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碳化硅衬底片宏观缺陷检测装置的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-17 13:06:13

本技术涉及半导体,尤其是涉及一种碳化硅衬底片宏观缺陷检测装置。

背景技术:

1、相关技术中指出,第三代碳化硅半导体为宽禁带半导体材料,sic的禁带宽度为3.2ev,远超过si的禁带宽度1.12ev,因此,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,已逐渐走入大规模运用,在功率器件领域,碳化硅二极管、mosfet已经开始商业化应用。目前碳化硅衬底片在生产过程中,不可避免的存在一些崩边、划痕、隐裂、包裹等外观缺陷,因此,对碳化硅衬底片的检测尤为重要。

2、目前,碳化硅衬底片表面检测主要由工作人员使用晶片夹或者吸笔拿取晶片,在强光灯下检测整个晶片,此方法检测区域小,需移动衬底片进行全面检测,且灯源强度不可调节,难免会出现漏检,且检测效率低。同时,检测碳化硅衬底片不同角度的缺陷时,需要不同角度的移动晶片,容易出现在检测过程中拿取不稳存而导致衬底片掉落,从而增加了企业的生产成本。

技术实现思路

1、本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型在于提出一种碳化硅衬底片宏观缺陷检测装置,能够便于工作人员快速、准确的检测碳化硅衬底片的宏观缺陷。

2、根据本实用新型一种碳化硅衬底片宏观缺陷检测装置,包括环形检测平台、支撑底座、第一反射镜、第二反射镜、灯源及灯源底座,所述环形检测平台用于承载碳化硅衬底片;所述支撑底座用于支撑环形检测平台,所述支撑底座侧壁开设有通孔,其顶壁由透明材料制造而成;所述第一反射镜通过调节部件安装在所述支撑底座内部,所述调节部件用于调节第一反射镜的角度;所述第二反射镜安装在所述支撑底座内侧底部,用于反射第一反射镜射入的光源;所述灯源底座通过伸缩部件安装在所述支撑底座外侧,所述灯源安装在所述灯源底座上,所述灯源发射出的光束通过所述通孔射入至第一反射镜。

3、上述方案中,工作人员首先将待检测碳化硅衬底片尺寸放置在环形检测平台上,然后打开灯源,灯源的光束穿过通孔射入第一反射镜,第一反射镜再将射入的光源反射至第二反射镜,第二反射镜再将光源反射至上方的衬底片,以边便于工作人员对碳化硅衬底片进行检测。检测过程中,工作人员可通过调整灯源底座与支撑底座之间的距离,以调节灯源的亮度,还可根据检测需要通过调节部件调节第一反射镜的角度,以满足检测所需的各个角度的光源,从而查看碳化硅衬底片不同角度的缺陷。

4、在一些实施例中,本实用新型环形检测平台为环形支撑架,所述环形支撑架包括内环支撑架和外环支撑架,所述内环支撑架外侧壁可拆卸的连接在所述外环支撑架内侧;所述内环支撑架和所述外环支撑架上均均布有至少3个承载件,用于承载碳化硅衬底片。内环支撑架和外环支撑架可用于不同尺寸的碳化硅衬底片,使得本实用新型的适用范围更广,使用时只需将碳化硅衬底片放置在3个承载件上即可。

5、在一些实施例中,本实用新型承载件上开设有条形通孔,连接件穿过所述条形通孔将所述承载件安装在所述内环支撑架和外环支撑架上靠近内边缘的位置,所述承载件能够相对于所述连接件转动以及在径向方向上移动。

6、在一些实施例中,本实用新型承载件为阶梯状,包括低阶梯和高阶梯,所述低阶梯用于承载碳化硅衬底片,所述高阶梯用于对所述碳化硅衬底片进行限位,所述条形通孔开设在所述高阶梯上。

7、在一些实施例中,本实用新型内环形支撑架的内径为155mm,其外径为160mm。

8、上述技术方案可根据碳化硅衬底片的尺寸,选择使用内环支撑架或外环支撑架,同时还可通过内、外环支撑架上的条形通孔调节承载件的位置,以使本实用新型适应更多尺寸的碳化硅衬底片。

9、在一些实施例中,本实用新型支撑底座为空心圆柱体,所述支撑底座侧壁和底壁由不透明材料制作而成,其顶壁由透明玻璃制作而成。本实施例支撑底座侧壁和底壁均为不透明材料制作而成,顶壁为透明玻璃制作而成,可防止外部光线的干扰。

10、在一些实施例中,本实用新型调节部件为丝杠调节杆,且其的两端伸出至所述支撑底座的外部,调节部件主要用于调节第一反射镜的角度。

11、在一些实施例中,本实用新型灯源底座通过伸缩部件安装在所述支撑底座外侧壁上,可通过伸缩部件调整灯源底座与支撑底座之间的距离,从而调节灯光的明暗度。

12、与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:

13、1)本实用新型可以直接对整片碳化硅衬底片进行检测,以观察整个衬底片的缺陷,提高了检测效率。

14、2)本实用新型可以通过第一反射镜的角度变换,调整光线照射到衬底片上的角度,无需移动衬底片,即可查看不同角度的缺陷,避免了衬底片在移动过程中掉落的风险。

15、3)本实用新型灯源强度可调,从而提升了检测能力。

16、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。

技术特征:

1.一种碳化硅衬底片宏观缺陷检测装置,其特征在于,包括

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅衬底片宏观缺陷检测装置,其特征在于,所述环形检测平台为环形支撑架,所述环形支撑架包括内环支撑架和外环支撑架,所述内环支撑架外侧壁可拆卸的连接在所述外环支撑架内侧;所述内环支撑架和所述外环支撑架上均均布有至少3个承载件,用于承载碳化硅衬底片。

3.根据权利要求2所述的一种碳化硅衬底片宏观缺陷检测装置,其特征在于,所述承载件上开设有条形通孔,连接件穿过所述条形通孔将所述承载件安装在所述内环支撑架和外环支撑架上靠近内边缘的位置,所述承载件能够相对于所述连接件转动以及在径向方向上移动。

4.根据权利要求3所述的一种碳化硅衬底片宏观缺陷检测装置,其特征在于,所述承载件为阶梯状,包括低阶梯和高阶梯,所述低阶梯用于承载碳化硅衬底片,所述高阶梯用于对所述碳化硅衬底片进行限位,所述条形通孔开设在所述高阶梯上。

5.根据权利要求2或3所述的一种碳化硅衬底片宏观缺陷检测装置,其特征在于,所述内环形支撑架的内径为155mm,其外径为160mm。

6.根据权利要求2所述的一种碳化硅衬底片宏观缺陷检测装置,其特征在于,所述支撑底座为空心圆柱体,所述支撑底座侧壁和底壁由不透明材料制作而成,其顶壁由透明玻璃制作而成。

7.根据权利要求6所述的一种碳化硅衬底片宏观缺陷检测装置,其特征在于,所述调节部件为丝杠调节杆,且其两端伸出至所述支撑底座外部。

8.根据权利要求5所述的一种碳化硅衬底片宏观缺陷检测装置,其特征在于,所述灯源底座通过伸缩部件安装在所述支撑底座外侧壁上。

技术总结本技术公开了一种碳化硅衬底片宏观缺陷检测装置,包括环形检测平台、支撑底座、第一反射镜、第二反射镜、灯源及灯源底座;环形检测平台用于承载碳化硅衬底片;支撑底座用于支撑环形检测平台,支撑底座侧壁和底壁由不透明材料制作而成,且其侧壁开设有通孔,其顶壁由透明材料制造而成;第一反射镜通过调节部件安装在支撑底座内部,调节部件用于调节第一反射镜的角度;第二反射镜安装在支撑底座内侧底部,用于反射第一反射镜射入的光源;灯源底座通过伸缩部件安装在支撑底座外侧,灯源安装在灯源底座上,灯源发射出的光束通过通孔射入至第一反射镜。本技术能够便于工作人员快速、准确的检测碳化硅衬底片的宏观缺陷。技术研发人员:陈传卫,胡家乐,徐玉婷受保护的技术使用者:江苏集芯先进材料有限公司技术研发日:20231124技术公布日:2024/7/11

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