包括低折射率涂层和辐射改性层的器件的制作方法

本公开涉及分层半导体器件，并且具体地涉及一种光电子器件，它具有由半导体层分开的第一电极和第二电极并且具有沉积在其上的导电沉积材料，该导电沉积材料使用图案化涂层图案化，该图案化涂层可充当和/或作为成核抑制涂层(nic)和/或这种nic。

背景技术：

1、在诸如有机发光二极管(oled)的光电子器件中，至少一个半导电层设置在一对电极诸如阳极和阴极之间。阳极和阴极与电源电耦接，并且分别产生空穴和电子，这些空穴和电子通过该至少一个半导电层朝向彼此迁移。当一对空穴和电子结合时，可以发射光子。

2、oled显示器面板可包括多个(子)像素，每个(子)像素具有相关联的一对电极。此类面板的各种层和涂层通常由基于真空的沉积工艺形成。

3、在一些应用中，可能存在这样的目标：在oled制造工艺期间，通过将导电涂层的至少一个薄膜选择性地沉积以形成器件特征，诸如但不限于电极和/或与其电耦接的导电元件，在面板的侧向朝向和剖面朝向中的任一者或两者上为面板的每个(子)像素提供一定图案的导电和/或电极涂层。

4、在一些应用中，可能存在这样的目标：使该器件基本上透明，同时仍然能够从其发射光。在一些应用中，该器件包括布置在多个发光区域或子像素之间的多个透光区域。由于发光区域通常包括衰减或抑制外部光通过此类区域的透射的层、涂层和/或部件，因此透光区域通常设置在显示面板的非发射区域中，在非发射区域中可以省略此类衰减或抑制外部光的透射的层、涂层和/或部件的存在。

5、在一些非限制性应用中，这样做的一种方法涉及在沉积材料的沉积期间插入精细金属掩模(fmm)(包括作为电极和/或与其电耦接的导电元件)，和/或em辐射改性层。然而，这种沉积材料典型地具有相对高的蒸发温度，这会影响重复使用fmm的能力和/或可实现的图案的准确性，还伴随成本、努力和复杂性的增加。

6、在一些非限制性示例中，这样做的一种方法涉及将电极材料沉积然后去除(包括通过激光钻孔工艺)其中不需要的区域以形成图案。然而，去除过程通常涉及碎屑的产生和/或存在，这可能影响该制造工艺的产量。

7、此外，此类方法可能不适用于一些应用和/或具有某些形貌特征的一些设备。

8、在一些非限制性应用中，可能存在这样的目标：增大光子的透射和/或减小光子的吸收，以提供用于在电磁(em)光谱的至少一个波长子范围中沿着穿过该器件的至少一部分的光路的改进机制，包括但不限于通过提供沉积材料的选择性沉积来提供。

9、在一些非限制性应用中，可能存在这样的目标：提供用于在光电子器件中沉积金属np的薄分散层的机制，这可能影响该器件在光学性质、性能、稳定性、可靠性和/或寿命方面的性能。

技术实现思路

1、本发明的目的是消除或减轻现有技术的至少一个缺点。

2、本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件具有沉积在基板上的多个层并且在由其侧向轴限定的至少一个侧向朝向延伸。该器件包括设置在第一层表面上的至少一个(较)低折射率涂层，以及嵌入在该至少一个(较)低折射率涂层内并且包括至少一种颗粒结构的至少一个em辐射改性层，该至少一种颗粒结构包括沉积材料。将该至少一个em辐射改性层的该至少一种颗粒结构嵌入在该至少一个(较)低折射率涂层内修改了该至少一个em辐射改性层的针对em辐射的吸收光谱，该em辐射在em光谱的至少一部分中以相对于该至少一个em辐射改性层中的侧向朝向的非零角度至少部分地穿过该至少一个em辐射改性层。

3、根据一个广义方面，公开了一种半导体器件，该半导体器件具有沉积在基板上的多个层并且在由其侧向轴限定的至少一个侧向朝向上延伸，该半导体器件包括：至少一个(较)低折射率涂层，该至少一个(较)低折射率涂层设置在第一层表面上；至少一个电磁(em)辐射改性层，该至少一个em辐射改性层嵌入在该至少一个(较)低折射率涂层内并且包括至少一种颗粒结构，该至少一种颗粒结构包括沉积材料；其中将该至少一个em辐射改性层的该至少一种颗粒结构嵌入在该至少一个(较)低折射率涂层内修改了该至少一个em辐射改性层的针对em辐射的吸收光谱，该em辐射在em光谱的至少一部分中以相对于该至少一个em辐射改性层中的侧向朝向的非零角度至少部分地穿过该至少一个em辐射改性层。

4、在一些非限制性示例中，该至少一个(较)低折射率涂层可包括设置在第一层表面和该至少一个em辐射改性层之间的下部和设置在该至少一个em辐射改性层上的上部。在一些非限制性示例中，下部可包括第一(较)低折射率涂层，并且上部可包括第二(较)低折射率涂层。

5、在一些非限制性示例中，该器件可包括设置在与该多个(较)低折射率涂层的暴露层表面的折射率界面处的较高折射率介质，使得em辐射改性层设置在该折射率界面和该第一层表面之间。在一些非限制性示例中，较高折射率介质可包括有机化合物。在一些非限制性示例中，较高折射率介质可包括该器件的封盖层。在一些非限制性示例中，该器件可包括设置在较高折射率介质之外的气隙。在一些非限制性示例中，较高折射率介质可包括沉积在折射率界面上的较高折射率层。在一些非限制性示例中，较高折射率介质可以是基本上透明的。在一些非限制性示例中，较高折射率介质可包括氟化锂(lif)。

6、在一些非限制性示例中，在em光谱的可见范围的至少一个子范围中，较高折射率介质的消光系数可为不大于约0.1、0.08、0.05、0.03和0.01中的至少一者。

7、在一些非限制性示例中，em辐射改性层可包括至少一个颗粒簇的不连续层。

8、在一些非限制性示例中，第一(较)低折射率涂层可由第一低折射率材料组成，并且第二(较)低折射率涂层可由第二低折射率材料组成。在一些非限制性示例中，第一低折射率材料和第二低折射率材料可以是相同的。在一些非限制性示例中，以下中的至少一者可具有为不大于约1.7、1.6、1.5、1.45、1.4、1.35、1.3和1.25中的至少一者的折射率：第一(较)低折射率涂层和第一低折射率材料中的至少一者以及第二(较)低折射率涂层和第二低折射率材料中的至少一者。在一些非限制性示例中，以下中的至少一者可具有为在约1.2-1.6、1.2-1.5、1.25-1.45和1.25-1.4之间的至少一者的折射率：第一(较)低折射率涂层和第一低折射率材料中的至少一者以及第二(较)低折射率涂层和第二低折射率材料中的至少一者。在一些非限制性示例中，以下中的至少一者可在em光谱的可见波长范围中具有为不大于约0.1、0.08、0.05、0.03和0.01中的至少一者的消光系数：第一(较)低折射率涂层和第一低折射率材料中的至少一者以及第二(较)低折射率涂层和第二低折射率材料中的至少一者。

9、在一些非限制性示例中，该多个(较)低折射率涂层中的至少一个(较)低折射率涂层可为基本上透明的。在一些非限制性示例中，该多个(较)低折射率涂层中的至少一个(较)低折射率涂层的平均层厚度可为不大于约60nm、50nm、40nm、30nm、20nm、10nm、8nm和5nm中的至少一者。

10、在一些非限制性示例中，吸收能力可以是以下项中的至少一项：增加在穿过该器件的em辐射的吸收光谱中的吸收、减少在该吸收光谱中的吸收、上移该吸收光谱的波长范围、下移该吸收光谱的波长范围，以及这些项中的任一项的任何组合。

11、在一些非限制性示例中，em光谱的部分可对应于以下项中的至少一项：em光谱的可见范围、红外(ir)范围、近红外(nir)范围、紫外(uv)范围、uv-a范围、uv-b范围、这些项中的任一项的子范围，以及这些项中的任一项的任何组合。

12、在一些非限制性示例中，沉积材料可为金属。在一些非限制性示例中，沉积材料可包含镁、银和/或镱中的至少一者。在一些非限制性示例中，沉积材料可与共沉积介电材料共沉积。

13、在一些非限制性示例中，该至少一种颗粒结构可具有选自以下中的至少一者的特性特征：尺寸、尺寸分布、形状、表面覆盖率、构型、沉积密度和组合物。在一些非限制性示例中，该至少一种颗粒结构可具有为在约10％-50％、10％-45％、12％-40％、15％-40％、15％-35％、18％-35％、20％-35％和20％-30％之间的至少一者的百分比覆盖率。在一些非限制性示例中，该至少一种颗粒结构的大部分可具有不大于约40nm、35nm、30nm、25nm和20nm中的至少一者的最大特征尺寸。在一些非限制性示例中，该至少一种颗粒结构可具有特征尺寸，该特征尺寸为在约5nm-40nm、5nm-30nm、8nm-30nm、10nm-30nm、8nm-25nm、10nm-25nm、8nm-20nm、10nm-20nm、10nm-15nm和8nm-15nm之间的至少一者的平均值和中值中的至少一者。

14、在一些非限制性示例中，该至少一种颗粒结构可包括晶种，沉积材料倾向于围绕该晶种聚结。

15、在一些非限制性示例中，该器件还可包括设置在第二层表面上的图案化涂层，其中：第一层表面是该图案化涂层的暴露层表面；对于沉积材料在图案化涂层的表面上的沉积的初始黏着概率显著小于以下至少一者：0.3和对于沉积材料在第二层表面上的沉积的初始黏着概率，使得图案化涂层基本上没有沉积材料的封闭涂层。在一些非限制性示例中，该图案化涂层可包括至少一种图案化材料。在一些非限制性示例中，该图案化涂层可包括具有对于沉积材料的沉积的初始黏着概率的第一图案化材料和具有对于沉积材料的沉积的第二初始黏着概率的第二图案化材料，其中第一初始黏着概率基本上小于第二初始黏着概率。在一些非限制性示例中，第一图案化材料可为成核抑制涂层(nic)材料，并且第二图案化材料可选自电子传输层(etl)材料、liq和氟化锂(lif)中的至少一者。

16、在一些非限制性示例中，这些层可在该至少一个侧向朝向的第一部分和第二部分中延伸，该至少一个em辐射改性层可延伸跨过第一部分，该器件适于使至少一个em信号以相对于这些层的非零角度穿过第一部分。

17、在一些非限制性示例中，该至少一个em信号可具有在ir光谱和nir光谱中的至少一者的至少一部分中的波长范围。

18、在一些非限制性示例中，第一部分可基本上没有沉积材料的封闭涂层。在一些非限制性示例中，第一部分可对应于信号透射区域的至少一部分。

19、在一些非限制性示例中，该器件可适于接受从中穿过的该至少一个em信号以用于与至少一个显示器下部件交换。在一些非限制性示例中，该至少一个显示器下部件可包括以下中的至少一者：适于接收的接收器；和适于发射穿过该器件的至少一个em信号的发射器。在一些非限制性示例中，接收器可为ir检测器并且发射器可为ir发射器。在一些非限制性示例中，发射器可发射第一em信号，接收器可检测作为第一em信号的反射的第二em信号。在一些非限制性示例中，第一em信号和第二em信号的交换可提供用户的生物识别认证。在一些非限制性示例中，该器件可形成用户设备的显示面板，该显示面板包围显示器下部件。

20、在一些非限制性示例中，第二部分可包括至少一个发射区域，该发射区域用于以相对于这些层的非零角度发射该至少一个em信号。

21、在一些非限制性示例中，该器件还可包括设置在其一层上的至少一个半导电层，其中：每个发射区域包括第一电极和第二电极，第一电极设置在基板和该至少一个半导电层之间，并且该至少一个半导电层设置在第一电极和第二电极之间。

22、在一些非限制性示例中，该器件还可包括在第二部分中设置在其暴露层表面上的沉积材料的至少一个封闭涂层。在一些非限制性示例中，第二电极可包括该沉积材料的该至少一个封闭涂层。