相连接处、该顶缘与该第一导准部的相连接处、该第一导准部与该埚身内侧壁的相连接处，至少其中之一具有圆弧或倒角。

8.根据权利要求1所述制造晶锭的装置，其中该第一导准部与该第二导准部相接触的面上其中之一设有至少一凸榫，另一设有至少一凹槽，该盖体可分离地覆盖于该埚体的顶部，该第一导准部与该第二导准部相接触，该凸榫嵌入该凹槽内。

9.根据权利要求8所述制造晶锭的装置，其中该凹槽由嵌入段与卡合段构成，该嵌入段平行于该埚身之轴心方向延伸具有长度，该卡合段垂直于该嵌入段延伸具有长度。

技术总结本发明提供一种制造晶锭的装置，包含埚体与盖体；埚体具有埚身，埚身底部设有埚底，埚身与埚底形成内部空间供置放长晶原料，埚身顶部具有环状的埚身外侧壁与埚身内侧壁，于埚身外侧壁与埚身内侧壁间具有环状顶缘，埚身内侧壁与顶缘的相连接处形成环状且非直角的第一导准部；盖体的底面供设置晶种，底面设有突出部，其外沿对应于第一导准部具有环状且非直角的第二导准部，盖体可分离地覆盖于埚体顶部，突出部嵌于埚身内侧壁内，第一导准部与第二导准部相接触，且突出部外围盖体的底面与埚体的顶缘接触。技术研发人员：陈芸夆,张评款,柳水金,郭明村,陈松裕受保护的技术使用者：财团法人工业技术研究院技术研发日：技术公布日：2024/6/11