处理制品的方法及相应装置与流程

本描述涉及经由处理浴液(processing bath)处理制品。例如，本文所述的解决方案可以有利地应用于用于制造半导体器件的电镀设备中。

背景技术：

1、制造半导体器件的各种工艺包括一个步骤，其中在模制树脂之后，在酸性焊料电镀浴液中电镀引线框架，该焊料电镀浴液可以含有润湿剂。

2、粘合促进剂可以设置在引线框架上，以便增强模制材料(例如树脂)和引线框架材料(例如金属)之间的粘合。

3、注意，当ph低于3时，粘合促进剂(例如氧化银)可溶于酸性浴液；如果引线框架长时间(例如，10-15分钟)停留在焊料电镀浴液中，这导致焊料电镀浴液溶解粘合促进剂。

4、在化学浴中的这种延长的时间可能导致分层问题，这代表了工艺中的弱点，例如目前称为非蚀刻—粘附—促进剂(neap)的工艺。

技术实现思路

1、本文描述的解决方案旨在解决前述讨论的问题。

2、这种目的可以通过具有所附权利要求中所述特征的方法来实现。

3、一个或多个实施例涉及相应的设备。

4、权利要求是就实施例提供的技术教导的组成部分。

5、本文描述的解决方案基于被配置为在(临时)工具/设备停止的情况下保护正在处理的制品的工具/设备。

6、本文所述的解决方案包括喷嘴，其被配置为在设备停止期间形成保护性气泡幕，该气泡幕阻止被处理的制品(例如，半导体器件的引线框架)与处理浴液(例如，焊料电镀浴)的长时间接触。

7、本文所述的解决方案包括提供惰性气体(例如n2)幕，以对抗制品表面的浴液更新。

8、本文所述的解决方案通常可应用于各种类型的工具/设备，其中被处理的制品通过处理(例如，电化学)浴液移动(例如，前进)，并且移动(运动)的可能停止可能不希望地导致制品与浴液长时间接触。

技术特征：

1.一种方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述气流是惰性气体流，优选氮气流。

3.根据权利要求1所述的方法，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，包括相对于所述制品的所述移动被停止，延迟地提供研磨所述制品的所述相对表面的气流。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

6.一种装置，包括：

7.根据权利要求6所述的装置，包括：

8.根据权利要求7所述的装置，包括能选择性控制的分隔壁：

9.根据权利要求8所述的装置，包括分隔壁，所述分隔壁被支撑在所述容器的下部区域并且能选择性控制：

10.根据权利要求6所述的装置，其中所述气源被配置为相对于所述制品的所述移动被停止，延迟地提供研磨所述第二单元内所述制品的所述相对表面的气流。

11.一种方法，包括：将制品浸入容器中的处理浴液中，所述制品具有暴露于所述处理浴液的相对表面；

12.根据权利要求11所述的装置，包括：

13.根据权利要求12所述的装置，包括能选择性控制的分隔壁：

14.根据权利要求13所述的装置，包括被支撑在所述容器的下部区域并且能选择性地控制的分隔壁：

15.根据权利要求11所述的装置，其中所述气源被配置为相对于所述制品的所述移动被停止，延迟地提供研磨在所述第二单元内的所述制品的所述相对表面的所述气流。

技术总结公开了处理制品的方法及相应装置。在电镀浴液中处理诸如用于半导体产品的基板的制品，所述制品包括金属和具有粘合促进剂材料的树脂部分，其中作为长时间暴露于电镀浴液的结果，粘合促进剂材料暴露溶解中。通过将制品浸入处理浴液中使其相对表面暴露于处理浴液来处理制品。制品通过处理浴液B的移动可能发生停止。在这种情况下，提供气流研磨制品的相对表面，以保护制品的相对表面不暴露于处理浴液。技术研发人员：P·克雷马受保护的技术使用者：意法半导体股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/10