铜箔表面的平滑化方法及所制得的铜箔与流程

本发明涉及一种铜箔表面的处理方法，尤其是涉及一种铜箔表面的平滑化方法及所制得的铜箔。

背景技术：

1、铜箔的低信号耗损性是讯号完整性维持之关键。当信号高频高速化时，信号传输越来越集中于铜箔表层，故铜箔表层的型态与信号传输的完整性相关联。当铜箔表层的粗糙度越高(即平滑性越低)，传输信号的驻波与反射益发严重，导致信号传输路径变长，信号损耗增加。

2、为了降低铜箔表层的粗糙度，现有技术会在铜箔表面进行抛光，可例如是机械式抛光(如研磨)或电解抛光，其中，电解抛光对降低铜箔表面的粗糙度有所限制。具体而言，在进行电解抛光的过程中，当铜箔表面累积高于一定电荷量时，此时会发生过渡抛光或孔蚀(pitting)的现象，使得铜箔的表面粗糙度反而会上升。因此，开发一种新的铜箔表面的平滑化方法，为目前业界努力的目标。

技术实现思路

1、本发明是针对一种铜箔表面的平滑化方法，可有效降低铜箔表面的粗糙度，并降低孔蚀现象的发生。

2、本发明的铜箔表面的平滑化方法，包括以下步骤。提供铜箔。对铜箔进行第一电解抛光制程。对铜箔进行酸洗制程。对铜箔进行第二电解抛光制程。

3、在本发明的一实施例中，上述进行酸洗制程是在第一电解抛光制程之后且在第二电解抛光制程之前，且酸洗制程的步骤包括：以ph值为-1至2的酸液清洗铜箔。

4、在本发明的一实施例中，上述的酸液包括磷酸或硫酸，且以酸液的总重量计，硫酸或磷酸的含量为2重量％(wt％)至20重量％。

5、在本发明的一实施例中，上述的第一电解抛光制程的步骤包括：将铜箔置于抛光液中以进行电解抛光。抛光液包括含氮有机助剂，且以抛光液的总重量计，含氮有机助剂的含量为0.0001重量％至1重量％。

6、在本发明的一实施例中，上述的含氮有机助剂包括尿素、2-巯基苯并恶唑(2-mercaptobenzoxazole；mbo)、苯并三唑(benzotriazole)、4-羧酸基苯并三唑(4-carboxybenzotriazole)、5-胺基四唑(5-aminotetrazole)、3-胺基三唑(triazol-3-amine)或其组合。

7、在本发明的一实施例中，上述的第一电解抛光制程的电流密度为5安培/平方分米(a/dm2)至100安培/平方分米，且抛光秒数为5秒至40秒。

8、在本发明的一实施例中，上述的第二电解抛光制程的电流密度为5安培/平方分米至80安培/平方分米，且抛光秒数为5秒至40秒。

9、在本发明的一实施例中，上述的平滑化方法更包括以下步骤。在进行第二电解抛光制程之后，对铜箔进行钝化处理。

10、在本发明的一实施例中，上述进行第二电解抛光制程的抛光秒数小于第一电解抛光制程的抛光秒数，且进行第二电解抛光制程的电流密度低于第一电解抛光制程的电流密度。

11、本发明的铜箔，为上述任一项的平滑化方法所制得的铜箔成品，其中铜箔成品的表面的平均粗糙度小于1微米。

12、基于上述，本发明透过在第一电解抛光制程与第二电解抛光制程之间增加酸洗制程，可清除电解过程中所产生的氧化铜或/及部份沈积的磷酸铜，因此可在铜箔表面累积较高电荷量的情况下，有效降低铜箔表面的平均粗糙度，并降低孔蚀现象的发生。

技术特征：

1.一种铜箔表面的平滑化方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的平滑化方法，其特征在于，进行所述酸洗制程是在所述第一电解抛光制程之后且在所述第二电解抛光制程之前，且所述酸洗制程的步骤包括：以ph值为-1至2的酸液清洗所述铜箔。

3.根据权利要求2所述的平滑化方法，其特征在于，所述酸液包括磷酸或硫酸，且以所述酸液的总重量计，所述磷酸或所述硫酸的含量为2重量％至10重量％。

4.根据权利要求1所述的平滑化方法，其特征在于，所述第一电解抛光制程的步骤包括：将所述铜箔置于抛光液中以进行电解抛光，其中所述抛光液包括含氮有机助剂，且以所述抛光液的总重量计，所述含氮有机助剂的含量为0.0001重量％至1重量％。

5.根据权利要求4所述的平滑化方法，其特征在于，所述含氮有机助剂包括尿素、2-巯基苯并恶唑、苯并三唑、4-羧酸基苯并三唑、5-胺基四唑、3-胺基三唑或其组合。

6.根据权利要求1所述的平滑化方法，其特征在于，所述第一电解抛光制程的条件包括：电流密度为5安培/平方分米至100安培/平方分米，且抛光秒数为5秒至40秒。

7.根据权利要求1所述的平滑化方法，其特征在于，所述第二电解抛光制程的条件包括：电流密度为5安培/平方分米至80安培/平方分米，且抛光秒数为5秒至40秒。

8.根据权利要求1所述的平滑化方法，其特征在于，进行所述第二电解抛光制程的抛光秒数小于所述第一电解抛光制程的抛光秒数，且进行所述第二电解抛光制程的电流密度低于所述第一电解抛光制程的电流密度。

9.根据权利要求1所述的平滑化方法，其特征在于，还包括：

10.一种根据权利要求1至权利要求9中任一项所述的平滑化方法所制得的铜箔成品，其特征在于，所述铜箔成品的表面的平均粗糙度等于或小于1微米。

技术总结本发明提供一种铜箔表面的平滑化方法及所制得的铜箔，其中，铜箔表面的平滑化方法包括以下步骤。提供铜箔并对铜箔进行第一电解抛光制程。接着，对铜箔进行酸洗制程后，再对铜箔进行第二电解抛光制程。本发明的平滑化方法可有效降低铜箔表面的粗糙度，并降低孔蚀现象的发生。技术研发人员：廖德超,郑维昇,吴朝栋受保护的技术使用者：南亚塑胶工业股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/4