MEMS芯片及其制备方法、MEMS器件、电子设备与流程

mems芯片及其制备方法、mems器件、电子设备技术领域1.本技术涉及通信技术领域，尤其涉及到一种mems芯片及其制备方法、mems器件、电子设备。背景技术：2.mems(micro-electro-mechanical system，微机电系统)微镜是利用mems技术实现光线偏转或者调制的器件，与机械微镜相比，mems微镜具有体积小、成本低、可靠性高以及利于集成等优点，因此被广泛应用于光通信领域，如光衰减器、波长选择开关、光交叉连接器等光调制模块；或被应用于自动驾驶领域，如光学雷达、抬头显示等所需的光学传感模块或显示模块。3.现有的一种mems微镜，其结构包括固定层、活动层和驱动结构，其中，固定层上设置有支撑结构，活动层可通过支撑梁活动设置在支撑结构上，且活动层背离固定层的一侧设置有光反射区，驱动结构则可用于驱动活动层相对固定层转动。这种微镜的缺点在于，微镜在受到较大的外界冲击时，支撑梁较易由于活动层的转动角度或位移过大而发生断裂，导致微镜的结构可靠性较低。4.申请内容5.本技术提供了一种mems芯片及其制备方法、mems芯片阵列、mems器件及电子设备，用以提高mems芯片的结构可靠性。6.第一方面，本技术提供了一种mems芯片，该mems芯片可包括衬底、运动组件、固定组件和驱动组件，固定组件可位于衬底与运动组件之间，且运动组件和固定组件都可以为导电结构。其中，运动组件可包括固定部、运动部以及第一支撑梁，第一支撑梁可分别与运动部和固定部连接，以将运动部可转动地设置在固定部上，且运动部朝向固定组件的第一面开设有第一避让槽；固定组件朝向运动组件的一面设置有凸台和第一限位柱，凸台可与固定部连接并对固定部进行支撑，以使运动部可相对固定组件转动，第一限位柱则位于固定组件上对应运动部的区域，且第一限位柱对应一个第一避让槽；驱动组件与运动部连接，可用于驱动运动部运动，以实现mems芯片的相关功能。7.上述方案中，当mems芯片受到外界冲击时，第一限位柱可以限制运动部朝向固定组件方向的位移幅度，从而可以减小由于运动部位移量过大而导致第一支撑梁断裂的风险，提高mems芯片的结构可靠性。8.在一些可能的实现方式中，第一限位柱与第一避让槽是一一对应的，或多个第一限位柱对应同一个第一避让槽。9.在一些可能的实施方案中，驱动组件具体可用于驱动运动部绕设定的第一旋转轴线转动，从而使运动部相对固定组件发生偏转；上述第一避让槽可位于第一旋转轴线的至少一侧，这样，当驱动组件驱动运动部转动时，第一限位柱可与第一避让槽配合对运动部的转动角度进行限制，减小运动部由于转动量过大而导致第一支撑梁损坏的风险，提高mems芯片的结构可靠性。10.为了简化mems芯片的制作工艺，在一个具体的实施方案中，可以将第一限位柱与凸台设计为相等的高度，从而使两者可以通过刻蚀工艺一次成型。11.在一些可能的实施方案中，运动部绕第一旋转轴线的最大转角为θ1max，第一避让槽的深度d1以及第一避让槽与第一旋转轴线的水平距离l1与θ1max之间满足：θ1max≤arctan(d1/l1)。避让槽的截面可以是矩形、圆形、椭圆形、三角形等，对于不同的形状，l1可以指避让槽的边上距离第一旋转轴线最近的点到第一旋转轴线的水平距离。此外，所述第一避让槽还可以有其他的形式，例如，第一旋转轴线穿过第一避让槽，此时，所述运动部绕所述第一旋转轴线的最大转角为θ3max，所述第一避让槽的深度d3以及所述第一限位柱上远离所述第一旋转轴线的点到所述第一旋转轴线的水平距离l3与θ3max之间满足：θ3max≤arctan(d3/l3)。根据上述公式，即可确定第一避让槽在一定位置时所需满足的深度范围，通过第一避让槽与第一限位柱之间的配合，可以使第一限位柱既能对运动部朝向固定组件方向的位移量进行限制，又能对运动部绕第一旋转轴线的转动量进行限制，从而提高mems芯片的结构可靠性。12.驱动组件的具体设置位置与其结构形式有关，而驱动组件的结构形式又由其驱动方式决定，根据驱动组件的驱动方式的不同，驱动组件可以设置在运动组件上，也可以设置在固定组件上，或者还可以分别设置在运动组件和固定组件上，下面分别以采用几种不同驱动方式的驱动组件为例，对其结构进行具体说明。13.在一个具体的实施方案中，固定组件可包括第一导电部和至少一个第二导电部，第一导电部可接地设置，且第一导电部与第二导电部之间通过第一隔离槽绝缘设置。由于固定组件接地设置，因此位于其上的第一限位柱可以通过直接接触的方式实现接地，避免后续采用硅通孔工艺或者金属埋线等复杂工艺，因此有利于简化mems芯片的制备工艺。14.进一步地，驱动组件可包括第一梳齿结构和第二梳齿结构，其中，第一梳齿结构与运动部连接，且第一梳齿结构至少位于第一旋转轴线的一侧；第二梳齿结构则可与第二导电部连接，且第二梳齿结构的梳齿与第一梳齿结构的梳齿错位设置，这样，在向第二梳齿结构施加驱动电压时，第二梳齿结构与第一梳齿结构之间就可形成一定的电势差，从而可以驱动第一梳齿结构及运动部绕第一旋转轴线转动，其中，第一旋转轴线的延伸方向即为第一支撑梁的延伸方向。15.为了扩展mems芯片的功能，第一梳齿结构还可以分别位于第一旋转轴线的两侧，这时第二梳齿结构可包括相间隔的第一驱动部和第二驱动部，且第一驱动部和第二驱动部分别位于不同的第二导电部上，且第一驱动部可与位于第一旋转轴线其中一侧的第一梳齿结构对应设置，第二驱动部则可与位于第一旋转轴线另一侧的第一梳齿结构对应设置。这样，在向第一驱动部施加驱动电压时，第一驱动部与对应侧的第一梳齿结构之间可形成一定的电势差，从而可以驱动运动部朝向第一驱动部所在的一侧转动；在向第二驱动部施加驱动电压时，第二驱动部与对应侧的第一梳齿结构之间可形成一定的电势差，从而可驱动运动部朝向第二驱动部所在的一侧转动。16.此外，第一避让槽以及第一限位柱可分别设置于第一旋转轴线的两侧，从而对运动部顺时针方向的转动量和逆时针方向的转动量分别进行限制，避免第一梳齿结构与第二梳齿结构发生吸合，提高mems芯片的结构可靠性。17.为了增加驱动组件的驱动力，以提高mems芯片的工作可靠性，第一梳齿结构还可以位于运动部的侧边，从而可以增加第一梳齿与第二梳齿结构之间的相对面积，进而增大两者之间的电势差形成的静电扭矩。18.在另一个具体的实施方案中，运动还可包括第一转动部和第二转动部，固定组件还可包括第二支撑梁，该第二支撑梁可分别与第一转动部和第二转动部连接，以使第二转动部可相对第一转动部绕第二旋转轴线转动；第一支撑梁则可分别与第一转动部和固定部连接，以使第一转动部以及连接在第一转动部上的第二转动部一同绕第一旋转轴线转动，其中，第二旋转轴线的延伸方向即为第二支撑梁的延伸方向；在该方案中，第二转动部既具有绕第一旋转轴线的转动自由度，也具有绕第二旋转轴线的转动自由度，即可以实现二维转动，因此可以扩展mems芯片的功能。19.另外，第二转动部的第一面还可开设有第二避让槽，该第二避让槽可至少位于第二旋转轴线的其中一侧；第一导电部朝向运动组件的一面具有与第二避让槽对应的第二限位柱，从而可以对第二转动部绕第二旋转轴线的至少一个方向的转动量进行限制。20.在一些可能的实施方案中，第二转动部绕第二旋转轴线的最大转角为θ2max，第二避让槽的深度d2以及第二避让槽26与第二旋转轴线的水平距离l2与θ2max之间满足：θ2max≤arctan(d2/l2)。避让槽的截面可以是矩形、圆形、椭圆形、三角形等，对于不同的形状，l2指避让槽的边上距离第二旋转轴线最近的点到第二旋转轴线的水平距离。此外，所述第二避让槽还可以有其他的形式，例如，第二旋转轴线穿过第二避让槽，此时，所述运动部绕所述第二旋转轴线的最大转角为θ5max，所述第二避让槽的深度d5以及所述第二限位柱上远离所述第二旋转轴线的点到所述第二旋转轴线的水平距离l5与θ5max之间满足：θ5max≤arctan(d5/l5)。根据该公式，即可确定第二避让槽在一定位置时所需满足的深度范围，通过第二避让槽与第二限位柱之间的配合，可以使第二限位柱既能对第二转动部朝向固定组件方向的位移量进行限制，又能对第二转动部绕第二旋转轴线的转动量进行限制，从而提高mems芯片的结构可靠性。21.在一些可能的实施方案中，固定组件还可包括至少一个第三导电部，第三导电部与第一导电部之间可通过第二隔离槽相互绝缘；驱动组件还可包括第三梳齿结构和第四梳齿结构，其中，第三梳齿结构可与第二转动部连接，且第三梳齿结构可位于第一旋转轴线的至少一侧；第四梳齿结构则可与第三导电部连接，且第四梳齿结构的梳齿与第三梳齿结构的梳齿错位设置，这样，在向第四梳齿结构施加驱动电压时，第四梳齿结构与第三梳齿结构之间就可形成一定的电势差，从而可以驱动第三梳齿结构及第二转动部绕第二旋转轴线转动。22.类似地，为了扩展mems芯片的功能，第三梳齿结构还可以分别位于第二旋转轴线的两侧，相应地，第四梳齿结构可包括相间隔的第三驱动部和第四驱动部，且第三驱动部和第四驱动部分别位于不同的第三导电部上，第三驱动部可与位于第二旋转轴线其中一侧的第三梳齿结构对应设置，第四驱动部则可与位于第二旋转轴线另一侧的第三梳齿结构对应设置。这样，在向第三驱动部输出驱动电压时，第三驱动部与对应侧的第三梳齿结构之间可形成一定的电势差，从而可以驱动第二转动部朝向第三驱动部所在的一侧转动；类似地，在向第四驱动部输出驱动电压时，第四驱动部与对应侧的第三梳齿结构之间可形成一定的电势差，从而可驱动第二转动部朝向第四驱动部所在的一侧转动。23.此外，第二避让槽以及第二限位柱可分别设置于第二旋转轴线的两侧，从而对第二转动部顺时针方向的转动量和逆时针方向的转动量分别进行限制，避免第三梳齿结构与第四梳齿结构发生吸合，提高mems芯片的结构可靠性。24.第一转动部和第二转动部的具体结构形式不限，在一个具体的实施方案中，固定部具体可以为柱状结构，且固定部的数量为至少两个，该至少两个固定部可沿第一支撑梁的延伸方向间隔设置；第二转动部上具有开口，至少一个固定部可位于开口内，第一转动部的一端伸入该开口内，且第一转动部的第一端可通过第一支撑梁与位于开口内的固定部连接，以及可通过两条第二支撑梁与第二转动部连接，第一转动部的第二端则可通过第一支撑梁与位于开口外的固定部连接。采用这种结构形式，可以可靠地将第二转动部转动设置在第一转动部上，并且当mems芯片作为微镜使用时，还有利于提升微镜的占空比。25.在另一个具体的实施方案中，第一转动部可以为框架结构，第二转动部可通过第二支撑梁连接在第一转动部的内侧，这种形式的mems芯片结构稳定性较高。26.在一些可能的实施方案中，mems芯片还可以包括第一止挡结构，运动部上开设有可用于容置第一止挡结构的开槽，第一止挡结构位于该开槽内，且第一止挡结构的周侧与该开槽的内壁之间存在间隔；另外，在第一导电部朝向运动组件的一面还可具有第一支撑柱，以用于支撑上述第一止挡结构。该方案中，第一止挡结构可以对运动部在平面内转动进行限制，避免由于运动部的转动量过大导致第一梳齿结构的梳齿与第二梳齿结构的梳齿接触而发生短路，对器件造成不可逆的损坏，进而可以提高mems芯片的结构可靠性。27.另外，为了减小第一止挡结构与运动部抵接后发生粘连的风险，第一止挡结构的周侧还具有第一凸起结构，以减小第一止挡结构与运动部的接触面积。28.在一些可能的实施方案中，当mems芯片还可包括位于衬底与固定组件之间的绝缘层时，绝缘层上对应第一隔离槽的位置还开设有第一通槽，这样可以避免第一隔离槽内有绝缘材料暴露，进而避免由于绝缘材料逐渐积累净电荷而导致的驱动组件的可靠性问题，有助于提升mems芯片的转动角度或者转动频率的长期稳定性。类似地，绝缘层上对应第二隔离槽的位置还可开设有第二通槽，以避免第二隔离槽内有绝缘材料暴露。29.在一个具体的实施方案中，驱动组件可包括驱动线圈和磁体，其中，驱动线圈具体可位于运动部的其中一面，且驱动线圈的两端可分别与驱动电源的正负极连接；磁体则位于mems芯片的一侧，或者也可以位于固定组件上，以产生经过运动部的磁场，使得通电后的驱动线圈在磁场作用下产生洛伦兹力，带动运动部绕第一旋转轴线转动。进一步地，线圈可以为螺旋状。30.上述方案中，运动部同样可包括第一转动部和第二转动部，第一转动部具体可以为框架结构；运动组件还可包括第二支撑梁，该第二支撑梁可分别与第二转动部和第一转动部的内侧连接，以使第二转动部可相对第一转动部绕第二旋转轴线转动；第一支撑梁则可分别与第一转动部和固定部连接，以使第一转动部以及连接在第一转动部上的第二转动部一同绕第一旋转轴线转动。31.具体设置时，第二转动部朝向固定组件的一面可开设有第二避让槽，第二避让槽可分别位于第二旋转轴线的两侧，固定组件朝向运动组件的一面具有与第二避让槽分别对应的第二限位柱，以对第二转动部绕第二旋转轴线的转动量进行限制；此外，第一避让槽也可以分别位于第一旋转轴线的两侧，这时固定组件朝向运动组件的一面具有与两侧的第一避让槽分别对应的第一限位柱，从而对第一转动部以及第二转动部绕第一旋转轴线的转动量进行限制。32.在一个具体的实施方案中，第一支撑梁的数量可以为两条，驱动组件可包括设置于每条第一支撑梁上的第一压电驱动结构，该第一压电驱动结构可用于驱动运动部绕第一旋转轴线转动，其中，第一旋转轴线的延伸方向与两条第一支撑梁与运动部的连接位置的连线相垂直；第一避让槽以及第一限位柱可分别设置于第一旋转轴线的两侧，从而对运动部绕第一旋转轴线顺时针方向的转动量和逆时针方向的转动量分别进行限制，提高mems芯片的结构可靠性。33.另外，运动组件还可包括两条第二支撑梁，该第二支撑梁也分别与运动部和固定部连接；驱动组件还可包括设置于每条第二支撑梁上的第二压电驱动结构，该第二压电驱动结构可用于驱动运动部绕第二旋转轴线转动，其中，第二旋转轴线的延伸方向与两条第二支撑梁与运动部的连接位置的连线相垂直。采用该方案，运动部既具有绕第一旋转轴线的转动自由度，也具有绕第二旋转轴线的转动自由度，可以实现二维转动，因此可以扩展mems芯片的功能。34.上述方案中，第二避让槽以及第二限位柱也可分别设置于第二旋转轴线的两侧，从而对运动部绕第二旋转轴线顺时针方向的转动量和逆时针方向的转动量分别进行限制，提高mems芯片的结构可靠性。35.在一些可能的实施方案中，mems芯片还可包括第二止挡结构，该第二止挡结构可位于运动部周侧并与运动部之间存在间隔；固定组件朝向运动组件的一面还可具有第二支撑柱，以用于支撑上述第二止挡结构。当mems芯片受到外界冲击时，第二止挡结构可以对运动部在平面内的转动或移动进行限制，减小由于运动部转动量或者移动量过大而造成的第一支撑梁或者第二支撑梁断裂的风险，提高mems芯片的结构可靠性。36.在一些可能的实施方案中，运动组件的材质为可以为高掺杂硅，运动组件具体可通过soi晶圆制备；类似地，固定组件的材质也可以为高掺杂硅，固定组件均也可通过soi晶圆制备。37.在一些可能的实施方案中，运动部背离固定组件的第二面还具有镜面区，mems芯片还可包括位于镜面区的反射层，这时mems芯片可作为微镜使用。38.第二方面，本技术还提供了一种mems芯片阵列，该mems芯片阵列可包括前述任一可能的实施方案中的mems芯片，多个mems芯片呈阵列排布。当mems芯片为微镜时，mems芯片阵列即为微镜阵列，在实际使用中，微镜阵列中的每个微镜可以对应一束入射光线，用以调整入射光线的反射方向，这样整个微镜阵列就可以对不同光束的反射方向进行精确控制，从而可以扩展其应用场景。39.第三方面，本技术还提供了一种mems器件，该mems器件可包括前述任一可能的实施方案中的mems芯片10，以及基板和盖板，其中，盖板可盖设于基板的并与基板形成封装空间的盖板；mems芯片可设置在基板上且位于上述封装空间内，基板上设置有引脚，该引脚的第一端与驱动组件连接，第二端则可伸出至封装空间的外侧，以与器件外部的驱动信号连接，这样就可以将驱动电压或者电流输出至驱动组件，使mems芯片能够正常工作。40.另外，当mems芯片作为微镜使用时，盖板与基板相对的一侧可以为透明材质，以使得器件外部的光束可以通过透明的盖板照射到封装空间内的微镜上。41.第四方面，本技术还提供了一种电子设备，该电子设备可包括电路板、控制芯片、连接器以及前述的实施方案中的mems器件，其中，mems器和控制芯片分别位于电路板的一侧，连接器可用于将控制芯片和引脚的第二端连接，以将控制芯片输出的驱动电压或者电流输出至mems器件。42.第五方面，本技术还提供了一种mems芯片的制备方法，包括以下步骤：43.在第一晶圆的第一侧形成运动组件；44.在第二晶圆的第一侧形成固定组件，第二晶圆的第二侧具有衬底；45.将第一晶圆与第二晶圆键合固定，并使第一晶圆的第一侧与第二晶圆的第一侧位置相对，以使运动组件与固定组件相对设置；46.其中，在第一晶圆的一侧形成运动组件，具体包括：在第一晶圆的第一侧形成固定部、运动部以及第一支撑梁，第一支撑梁分别与固定部和运动部连接，以将运动部可转动地设置在固定部上；47.在第二晶圆的第一侧形成固定组件，具体包括：在第二晶圆的第一侧形成凸台以及第一限位柱，在将第一晶圆与第二晶圆键合固定后，凸台可与固定部连接并对固定部进行支撑，以使运动部悬浮设置在固定组件上；第一限位柱位于固定组件上对应运动部的区域，且第一限位柱与运动部朝向固定组件的一面存在间隔；48.在第一晶圆和/或第二晶圆上形成驱动组件，该驱动组件可用于驱动运动部运动。49.上述方案中，当mems芯片受到外界冲击时，第一限位柱可以限制运动部朝向固定组件方向的位移幅度，从而可以减小由于运动部位移量过大而导致第一支撑梁断裂的风险，提高mems芯片的结构可靠性。50.在一些可能的实施方案中，上述制备方法还可以包括：在运动部朝向固定组件的一面形成第一避让槽，该第一避让槽具体可与第一限位柱一一对应设置，从而可使第一限位柱的顶端与第一避让槽的底壁相间隔。51.在一些可能的实施方案中，驱动组件具体可用于驱动运动部绕设定的第一旋转轴线转动，从而使运动部相对固定组件发生偏转；上述第一避让槽可位于第一旋转轴线的至少一侧，这样，当驱动组件驱动运动部转动时，第一限位柱可与第一避让槽配合对运动部的转动角度进行限制，减小运动部由于转动量过大而导致第一支撑梁损坏的风险，提高mems芯片的结构可靠性。52.为了简化mems芯片的制作工艺，在一个具体的实施方案中，第一限位柱的高度和凸台的高度可以相同，这样两者可以一体刻蚀成型，从而可以简化mems芯片的制备工艺。53.在一些可能的实施方案中，运动部绕第一旋转轴线的最大转角为θ1max，第一避让槽的深度d1以及第一避让槽与第一旋转轴线的水平距离l1与θ1max之间满足：θ1max≤arctan(d1/l1)。根据该公式，即可确定第一避让槽在一定位置时所需满足的深度范围，通过第一避让槽与第一限位柱之间的配合，可以使第一限位柱既能对运动部朝向固定组件方向的位移量进行限制，又能对运动部绕第一旋转轴线的转动量进行限制，从而提高mems芯片的结构可靠性。54.在一些可能的实施方案中，制备方法还可包括：在第二晶圆的第一侧形成第一导电部和至少一个第二导电部，并在第二导电部与第一导电部之间形成第一隔离槽，将第一导电部接地设置。由于第一导电部接地设置，因此形成于其上的第一限位柱可以通过直接接触的方式实现接地，避免后续采用硅通孔工艺或者金属埋线等复杂工艺，因此有利于简化mems芯片的制备工艺。55.在一些可能的实施方案中，制备方法还可包括：在第一晶圆和/或第二晶圆形成驱动组件，包括：56.在第一晶圆的第一侧形成与运动部连接的第一梳齿结构，第一梳齿结构与运动部连接，且第一梳齿结构至少位于第一旋转轴线的其中一侧；57.在第二导电部上形成第二梳齿结构，第二梳齿结构的梳齿与第一梳齿结构的梳齿错位设置，第二梳齿结构用于在接收驱动电压时，驱动第一梳齿结构及运动部绕第一旋转轴线转动；58.第一旋转轴线的延伸方向与第一支撑梁的延伸方向相同。59.这样，在向第二梳齿结构施加驱动电压时，第二梳齿结构与第一梳齿结构之间就可形成一定的电势差，从而可以驱动第一梳齿结构及运动部绕第一旋转轴线转动。60.在一些可能的实施方案中，当mems芯片还可包括位于衬底与固定组件之间的绝缘层时，制备方法还可包括：在绝缘层对应第一隔离槽的位置形成第一通槽，这样可以避免第一隔离槽内有绝缘材料暴露，进而避免由于绝缘材料逐渐积累净电荷而导致的驱动组件的可靠性问题，有助于提升mems芯片的转动角度或者转动频率的长期稳定性。附图说明61.图1为本技术实施例提供的mems芯片的侧视图；62.图2为本技术实施例提供的mems芯片受到冲击时的一种状态示意图；63.图3为本技术实施例提供的mems芯片的一种工作状态示意图；64.图4为本技术实施例提供的mems芯片采用静电驱动方式时的一种结构示意图；65.图5为图4中的mems芯片的爆炸示意图；66.图6为图4中的mems芯片的运动组件的结构示意图；67.图7为本技术实施例提供的mems芯片采用静电驱动方式时的另一种结构示意图；68.图8为本技术实施例提供的mems芯片采用静电驱动方式时的又一种结构示意图；69.图9为本技术实施例提供的mems芯片采用静电驱动方式时的又一种结构示意图；70.图10为本技术实施例提供的mems芯片采用静电驱动方式时的又一种结构示意图；71.图11为本技术实施例提供的mems芯片采用静电驱动方式时的又一种结构示意图；72.图12为本技术实施例提供的mems芯片采用静电驱动方式时的又一种结构示意图；73.图13为本技术实施例提供的mems芯片采用静电驱动方式时的又一种结构示意图；74.图14为本技术实施例提供的mems芯片采用静电驱动方式时的又一种结构示意图；75.图15为图14中的mems芯片的爆炸示意图；76.图16为图14中的mems芯片的运动组件的结构示意图；77.图17为本技术实施例提供的mems芯片采用静电驱动方式时的又一种结构示意图；78.图18为图17中的mems芯片的爆炸示意图；79.图19为图17中的mems芯片的运动组件的结构示意图；80.图20为本技术实施例提供的mems芯片采用静电驱动方式时的又一种结构示意图；81.图21为图20中的mems芯片的爆炸示意图；82.图22为图20中的mems芯片的局部俯视图；83.图23为本技术实施例提供的mems芯片采用静电驱动方式时的又一种结构示意图；84.图24为图23中的mems芯片的爆炸示意图；85.图25为图23中的mems芯片的运动组件的结构示意图；86.图26为本技术实施例提供的mems芯片采用电磁驱动方式时的结构示意图；87.图27为图26中的mems芯片的爆炸示意图；88.图28为图26中的mems芯片的运动组件的结构示意图；89.图29为本技术实施例提供的mems芯片采用压电驱动方式时的一种结构示意图；90.图30为图29中的mems芯片的爆炸示意图；91.图31为图29中的mems芯片的第一支撑梁的结构示意图；92.图32为图29中的mems芯片的运动组件的结构示意图；93.图33为本技术实施例提供的mems芯片采用压电驱动方式时的另一种结构示意图；94.图34为本技术实施例提供的mems芯片的一种结构示意图；95.图35a-图35i为本技术实施例提供的mems芯片的一种制备工艺流程示意图；96.图36为本技术实施例提供的mems芯片阵列的一种结构示意图；97.图37为本技术实施例提供的mems芯片阵列的另一种结构示意图；98.图38为本技术实施例提供的mems器件的结构示意图；99.图39为本技术实施例提供的电子设备的局部结构示意图；100.图40为本技术实施例提供的另一种mems芯片的侧视图；101.图41为本技术实施例提供的另一种mems芯片的工作状态示意图；102.图42为本技术实施例提供的又一种mems芯片的侧视图；103.图43为本技术实施例提供的又一种mems芯片的工作状态示意图。104.附图标记：105.100-mems芯片；10-衬底；20-运动组件；30-固定组件；21-固定部；22-运动部；106.23-第一支撑梁；31-凸台；32-第一限位柱；40-反射层；50-绝缘层；24-第一避让槽；107.33-第一导电部；34-第二导电部；35-第一隔离槽；60-驱动组件；61-第一梳齿结构；108.62-第二梳齿结构；51-第一通槽；621-第一驱动部；622-第二驱动部；341-第一导体；109.342-第二导体；221-第一转动部；222-第二转动部；25-第二支撑梁；26-第二避让槽；110.36-第二限位柱；37-第三导电部；38-第二隔离槽；63-第三梳齿结构；64-第四梳齿结构；111.52-第二通槽；371-第三导体；372-第二导体；223-开口；224-缺口；641-第三驱动部；112.642-第四驱动部；70-第一止挡结构；225-开槽；331-第一支撑柱；71-第一凸起结构；113.65-驱动线圈；66-第一压电驱动结构；661-第一电极；662-压电材料；663-第二电极；114.67-第二压电驱动结构；80-第二止挡结构；39-第二支撑柱；81-第二凸起结构；115.1-第一晶圆；01-第一对准标记；2-第二晶圆；02-第二对准标记；211-金属电极；116.200-mems芯片阵列；300-mems器件；310-基板；320-盖板；330-封装空间；117.311-引脚；400-电子设备；410-电路板；420-控制芯片；430-连接器。具体实施方式118.为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述。119.为了方便理解本技术实施例提供的mems芯片，下面首先说明一下其应用场景。mems(micro-electro-mechanical system，微机电系统)是采用与集成电路类似的制造技术以及微加工技术，将微结构、微传感器、微执行器、信号处理和控制电路及接口、通信和电源等制造在一块或多块芯片上的微型集成系统。mems具有微型化、智能化、集成化、成本低、可以大批量生产等优点，已经广泛应用在无线通信、生物医学、航空航天、消费电子、汽车电子以及仪器测量等诸多领域。mems芯片通常包括固定层、活动层以及驱动结构，固定层的一侧具有支撑结构，活动层通过支撑梁活动设置在支撑结构上，且活动层可在驱动结构的驱动作用下相对固定层转动，以实现mems芯片的相关功能。现有的一些mems芯片在受到外界冲击时，活动层较易在冲击作用下发生较大的位移，进而导致支撑梁变形量过大而最终断裂，影响mems芯片的结构可靠性。此外，当驱动结构采用静电驱动方式时，活动层与固定层较易在静电力矩的作用下发生吸合，发生吸合现象后，活动层无法再相对固定层转动，因导致mems芯片的功能被限制。120.基于此，本技术实施例提供了一种结构可靠性较高的mems芯片，下面结合附图对本技术实施例提供的进行具体说明。121.首先参考图1所示，图1为本技术实施例提供的mems芯片的侧视图。本技术实施例提供的mems芯片100可包括衬底10、运动组件20以及位于衬底10和运动组件20之间的固定组件30。其中，运动组件20可包括固定部21、运动部22和第一支撑梁23，第一支撑梁23分别与固定部21和运动部22连接，以将运动部22可转动地设置在固定部21上；固定组件30在朝向运动组件20的一面设置有凸台31和第一限位柱32，凸台31可与固定部21连接并对固定部21进行支撑，以使运动部22悬浮在固定组件30之上，第一限位柱32则位于固定组件30上对应运动部22的区域，且第一限位柱32与运动部22朝向固定组件30的一面存在一定的间隔，这样一方面能够使运动部22相对固定组件30转动，以实现mems芯片100的相关功能，另一方面，在mems芯片100受到外界冲击时，一并参考图2所示，通过第一限位柱32的止挡作用，还可以避免运动部22在靠近固定组件30的方向(z轴负方向)发生过量的位移，从而可以减小第一支撑梁23断裂的风险，提高mems芯片100的结构可靠性。122.mems芯片100的具体类型不限，例如可以为mems力学传感器、mems电学传感器、mems声学传感器，或者也可以为mems微镜，等等。应当说明的是，在作为mems微镜使用时，运动部22背离固定组件30的一面还具有镜面区，此时mems芯片还可包括位于镜面区的反射层40，以对入射光线进行反射，实现光线偏转或者调制作用。其中，反射层50的具体材质不限，例如可以为金、银、铝、介质材料或者其它反射材料等，此处不再过多赘述。123.在本技术实施例中，运动组件20和固定组件30的具体材质不限，例如可以为硅材质。具体实施时，运动组件20和固定组件30可分别通过高掺杂soi(silicon on insulator，硅-绝缘体-硅衬底晶圆)制备，并且为了简化mems芯片100的制作工艺，固定组件30与其下层的衬底10可通过同一soi晶圆进行制备，即固定组件30和衬底10可分别形成于同一soi晶圆的两侧，这时mems芯片100的结构还可包括位于衬底10与固定组件30之间的绝缘层50。124.具体实施时，凸台31的结构形式可以是多样的，例如可以为间隔设置在固定组件30上的柱状结构，也可以为连接为一体的环形结构，本技术对此不作具体限制。第一限位柱32的结构形式也可以是多样的，例如第一限位柱32的横截面形状可以为矩形、圆形、多边形、椭圆形或者三角形等等。125.此外，第一支撑梁23的具体结构形式也不限，只要能够将运动部22与固定部21连接、并在运动部22相对固定部21转动或移动时产生相应的扭转变形或弯曲变形即可，以图1中所示的坐标系为例，当运动部22绕x轴转动或者沿z轴移动时，第一支撑梁23会产生一定的弯曲变形，而当运动部22绕y轴转动时，第一支撑梁23则会产生一定的扭转变形。126.为了使第一限位柱32与运动部22之间形成间隔，在本技术的一个具体实施例中，运动部22朝向固定组件30的一面开设有第一避让槽24，该第一避让槽24具体可与第一限位柱32一一对应设置，从而可使第一限位柱32的顶端与第一避让槽24的底壁相间隔。需要说明的是，在该实施例中，第一限位柱32的高度与凸台31的可以相同，也可以不同，本技术对此不作具体限制，只要保证第一限位柱32的顶端与第一避让槽24的底壁形成有间距即可。可以理解的，当第一限位柱32与凸台31的高度相同时，二者可以通过刻蚀工艺一体成型，从而可以降低mems芯片的制作难度。127.当然，在本技术的其它实施例中，还可以使第一限位柱32的高度小于凸台31的高度，这样同样可以在第一限位柱32的顶部与运动部22之间形成间隔，具体实施时可根据实际需要进行设计，此处不再过多赘述。128.另外，在本技术实施例中，mems芯片100还可包括与运动部22连接的驱动组件，该驱动组件可用于驱动运动部22绕设定的第一旋转轴线转动，从而使运动部22相对固定组件30发生偏转，实现mems芯片100的相关功能。具体实施时，第一旋转轴线的延伸方向可以为与固定组件30之间的夹角小于90°的任意方向，例如图1中所示的x轴方向或者y轴方向。当驱动组件驱动运动部22绕第一旋转轴线转动时，为了减小由于运动部22的转动量过大而使第一支撑梁23损坏的风险，还可以通过合理设置第一限位柱32或者第一避让槽24的位置、以及第一限位柱32与运动部22之间的间距，使第一限位柱32对运动部22的转动角度进行限制，以使运动部22在允许转角的范围内转动。129.参考图3所示，以第一旋转轴线的方向为x轴方向为例，当运动部22绕x轴的最大转角为θ1max时，可以将第一避让槽24设置在x轴的其中一侧，根据相关几何原理，第一限位柱32与运动部22之间的间距(当第一限位柱32与凸台31高度相同时，该间距即为第一避让槽24的深度d1)，以及第一避让槽24的中心与第一旋转轴线的水平距离l1与θ1max之间满足：130.θ1max≤arctan(d1/l1)131.根据上述公式，即可确定第一避让槽24在一定位置时所需满足的深度范围，通过第一避让槽24与第一限位柱32之间的配合，可以使第一限位柱32既能对运动部22沿z轴负方向的位移量进行限制，又能对运动部22绕x轴顺时针方向的转动量进行限制，从而提高mems芯片的结构可靠性。132.当然，在本技术的其它实施例中，还可以将第一限位柱32设置在x轴的另外一侧，这时则可对运动部22绕x轴逆时针方向的转动量进行限制；或者，还可以将第一限位柱32对称设置在x轴的两侧，以对运动部22绕x轴顺时针方向的转动量和逆时针方向的转动量分别进行限制。133.可以理解的，运动部22的转动角度及转动方向均由驱动组件所施加的驱动力决定，在驱动组件向运动部22施加驱动力时，运动部22可绕第一旋转轴线转动，其转动角度可随着驱动力的增加而增加，而当运动部22与其下方的第一限位柱32接触之后，由于第一限位柱32的止挡作用，运动部22的转角不再继续增加。在本技术实施例中，还可以通过控制驱动组件施加给运动部22的驱动力，定期驱动运动部22与接地设置的第一限位柱32接触，以释放运动部上积累的净电荷，改善mems芯片由于电荷积累造成的性能漂移，提高mems芯片的可靠性。134.在具体设置驱动组件时，根据驱动方式的不同，驱动组件可以具有多种结构形式，下面分别以静电驱动方式、电磁驱动方式和压电驱动方式为例，对驱动组件的结构进行具体说明。135.一并参考图4和图5所示，图4为本技术实施例提供的mems芯片采用静电驱动方式时的一种结构示意图，图5为图4中的mems芯片的爆炸示意图。在该实施例中，运动组件和固定组件都可以为导体，固定组件30可包括第一导电部33和第二导电部34，具体实施时，第一导电部33可接地设置，且第一导电部33与第二导电部34之间可通过第一隔离槽35相互绝缘，上述凸台31以及第一限位柱32即设置在第一导电部33上，这样即可简单地将第一限位柱和凸台分别接地，避免后续采用硅通孔工艺或者金属埋线等复杂工艺来实现接地，有利于简化mems芯片的制作工艺；驱动组件60可包括第一梳齿结构61和第二梳齿结构62，其中，第一梳齿结构61可与运动部22连接，进而可依次通过可运动部、第一支撑梁及固定部与凸台电性连接，实现电学接地，第一梳齿结构61可位于第一旋转轴线的其中一侧；第二梳齿结构62则可与第二导电部34连接，且第二梳齿结构62的梳齿与第一梳齿结构61的梳齿错位设置，这样，在向第二梳齿结构62施加驱动电压时，第二梳齿结构62与第一梳齿结构61之间就可形成一定的电势差，从而可以驱动第一梳齿结构61以及运动部22绕第一旋转轴线转动，可以看出，此时第一旋转轴线的延伸方向即为第一支撑梁23的延伸方向，也即图中的x轴方向。136.另外，当mems芯片100还包括位于衬底10与固定组件30之间的绝缘层50时，绝缘层50上对应上述第一隔离槽35的位置还可开设有第一通槽51，这样可以避免第一隔离槽35的位置有绝缘材料暴露，进而避免由于绝缘材料逐渐积累净电荷而导致的驱动组件60的可靠性问题，有助于提升mems芯片100的转动角度或者转动频率的长期稳定性。137.可以理解的，为了扩展mems芯片100的功能，使驱动组件60既能驱动运动部22顺时针转动，又能驱动运动部22逆时针转动，在本技术的一个具体实施例中，第一梳齿结构61可分别位于第一旋转轴线(即x轴)的两侧，相应地，第二梳齿结构62可包括相间隔的第一驱动部621和第二驱动部622，且第一驱动部621和第二驱动部622分别位于不同的第二导电部34上，第一驱动部621可与位于第一旋转轴线其中一侧的第一梳齿结构61对应设置，第二驱动部622则可与位于第一旋转轴线另一侧的第一梳齿结构61对应设置。这样，在向第一驱动部621施加驱动电压时，第一驱动部621与对应侧的第一梳齿结构61之间可形成一定的电势差，从而可以驱动运动部22逆时针转动；类似地，在向第二驱动部622施加驱动电压时，第二驱动部622与对应侧的第一梳齿结构61之间可形成一定的电势差，从而可驱动运动部22顺时针转动。138.继续参考图4和图5所示，第二导电部34朝向运动组件的一面还具有第一导体341，相应地，运动组件20还包括与第一导体341连接的第二导体342，该第二导体342可以通过设置金属电极与驱动电源电连接，以将驱动电源输出的驱动电压通过第一导体341传递给第二导电部34，进而通过第二导电部34传递给第一驱动部621或者第二驱动部622，以驱动第一梳齿结构61以及运动部22转动；类似地，固定部21上也可以通过设置金属电极与接地线路连接，进而可以使通过凸台31与固定部21电性连接的第一导电部33实现接地。139.一并参考图6所示，上述实施例中，第一避让槽24以及第一限位柱32可分别设置于第一旋转轴线(即x轴)的两侧，从而对运动部22顺时针方向的转动量和逆时针方向的转动量分别进行限制，避免第一梳齿结构61与第二梳齿结构62发生吸合，提高mems芯片100的结构可靠性。140.另外，在具体实施时，运动部22的具体形状可以是多样的，例如可以为图4和图5中所示的矩形，也可以为图7中所示圆形，或者图8中所示的多边形，再或者图9中所示的椭圆形，等等，本技术对此不作限制。141.继续参考图4至图9，在设置第一梳齿结构61的位置时，第一梳齿结构61可以位于第一支撑梁23的侧边，此时mems芯片100的整体尺寸较小，因此其在电子设备中的占用空间也相对较小。142.为了增加驱动组件的驱动力，以提高mems芯片100的工作可靠性，在本技术的其它实施例中，如图10所示，第一梳齿结构61还可以位于运动部的侧边，从而可以增加第一梳齿61与第二梳齿结构62之间的相对面积，进而增大两者之间的电势差形成的静电扭矩。类似地，在该实施例中，运动部22的形状可以为图9中所示的矩形，或者图11中所示的圆形，或者图12中所示的多边形，再或者图13中所示的椭圆形，等等，本技术对此不作限制。143.一并参考图14和图15所示，图14为本技术实施例提供的mems芯片采用静电驱动方式时的又一种结构示意图，图15为图14中的mems芯片的爆炸示意图。该实施例中，运动部22可包括第一转动部221和第二转动部222，运动组件20还可包括第二支撑梁25，该第二支撑梁25可分别与第一转动部221和第二转动部222连接，以使第二转动部222可相对第一转动部221绕第二旋转轴线转动；而前述的第一支撑梁23则可分别与第一转动部221和固定部21连接，以使第一转动部221以及连接在第一转动部221上的第二转动222部一同绕第一旋转轴线转动。当mems芯片100为微镜时，微镜的反射层40具体可设在第二转动部222背离固定组件30的一面。144.类似地，第二支撑梁25的具体结构形式也不限，只要能够将第二转动部222与第一转动部221连接，并在第二转动部222相对第一转动部221转动或移动时，产生相应的扭转变形或者弯曲变形即可。可以理解的，在本实施例中，第一旋转轴线的延伸方向即为第一支撑梁23的延伸方向，也即图中的x轴方向，第二旋转轴线的延伸方向即为第二支撑梁25的延伸方向，也即图中的y轴方向。145.一并参考图16所示，第二转动部222朝向固定组件30的一面还开设有第二避让槽26，该第二避让槽26可以位于第二旋转轴线的其中一侧，这时第一导电部33朝向运动组件20的一面具有与该第二避让槽26对应设置的第二限位柱36，从而可以对第二转动部222绕第二旋转轴线顺时针方向的转动量进行限制。146.当第二转动部222绕第二旋转轴线(y轴方向)的最大转角为θ2max时，根据相关几何原理，第二避让槽的深度d2，以及第二避让槽26的中心与第二旋转轴线的水平距离l2与θ2max之间满足：147.θ2max≤arctan(d2/l2)148.根据上述公式，即可确定第二避让槽26在一定位置时所需满足的深度范围，通过第二避让槽26与第二限位柱36之间的配合，可以使第二限位柱36既能对第二转动部222沿z轴方向的位移量进行限制，又能对第二转动部222绕第二旋转轴线(y轴方向)的转动量进行限制，从而提高mems100的结构可靠性。149.继续参考图14和图15所示，该实施例中，固定组件30还可包括第三导电部37，第三导电部37与第一导电部33之间可通过第二隔离槽38相互绝缘；驱动组件60还包括第三梳齿结构63和第四梳齿结构64，其中，第三梳齿结构63可与第二转动部222连接，且第三梳齿结构63可位于第一旋转轴线的其中一侧；第四梳齿结构64则可与第三导电部37连接，且第四梳齿结构64的梳齿与第三梳齿结构63的梳齿错位设置，这样，在向第四梳齿结构64施加驱动电压时，第四梳齿结构64与第三梳齿结构63之间就可形成一定的电势差，从而可以驱动第三梳齿结构63及第二转动部22绕第二旋转轴线转动。150.类似地，当mems芯片100还包括位于衬底10与固定组件30之间的绝缘层50时，绝缘层50上对应上述第二隔离槽38的位置还可开设有第二通槽52，这样可以避免第二隔离槽38的位置有绝缘材料暴露，进而避免由于绝缘材料逐渐积累净电荷而导致的驱动组件60的可靠性问题，有助于提升mems芯片的转动角度或者转动频率的长期稳定性。151.另外需要说明的是，驱动组件60的第一梳齿结构61可与第一转动部221连接，以在第二梳齿结构62接收驱动电压时，驱动第一转动部221以及连接在第一转动部221上的第二转动部222一同绕第一旋转轴线转动。也就是说，在本技术实施例中，第二转动部222既具有绕第一旋转轴线的转动自由度，也具有绕第二旋转轴线的转动自由度，即可以实现二维转动，因此可以扩展mems芯片100的功能。152.上述实施例中，第三导电部37朝向运动组件20的一面还具有第三导体371，相应地，运动组件20还包括与第三导体371连接的第四导体372，该第四导体372可以与驱动电源电连接，以将驱动电源输出的驱动电压通过第三导体371传递给第四导体372，进而通过第四导体372传递给第四梳齿结构64，以驱动第三梳齿结构63以及第二转动部222转动。153.第一转动部221和第二转动部222的具体结构形式不限，例如在图14和图15所示的实施例中，固定部21具体可以为柱状结构，且固定部21的数量为至少两个，该至少两个固定部21可沿第一支撑梁23的延伸方向间隔设置；第二转动部222上具有开口223，至少一个固定部21可位于开口223内，第一转动部221的一端伸入该开口223内，且第一转动部221的第一端可通过第一支撑梁23与位于开口223内的固定部21连接，以及可通过两条第二支撑梁25与第二转动部222连接，第一转动部221的第二端则可通过第一支撑梁23与位于开口223外的固定部21连接。采用这种结构形式，可以可靠地将第二转动部222转动设置在第一转动部221上，并且有利于提升mems微镜100的占空比。154.具体实施时，为了降低mems芯片100的制作工艺难度，以及提高其结构整体性，第一梳齿结构61具体可设置在第一转动部221上，相应地，第三梳齿结构63则可设置在第二转动部222上。另外，当固定部21的数量为三个或三个以上时，第一转动部221的第一端与第二端之间还可开设有至少一个缺口224，使除了位于第一转动部221的两端之外的其余固定部21可以设置在对应的缺口224内，并通过第一支撑梁23与第一转动部221连接，从而使第一转动部221可以更加稳定地悬浮设置在固定组件30之上，进而提高mems芯片100的结构可靠性。155.上述实施例中，第三梳齿结构63位于第二旋转轴线(y轴方向)的其中一侧，结合图16所示，第二避让槽26与第二限位柱36也位于第二旋转轴线的对应侧，此时，驱动组件可驱动第二转动部绕y轴顺时针转动，第二限位柱36可以对第二转动部绕y轴逆时针方向的转动量进行限制。156.可以理解的，为了驱动第二转动部222绕第二旋转轴线实现顺时针和逆时针两个方向的转动，在本技术的另一个具体实施例中，一并参考图17和图18所示，第三梳齿结构63还可以分别位于第二旋转轴线的两侧，相应地，第四梳齿结构64可包括相间隔的第三驱动部641和第四驱动部641，且第三驱动部641和第四驱动部642分别位于不同的第三导电部37上，第三驱动部641可与位于第二旋转轴线其中一侧的第三梳齿结构63对应设置，第四驱动部642则可与位于第二旋转轴线另一侧的第三梳齿结构63对应设置。这样，在向第三驱动部641输出驱动电压时，第三驱动部641与对应侧的第三梳齿结构63之间可形成一定的电势差，从而可以驱动第二转动部222逆时针转动；类似地，在向第四驱动部642输出驱动电压时，第四驱动部642与对应侧的第三梳齿结构63之间可形成一定的电势差，从而可驱动第二转动部222顺时针转动。157.结合图19所示，上述实施例中，第二避让槽26可以对称设置于第二旋转轴线的两侧，这时第一导电部33上则具有与两侧的第二避让槽26分别对应的第二限位柱36，从而可以对第二转动部222顺时针方向的转动量和逆时针方向的转动量分别进行限制，提高mems芯片100的结构可靠性。158.一并参考图20和图21所示，图20为本技术实施例提供的mems芯片采用静电驱动方式时的又一种结构示意图，图21为图20中的mems芯片的爆炸示意图。在该实施例中，mems芯片还可包括第一止挡结构70，运动部22上开设有可用于容置第一止挡结构70的开槽225，第一止挡结构70位于该开槽225内，且第一止挡结构70的周侧与该开槽225的内壁之间存在间隔；另外，在第一导电部33朝向运动组件的一面还可具有第一支撑柱331，以用于支撑上述第一止挡结构70。159.结合图22所示，对于相互配合的第一梳齿结构61与第二梳齿结构62来说，第一梳齿结构61的梳齿a位于第二梳齿结构62的两个梳齿b之间，在mems芯片的制备过程中，由于制备工艺的对准精度有限，梳齿a与其两侧的两个梳齿b之间的水平距离可能会存在一定的误差，也就是说d1与d2并不绝对不相等。这样，在向第二梳齿结构62施加驱动电压时，在xoy平面内，梳齿a所受到的其两侧的梳齿b的静电吸引力就无法完全抵消，导致运动部22在xoy平面发生转动。本技术实施例中，第一止挡结构70可以在运动部的转动角度较大时与运动部22相抵接，从而阻止运动部22的进一步转动，避免由于运动部22的转动量过大而导致梳齿a与梳齿b接触而发生短路，对器件造成不可逆的损坏，进而可以提高mems芯片100的结构可靠性。160.上述开槽224的具体开设位置不限，例如可以如图21中所示的开设在第一转动部221上，这样有利于提升mems微镜的占空比。当然，在本技术的其它实施例中，上述开槽224也可以开设在第二转动部上，这样同样可以达到对运动部在xoy平面内的转动量进行限制的目的。161.另外，为了减小第一止挡结构70与运动部22抵接后发生粘连的风险，第一止挡结构70的周侧还具有第一凸起结构71，以减小第一止挡结构70与运动部22的接触面积。第一凸起结构71的具体形状不限，在本技术实施例中，为了避免第一凸起结构71与运动部22接触时对运动部22造成撞击损伤，可以将第一凸起结构71的顶部设计为弧形。162.一并参考图23和24所示，图23为本技术提供的mems芯片采用静电驱动方式时的又一种结构示意图，图24为图23中的mems芯片的爆炸示意图。在该实施例中，第一转动部221可以为框架结构，第二转动部222可通过第二支撑梁25连接在第一转动部221的内侧；与前述实施例类似，驱动组件60的第一梳齿结构61可与第一转动部221连接，以在第二梳齿结构62接收驱动电压时，驱动第一转动部221以及连接在第一转动部221上的第二转动部222一同绕第一旋转轴线转动；第三梳齿结构63可与第二转动部222连接，以在第四梳齿结64构接收驱动电压时，驱动第二转动部222绕第二旋转轴线转动。163.具体实施时，第一梳齿结构61可以位于第一支撑梁23的侧边，第二梳齿结构64也可以位于第二支撑梁25的侧边，这样可以减小mems芯片100的整体尺寸，进而减小mems芯片100在电子设备内的占用空间。当然，为了增加驱动组件60的驱动力，以提高mems芯片100的工作可靠性，在本技术的其它实施例中，第一梳齿结构61还可以位于第一转动部221的侧边，类似地，第三梳齿结构63也可以位于第二转动部222的侧边，这样可以增加第一梳齿结构61与第二梳齿结构62之间、以及第三梳齿结构63与第四梳齿结构64之间的相对面积，进而增大相互之间的电势差形成的静电扭矩。另外，第二转动部222的具体形状可以为圆形、多边形、椭圆形或者矩形等，本技术对此不做限制。164.一并参考图25所示，在本技术实施例中，第一避让槽24和第二避让槽26均可开设在第二转动部222上，其中，第一避让槽24可以对称设置在第一旋转轴线(x轴方向)的两侧，第一导电部33上具有与两侧的第一避让槽24分别对应的第一限位柱32，从而可以对运动部22绕第一旋转轴线顺时针方向的转动量、以及逆时针方向的转动量分别进行限制；类似地，第二避让槽也26可以对称设置在第二旋转轴线(y轴方向)的两侧，第一导电部33上具有与两侧的第二避让槽26分别对应的第二限位柱36，从而可以对第二转动部222绕第二旋转轴线顺时针方向的转动量、以及逆时针方向的转动量分别进行限制，提高mems芯片100的结构可靠性。165.以上是mems芯片采用静电驱动方式时的几种可能的结构形式，下面继续说明mems芯片分别采用电磁驱动方式和压电驱动方式时的具体结构。166.一并参考图26和图27所示，图26为本技术实施例提供的mems芯片采用电磁驱动方式时的结构示意图，图27为图26中的mems芯片的爆炸示意图。在该实施例中，驱动组件可包括驱动线圈65和磁体(图中未示出)，其中，驱动线圈65具体可呈螺旋状设置在运动部22的其中一面，且驱动线圈65的两端可分别与驱动电源的正负极连接；磁体则位于mems芯片100的一侧，或者也可以位于固定组件30上，以产生经过运动部的磁场，该磁场的方向(图26中箭头方向)与第一旋转轴线的延伸方向之间的夹角具体可大于0°，以使得通电后的驱动线圈65在磁场作用下产生洛伦兹力，带动运动部22绕第一旋转轴线转动。167.在将驱动线圈65与驱动电源电连接时，可以将驱动线圈65的两端分别引出到相间隔的两个固定部21上，并通过固定部21上设置的驱动电极与驱动电源的正负极连接。168.继续参考图26和图27所示，本技术实施例中，运动部22同样可包括第一转动部221和第二转动部222，运动组件20还可包括第二支撑梁25，该第二支撑梁25可分别与第一转动部221和第二转动部222连接，以使第二转动部222可相对第一转动部221绕第二旋转轴线转动；第一支撑梁23则可分别与第一转动部221和固定部21连接，以使第一转动部221以及连接在第一转动部221上的第二转动部222一同绕第一旋转轴线转动。在具体设置驱动线圈时，驱动线圈65既可以位于第一转动部221上，也可以位于第二转动部222上，本技术对此不做限制。169.上述实施例中，第一转动部221具体可以为框架结构，这时第二转动部222可通过第二支撑梁25连接在第一转动部221的内侧。可以理解的，在本技术实施例中，第一旋转轴线的延伸方向即为第一支撑梁23的延伸方向，也即图中的x轴方向，第二旋转轴线的延伸方向即为第二支撑梁25的延伸方向，也即图中的y轴方向。170.为了驱动第二转动部222绕第二旋转轴线转动，在本技术实施例中，磁体所产生的磁场的方向与第二旋转轴线的延伸方向之间的夹角也大于0°，也就是说，该磁场的方向与第一旋转轴线的延伸方向以及第二旋转轴线的延伸方向分别构成一锐角，这样，当向驱动线圈65输出周期性变化的电流时，第一转动部221以及第二转动部222就可在周期性变化的洛伦兹力的作用下发生谐振，进而可以使第一转动部221及连接在第一转动部221上的第二转动部222产生绕第一旋转轴线的转动，以及使第二转动部222产生绕第二旋转轴线的转动，使得第二转动部222既具有绕第一旋转轴线的转动自由度，也具有绕第二旋转轴线的转动自由度，可以实现二维转动，因此可以扩展mems芯片100的功能。171.结合图28所示，第二转动部222朝向固定组件30的一面开设有第二避让槽26，第二避让槽26可分别位于第二旋转轴线的两侧，固定组件30朝向运动组件20的一面具有与第二避让槽26分别对应的第二限位柱36，以对第二转动部绕第二旋转轴线的转动量进行限制；此外，第一避让槽24也可以分别位于第一旋转轴线的两侧，这时固定组件30朝向运动组件20的一面具有与两侧的第一避让槽24分别对应的第一限位柱32，从而对第一转动部221以及第二转动部222绕第一旋转轴线的转动量进行限制。172.一并参考图29和图30所示，图29为本技术实施例提供的mems芯片采用压电驱动方式时的结构示意图，图30为图29中的mems芯片的爆炸示意图。在该实施例中，第一支撑梁23的数量具体可以为两条，驱动组件可包括设置于每条第一支撑梁23上的第一压电驱动结构66，结合图31所示，第一压电驱动结构66又可包括依次层叠的第一电极661、压电材料662和第二电极663，在向第一压电驱动结构66的第一电极661和第二电极663施加电压时，压电材料662可以在第一电极661和第二电极663之间的电压驱动下变形，进而可以带动第一支撑梁23移动。根据此原理，可分别向两条第一支撑梁23上的第一压电驱动结构66施加相反的电压，使两条第一支撑梁23产生方向相反的位移，这样就相当于给运动部22施加了一个转动力矩，从而可以驱使运动部22转动。173.具体来说，当向第一支撑梁c上的第一压电驱动结构66施加正向电压时，可同时向第一支撑梁d上的第一压电驱动结构66施加反向电压，此时第一支撑梁c可在对应的压电材料662的带动下向上移动，而第一支撑梁d则可在对应的压电材料662的带动下向下移动，使得运动部22可在两侧的第一支撑梁23的驱使下绕第一旋转轴线逆时针转动；而当向第一支撑梁c上的第一压电驱动结构66施加反向电压时，可同时向第一支撑梁d上的第一压电驱动结构66施加正向电压，此时第一支撑梁c可在对应的压电材料662的带动下向下移动，而第一支撑梁d则可在对应的压电材料662的带动下向上移动，使得运动部22可在两侧的第一支撑梁23的驱使下绕第一旋转轴线顺时针转动。可以理解的，在该实施例中，第一旋转轴线的方向即为x轴方向，也即与两条第一支撑梁23与运动部22的连接位置的连线相垂直的方向。174.一并参考图32所示，上述实施例中，第一避让槽24以及第一限位柱32可分别设置于第一旋转轴线的两侧，从而对运动部22绕第一旋转轴线顺时针方向的转动量和逆时针方向的转动量分别进行限制，提高mems芯片100的结构可靠性。175.继续参考图29和图30，在本技术实施例中，运动组件还可包括两条第二支撑梁25，该第二支撑梁25也分别与运动部22和固定部21连接；驱动组件还可包括设置于每条第二支撑梁上的第二压电驱动结构67，与第一压电驱动结构66类似，该第二压电驱动结构67也可包括第一电极、压电材料和第二电极。类似地，当向第二支撑梁e上的第二压电驱动结构67施加正向电压时，可同时向第二支撑梁f上的第二压电驱动结构67施加反向电压，此时第二支撑梁e可在对应的压电材料的带动下向上移动，而第二支撑梁f则可在对应的压电材料的带动下向下移动，使得运动部22可在两侧的第二支撑梁25的驱使下绕第二旋转轴线顺时针转动；而当向第二支撑梁e上的第二压电驱动结构67施加反向电压时，可同时向第二支撑梁f上的第二压电驱动结构67施加正向电压，此时第二支撑梁e可在对应的压电材料的带动下向下移动，而第二支撑梁f则可在对应的压电材料的带动下向上移动，使得运动部22可在两侧的第二支撑梁25的驱使下绕第二旋转轴线逆时针转动。可以理解的，在该实施例中，第二旋转轴线的方向即为y轴方向，也即与两条第二支撑梁25与运动部22的连接位置的连线相垂直的方向。176.可见，在本技术实施例中，运动部22既具有绕第一旋转轴线的转动自由度，也具有绕第二旋转轴线的转动自由度，可以实现二维转动，因此可以扩展mems芯片100的功能。177.一并参考图32所示，上述实施例中，第二避让槽26以及第二限位柱36也可分别设置于第二旋转轴线的两侧，从而对运动部绕第二旋转轴线顺时针方向的转动量和逆时针方向的转动量分别进行限制，提高mems芯片的结构可靠性。178.需要说明的是，在本技术实施例中，两条第一支撑梁23可呈中心对称设置在运动部的周侧，以使第一旋转轴线可以经过运动部22的中心，从而有利于提高mems芯片100的结构稳定性；类似地，两条第二支撑梁25也可呈中心对称设置在运动部22的周侧，以使第二旋转轴线也可以经过运动部22的中心，从而有利于提高mems芯片100的结构稳定性。179.另外，参考图33所示，在本技术的又一可能的实施例中，mems还可以包括三条第一支撑梁23，三条第一支撑梁23可以等间隔设置在运动部22的周侧，采用这种结构时，当分别向第一支撑梁g和h上的第一压电驱动结构施加正向电压时，可同时向第一支撑梁i上的第一驱动电压施加反向电压，此时第一支撑梁g和h可在对应的压电材料的带动下向上移动，而第一支撑梁i则可在对应的压电材料的带动下向下移动，使得运动部可在三条第一支撑梁的驱使下绕第一旋转轴线l1顺时针转动；而当向分别向第一支撑梁g和h上的第一压电驱动结构施加反向电压时，可同时向第一支撑梁i上的第一驱动电压施加正向电压，此时第一支撑梁g和h可在对应的压电材料的带动下向下移动，而第一支撑梁i则可在对应的压电材料的带动下向上移动，使得运动部可在三条第一支撑梁的驱使下绕第一旋转轴线l1逆时针转动；可以理解的，第一旋转轴线l1的方向与第一支撑梁g和h与运动部的连接位置的连线相平行；180.类似地，当分别向第一支撑梁g和i上的第一压电驱动结构施加正向电压时，可同时向第一支撑梁h上的第一驱动电压施加反向电压，此时第一支撑梁g和i可在对应的压电材料的带动下向上移动，而第一支撑梁h则可在对应的压电材料的带动下向下移动，使得运动部可在三条第一支撑梁的驱使下绕第二旋转轴线l2顺时针转动；而当向分别向第一支撑梁g和i上的第一压电驱动结构施加反向电压时，可同时向第一支撑梁h上的第一驱动电压施加正向电压，此时第一支撑梁g和i可在对应的压电材料的带动下向下移动，而第一支撑梁h则可在对应的压电材料的带动下向上移动，使得运动部可在三条第一支撑梁的驱使下绕第二旋转轴线l2逆时针转动；可以理解的，第二旋转轴线l2的方向与第一支撑梁g和i与运动部的连接位置的连线相平行；181.以及，当分别向第一支撑梁h和i上的第一压电驱动结构施加正向电压时，可同时向第一支撑梁g上的第一驱动电压施加反向电压，此时第一支撑梁h和i可在对应的压电材料的带动下向上移动，而第一支撑梁g则可在对应的压电材料的带动下向下移动，使得运动部可在三条第一支撑梁的驱使下绕第三旋转轴线l3顺时针转动；而当向分别向第一支撑梁h和i上的第一压电驱动结构施加反向电压时，可同时向第一支撑梁g上的第一驱动电压施加正向电压，此时第一支撑梁h和i可在对应的压电材料的带动下向下移动，而第一支撑梁g则可在对应的压电材料的带动下向上移动，使得运动部可在三条第一支撑梁的驱使下绕第三旋转轴线l3逆时针转动；可以理解的，第三旋转轴线l3的方向与第一支撑梁h和i与运动部的连接位置的连线相平行。182.参考图34所示，图34为本技术实施例提供的mems芯片的一种结构示意图。该实施例中，mems芯片100还可包括与运动部22同层设置的第二止挡结构80，具体实施时，第二止挡结构80可位于运动部22的周侧并与运动部22之间存在间隔；固定组件30朝向运动组件20的一面还可具有第二支撑柱39，以用于支撑上述第二止挡结构80。当mems芯片100受到外界冲击时，若运动部在xoy平面内发生移动或者转动时，第二止挡结构80可以在运动部22的转动角度或者位移过大时与运动部22相抵接，从而阻止运动部22的进一步转动或者移动，进而可以减小第一支撑梁23或者第二支撑梁25断裂的风险，提高mems芯片100的结构可靠性。183.另外，为了减小第二止挡结构80与运动部22抵接后发生粘连的风险，第二止挡结构80的周侧还具有第二凸起结构81，以减小第二止挡结构80与运动部22的接触面积。第二凸起结构81的具体形状不限，例如可以为弧形凸起，这样可以减小第二凸起结构81对运动部22造成撞击损伤的风险。184.参考图1所示，本技术实施例还提供了一种mems芯片的制备方法，包括以下步骤：185.在第一晶圆的第一侧形成运动组件20；186.在第二晶圆的第一侧形成固定组件30，第二晶圆的第二侧具有衬底10；187.将第一晶圆与第二晶圆键合固定，并使第一晶圆的第一侧与第二晶圆的第一侧位置相对，以使运动组件20与固定组件30相对设置；188.其中，在第一晶圆的一侧形成运动组件20，具体包括：在第一晶圆的第一侧形成固定部21、运动部22以及第一支撑梁23，第一支撑梁23分别与固定部21和运动部22连接，以将运动部22可转动地设置在固定部21上；189.在第二晶圆的第一侧形成固定组件30，具体包括：在第二晶圆的第一侧形成凸台31以及第一限位柱32，在将第一晶圆与第二晶圆键合固定后，凸台31可与固定部21连接并对固定部21进行支撑，以使运动部22悬浮设置在固定组件30上；第一限位柱32位于固定组件30上对应运动部22的区域，且第一限位柱32与运动部22朝向固定组件30的一面存在间隔；190.在第一晶圆和/或第二晶圆上形成驱动组件，该驱动组件可用于驱动运动部运动。191.上述方案中，当mems芯片100受到外界冲击时，第一限位柱32可以限制运动部22朝向固定组件30方向的位移幅度，从而可以减小由于运动部22位移量过大而导致第一支撑梁23断裂的风险，提高mems芯片100的结构可靠性；另外，由于固定组件30接地设置，因此形成于其上第一限位柱32可以通过直接接触的方式实现接地，避免后续采用硅通孔工艺或者金属埋线等复杂工艺，因此有利于简化mems芯片100的制备工艺。192.为了使第一限位柱32与运动部22之间形成间隔，上述制备方法还可以包括：在运动部22朝向固定组件30的一面形成第一避让槽24，该第一避让槽24具体可与第一限位柱32一一对应设置，从而可使第一限位柱32的顶端与第一避让槽24的底壁相间隔。193.另外，在本技术实施例中，第一限位柱32的高度和凸台31的高度可以相同，这样两者可以一体刻蚀成型，从而可以简化mems芯片100的制备工艺。194.一并参考图1和图3所示，在本技术实施例中，驱动组件具体可用于驱动运动部22绕第一旋转轴线转动，从而使运动部22相对固定组件30发生偏转，实现mems芯片100的相关功能。以第一旋转轴线的方向为x轴方向为例，当运动部22绕x轴的最大转角为θ1max时，可以将第一避让槽24设置在x轴的其中一侧，第一限位柱32与运动部22之间的间距(当第一限位柱32与凸台31高度相同时，该间距即为第一避让槽24的深度d1)，以及第一避让槽24的中心与第一旋转轴线的水平距离l1与θ1max之间满足：195.θ1max≤arctan(d1/l1)196.根据上述公式，即可确定第一避让槽24在一定位置时所需满足的深度范围，通过第一避让槽24与第一限位柱32之间的配合，可以使第一限位柱32既能对运动部22沿z轴负方向的位移量进行限制，又能对运动部22绕x轴顺时针方向的转动量进行限制，从而提高mems芯片的结构可靠性。197.在具体设置驱动组件时，根据驱动方式的不同，驱动组件的具体结构形式也不尽相同。下面以采用静电驱动方式时的驱动组件为例，详细说明mems芯片的制备方法。198.步骤一：参考图35a所示，在第一晶圆1的第一侧刻蚀形成第一避让槽24以及第一支撑梁23，以及在第一晶圆的第二侧刻蚀形成第一对准标记01；199.步骤二：一并参考图35b所示，在第二晶圆2的第一侧刻蚀形成第一隔离槽35，以及在第二晶圆的第二侧刻蚀形成第二对位标记02；200.该步骤中，通过第一隔离槽35可将第二晶圆2的第一侧的硅层划分为相互绝缘的第一导电部33和第二导电部34，其中第一导电部33可接地设置；201.步骤三：一并参考图35c所示，在第一导电部33上刻蚀形成凸台31和第一限位柱32，以及在第二导电部34上刻蚀形成第二梳齿结构62，这样就在第二晶圆2的第一侧完成了固定组件的制备；202.步骤四：一并参考图35d所示，利用第一对位标记01和第二对位标记02作为定位基准，将第一晶圆1和第二晶圆2键合固定，并使第一晶圆1的第一侧与第二晶圆2的第一侧位置相对；203.步骤五：一并参考图35e所示，刻蚀去除第一晶圆1的第二侧的硅层；204.步骤六：一并参考图35f所示，刻蚀去除第一晶圆1的中间绝缘层，使第一晶圆1的第一侧的硅层在对应凸台的位置形成固定部21，以及形成与固定部21通过第一支撑梁23连接的运动部22；205.步骤七：一并参考图35g所示，在第一晶圆1上刻蚀形成第一梳齿结构61，并将第一晶圆上对应第一隔离槽35的区域的硅层刻蚀去除；其中，第一梳齿结构61的梳齿与第二梳齿结构62的梳齿错位设置，第一梳齿结构61可位于第一支撑梁23的其中一侧，或者也可以位于第一支撑梁23的两侧，且第一梳齿结构61与运动部22连接，以使当第二梳齿结构62接收驱动电压时，可以驱动第一梳齿结构61及运动部绕第一支撑梁23转动；206.步骤八：一并参考图35h所示，在第一晶圆1的中间绝缘层50对应第一隔离槽的位置刻蚀形成第一通槽51，这样可以避免第一隔离槽35的位置有绝缘材料暴露，进而避免由于绝缘材料逐渐积累净电荷而导致的驱动组件的可靠性问题，有助于提升mems芯片的转动角度或者转动频率的长期稳定性；207.步骤九：一并参考图35i所示，在固定部21上制备金属电极211，以使固定部21能够通过金属电极211实现接地，进而可以将通过凸台与固定部21电性连接的第一导电部33接地设置；另外，当mems芯片作为微镜使用时，该步骤中，还可以一并在运动部22背离固定组件30的一面制备反射层40。208.以上步骤为采用静电驱动方式时的一种mems芯片的具体制备过程，应当理解的是，对于采用其它驱动方式的mems芯片，也可以根据驱动组件的具体结构形式，通过相应的制备工艺来进行制备，此处不再过多赘述。209.参考图36所示，本技术实施例还提供了一种mems芯片阵列200，该mems芯片阵列200包括多个前述任一可能的实施例中mems芯片100，多个mems芯片100呈阵列排布。具体实施时，多个mems芯片100可以呈一维排布，也可以呈二维排布，本技术对此不做限制；另外当mems芯片100采用不同的结构形式时，也可以具有不同的排布方式，例如图36和图37所示，具体可以根据实际需求进行设计。210.当mems芯片100为微镜时，mems芯片阵列即为微镜阵列，在实际使用中，微镜阵列中的每个微镜可以对应一束入射光线，用以调整入射光线的反射方向，这样整个微镜阵列就可以对不同光束的反射方向进行精确控制，从而可以扩展其应用场景。211.参考图38所示，本技术实施例还提供了一种mems器件300，该mems器件可包括前述任一可能的实施例中的mems芯片100，以及基板310和盖板320，其中，基板310上设置有引脚311，盖板320可盖设在基板310的一侧，以与基板310之间形成一可用于封装mems芯片100的封装空间330；mems芯片100位于该封装空间330内，且mems芯片100的驱动组件可与引脚311的第一端连接，引脚311的第二端则可伸出至封装空间330的外侧，以与器件外部的驱动信号连接，这样就可以将驱动电压或者电流输出至驱动组件，使mems芯片100能够正常工作。212.需要说明的是，当mems芯片100为微镜时，盖板320与基板310相对的一侧可以为透明材质，以使得器件外部的光束可以通过透明的盖板320照射到封装空间300内的微镜上。213.参考图39所示，本技术实施例还提供了一种电子设备400，该电子设备400可以为现有技术中的光衰减器、波长选择开关、光交叉连接器，或者光学雷达、抬头显示等等。该电子设备400可包括电路板410、控制芯片420、连接器430以及前述实施例中的mems器件300，其中，mems器300和控制芯片420分别位于电路板410的一侧，连接器430可用于将控制芯片420和引脚的第二端连接，以将控制芯片420输出的驱动电压或者电流输出至mems器件300。214.此外，除了图1所示的mems芯片结构外，本技术实施例提供另一种mems芯片结构，其侧视图如图40所示。该mems芯片100可包括衬底10、运动组件20以及位于衬底10和运动组件20之间的固定组件30。其中，运动组件20可包括固定部21、运动部22和第一支撑梁23，第一支撑梁23分别与固定部21和运动部22连接，以将运动部22可转动地设置在固定部21上；固定组件30在朝向运动组件20的一面设置有凸台31和第一限位柱32，凸台31可与固定部21连接并对固定部21进行支撑，以使运动部22悬浮在固定组件30之上，第一限位柱32则位于固定组件30上对应运动部22的区域，且第一限位柱32与运动部22朝向固定组件30的一面存在一定的间隔，这样一方面能够使运动部22相对固定组件30转动，以实现mems芯片100的相关功能，另一方面，在mems芯片100受到外界冲击时，通过第一限位柱32的止挡作用，还可以避免运动部22在靠近固定组件30的方向(z轴负方向)发生过量的位移，从而可以减小第一支撑梁23断裂的风险，提高mems芯片100的结构可靠性。215.本技术实施例的基本结构与图1所示mems芯片类似，而且mems芯片100的具体类型、各部件材料、运动部22的驱动方式、凸台31以及支撑梁23的形式等等要求可见图1所示mems芯片的相关描述，本实施例不再赘述。本实施例与图1所示mems芯片的区别在于，每个限位柱上方对应一个从运动部22刻蚀形成的避让槽，避让槽一个侧面到第一转轴轴线的水平距离为w1，避让槽另外一端一直延伸到运动部22的边缘。限位柱上靠近第一旋转轴线的点到第一转轴轴线的水平距离为l4，考虑工艺容差条件下，w1＜l4。限位柱的宽度为w0。216.运动部22可以旋转的最大转角θ4max或者位移决定了本实施例中避让槽的深度d4和限位柱相对运动部22旋转轴线的水平距离l4，参考图41所示，以第一旋转轴线的方向为x轴方向为例，当运动部22绕x轴的最大转角为θ4max时，根据相关几何原理，避让槽的深度d4以及限位柱上靠近第一旋转轴线的点到第一转轴轴线的水平距离l4与θ4max之间满足如下条件：217.θ4max≤arctan[d4/(l4+w0)][0218]根据上述公式，通过避让槽24与第一限位柱32之间的配合，可以使第一限位柱32既能对运动部22沿z轴负方向的位移量进行限制，又能对运动部22绕x轴顺时针方向的转动量进行限制，从而提高mems芯片的结构可靠性。因此，还可以通过增加d4或者减小(l4+w0)来增加运动部22的最大转角。应理解，限位柱的截面除了矩形之外，还可以为圆形、椭圆形、三角形等，对于不同的形状，上述公式可以变为：[0219]θ4max≤arctan(d4/l3)[0220]其中，l3可以指限位柱上距离第一旋转轴线最远的点到第一旋转轴线的水平距离。[0221]此外，还可以参照之前实施例中的表述方式，运动部22可以旋转的最大转角θ4max满足如下条件：[0222]θ4max≤arctan[d4/(l1)][0223]其中，d4为避让槽的深度，l1为第一避让槽到第一旋转轴线的水平距离。避让槽的截面可以是矩形、圆形、椭圆形、三角形等，对于不同的形状，l1可以指第一避让槽的边上距离第一旋转轴线最近的点到第一旋转轴线的水平距离。应理解，如图1所示结构中，第一避让槽到第一旋转轴线的水平距离l1同样可以满足上述限定。[0224]当然，在本技术的其它实施例中，还可以将第一限位柱32设置在第一旋转轴线的另外一侧，这时则可对运动部22绕第一旋转轴线逆时针方向的转动量进行限制；或者，还可以将第一限位柱32设置在第一旋转轴线的两侧，以对运动部22绕第一旋转轴线顺时针方向的转动量和逆时针方向的转动量分别进行限制；或者还可以将第一限位柱32设置在第二旋转轴线的两侧或同时设置在第一旋转轴线和第二旋转轴线的两侧，起到更全面的限位作用，第二旋转轴线为沿y轴方向。可选地，限位柱还可以第一旋转轴线和/或第二旋转轴线为中心对称设置。[0225]需要说明的是，将限位柱上方的运动部22刻蚀出一个深度为d4的避让槽24，以图40显示的第一限位柱32为例，与其对应的避让槽24可以为只比第一限位柱32宽的条形避让槽，也可以为沿x轴方向完全被刻蚀掉、深度为d4的避让槽；其他限位柱对应的避让槽也可以通过类似方式形成，本技术不做限定。[0226]进一步地，本技术还提供另一种mems芯片结构，其侧视图如图42所示，基本结构及要求与图1以及图40类似，本技术在此不再赘述；区别在于，限位柱上方对应一个从运动部22底部刻蚀形成的避让槽，避让槽一个侧面到第一转轴轴线的水平距离为w2。限位柱上远离第一旋转轴线的顶点到第一转轴轴线的水平距离为l3，考虑工艺容差条件下，w2＞l3。限位柱的宽度为w0，且多个限位柱可以对应同一个避让槽24。[0227]运动部22可以旋转的最大转角θ3max或者位移决定了避让槽的深度d3和限位柱相对运动部22的旋转轴线的水平距离l3，参考图43所示，以第一旋转轴线的方向为x轴方向为例，当运动部22绕x轴的最大转角为θ3max时，根据相关几何原理，避让槽的深度d3以及限位柱上远离第一旋转轴线的点到第一转轴轴线的水平距离l3与θ3max之间满足如下条件：[0228]θ3max≤arctan(d3/l3)[0229]根据上述公式，通过避让槽24与第一限位柱32之间的配合，可以使第一限位柱32既能对运动部22沿z轴负方向的位移量进行限制，又能对运动部22绕x轴顺时针方向的转动量进行限制，从而提高mems芯片的结构可靠性。因此，还可以通过增加d3或者减小l3来增加运动部22的最大转角。应理解，限位柱的截面可以是矩形、圆形、椭圆形、三角形等，对于不同的形状，l3可以指限位柱上距离第一旋转轴线最远的点到第一旋转轴线的水平距离。[0230]当然，在本技术的其它实施例中，还可以将第一限位柱32设置在第一旋转轴线的另外一侧，这时则可对运动部22绕第一旋转轴线逆时针方向的转动量进行限制；或者，还可以将第一限位柱32设置在第一旋转轴线的两侧，以对运动部22绕第一旋转轴线顺时针方向的转动量和逆时针方向的转动量分别进行限制；或者还可以将第一限位柱32设置在第二旋转轴线的两侧或同时设置在第一旋转轴线和第二旋转轴线的两侧，起到更全面的限位作用，第二旋转轴线为沿y轴方向。可选地，限位柱还可以第一旋转轴线和/或第二旋转轴线为中心对称设置。[0231]需要说明的是，在x轴或y轴两侧设置的限位柱可以对应同一个避让槽24，如图42所示，第一限位柱32和第二限位柱36对应同一个避让槽24，该避让槽24可以为只比两个限位柱宽、深度为d3的条形避让槽，也可以为沿x轴方向的完全被刻蚀掉的深度为d3的避让槽；同理，如果在y轴两侧存在两个限位柱，则这两个限位柱也可以对应同一个避让槽，且该避让槽可以为只比两个限位柱宽、深度为d3的条形避让槽，也可以为沿y轴方向的完全被刻蚀掉的深度为d3的避让槽；进一步地，如果同时存在多个限位柱，比如在x轴和y轴两侧都存在限位柱，此时多个限位柱也可以对应同一个避让槽。可选地，避让槽的截面形状可以是矩形、圆形、多边形、椭圆形、三角形等，本技术不做限定。[0232]以上，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以权利要求的保护范围为准。