芯片电源物理版图的缺陷检测方法、装置、设备及介质与流程

本发明涉及集成电路，尤其涉及一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法、装置、电子设备及介质。

背景技术：

1、在先进制程芯片设计中，晶体管密度越来越高，功耗随之增大，为了让电源稳定输送到器件，提高使用效率，芯片的电源物理版图需要完全符合设计者预期，不能随意改动。

2、当前芯片电源物理版图的缺陷检测方法包括：在芯片物理实现阶段，使用电子设计自动化(electronic design automation，eda)工具抽取电源的形状图形，发现同一电源名的图形在不同金属层的重叠区域，是否有遗漏通孔。

3、现有的芯片电源物理版图的缺陷检测方法只能看到通孔缺失，不能确定电源布线缺失。

4、综上可知，现有的芯片电源物理版图的缺陷检测不全面。

技术实现思路

1、本发明提供一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法、装置、电子设备及介质，用以解决现有技术中芯片电源物理版图的缺陷检测不全面的缺陷，实现提高芯片电源物理版图的缺陷的全面检测。

2、第一方面，本发明提供一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法，应用于物理验证工具，包括：识别每一芯片金属层的电源线和至少一个通孔，得到每一芯片金属层的实际电源物理版图；将每一芯片金属层中的所有通孔在通孔所处电源线的延伸方向上进行扩展，得到每一芯片金属层的预期电源物理版图；比较每一芯片金属层的实际电源物理版图和预期电源物理版图，根据比较结果得到实际电源物理版图中电源线的缺陷检测结果。

3、根据本发明提供的一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法，将每一芯片金属层中的所有通孔在通孔所处电源线的延伸方向上进行扩展，得到每一芯片金属层的预期电源物理版图，包括：在每一芯片金属层上，基于至少一个通孔，确定至少一个扩展通孔；将每个扩展通孔在扩展通孔所处电源线的延伸方向上扩展，直至遇到下一个扩展通孔，或者达到扩展通孔所处电源线的端点；将每个扩展通孔的扩展轨迹作为一条预期电源线，基于所有预期电源线，得到每一芯片金属层的预期电源物理版图，预期电源线的宽度为扩展通孔所处电源线的宽度。

4、根据本发明提供的一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法，在每一芯片金属层上，基于至少一个通孔，确定至少一个扩展通孔，包括：在每一芯片金属层上，当至少一个通孔为通孔阵列时，基于通孔阵列中所有通孔，确定一个扩展通孔，通孔阵列由多个间隔距离相同且处于同一电源线的通孔组成，扩展通孔的直径是基于通孔阵列的宽度确定的。

5、根据本发明提供的一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法，识别每一芯片金属层的电源线和至少一个通孔，包括：识别每一芯片金属层上的矩形图形，当矩形图形的长度和宽度的比值达到设定比例时，将矩形图形确定为电源线；获取第一电源线和第二电源线的至少一个重叠区域，识别每个重叠区域的通孔，以得到第一目标板层和第二目标板层的通孔，第一电源线为第一目标板层的电源线，第二电源线为第二目标板层的电源线，第一目标板层和第二目标板层为相邻的两个芯片金属层。

6、根据本发明提供的一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法，获取第一电源线和第二电源线的至少一个重叠区域之后，方法还包括：若识别重叠区域中没有通孔，则确定第一目标板层或者第二目标板层存在缺少通孔的缺陷。

7、根据本发明提供的一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法，缺陷检测结果包括电源线缺失、电源线偏移和电源线断开中的至少一种，比较每一芯片金属层的实际电源物理版图和预期电源物理版图，根据比较结果得到实际电源物理版图中电源线的缺陷检测结果，包括：基于物理验证工具对实际电源物理版图和预期电源物理版图的异或操作结果，获取实际电源物理版图和预期电源物理版图的差异；基于差异，识别电源线缺失、电源线偏移和电源线断开。

8、根据本发明提供的一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法，根据比较结果得到实际电源物理版图中电源线的缺陷检测结果之后，还包括：基于缺陷检测结果，在版图编辑工具上对实际电源物理版图进行修改。

9、第二方面，本发明提供一种芯片电源物理版图的缺陷检测装置，包括：实际电源物理版图确定模块，用于识别每一芯片金属层的电源线和至少一个通孔，得到每一芯片金属层的实际电源物理版图；预期电源物理版图确定模块，用于将每一芯片金属层中的所有通孔在通孔所处电源线的延伸方向上进行扩展，得到每一芯片金属层的预期电源物理版图；缺陷识别模块，用于比较每一芯片金属层的实际电源物理版图和预期电源物理版图，根据比较结果得到实际电源物理版图中电源线的缺陷检测结果。

10、第三方面，本发明提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述任一种所述芯片电源物理版图的缺陷检测方法。

11、第四方面，本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述芯片电源物理版图的缺陷检测方法。

12、本发明提供的芯片电源物理版图的缺陷检测方法、装置、电子设备及介质，通过识别每一芯片金属层的电源线和至少一个通孔，得到每一芯片金属层的实际电源物理版图；将每一芯片金属层中的所有通孔在通孔所处电源线的延伸方向上进行扩展，得到每一芯片金属层的预期电源物理版图；比较每一芯片金属层的实际电源物理版图和预期电源物理版图，根据比较结果得到实际电源物理版图中电源线的缺陷检测结果。本发明通过扩张通孔图形，获取预期电源物理版图，提高了对芯片的实际电源物理版图检测的效率。通过比较预期电源物理版图和实际电源物理版图，识别电源线的缺陷，提供了自动识别电源线的缺陷的方法，实现了同时识别电源线的缺陷和通孔缺陷，使得芯片电源物理版图的缺陷检测更加全面。

技术特征：

1.一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，应用于物理验证工具，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述将每一所述芯片金属层中的所有所述通孔在通孔所处电源线的延伸方向上进行扩展，得到每一所述芯片金属层的预期电源物理版图，包括：

3.根据权利要求2所述的芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述在每一所述芯片金属层上，基于至少一个所述通孔，确定至少一个扩展通孔，包括：

4.根据权利要求1所述的芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述识别每一芯片金属层的电源线和至少一个通孔，包括：

5.根据权利要求4所述的芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述获取第一电源线和第二电源线的至少一个重叠区域之后，所述方法还包括：

6.根据权利要求1所述的芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷检测结果包括电源线缺失、电源线偏移和电源线断开中的至少一种，所述比较每一所述芯片金属层的所述实际电源物理版图和所述预期电源物理版图，根据比较结果得到所述实际电源物理版图中所述电源线的缺陷检测结果，包括：

7.根据权利要求1所述的芯片电源物理版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述根据比较结果得到所述实际电源物理版图中所述电源线的缺陷检测结果之后，还包括：

8.一种芯片电源物理版图的缺陷检测装置，其特征在于，包括：

9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述芯片电源物理版图的缺陷检测方法。

10.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述芯片电源物理版图的缺陷检测方法。

技术总结本发明提供一种芯片电源物理版图的缺陷检测方法、装置、电子设备及介质，属于集成电路技术领域，所述方法包括：识别每一芯片金属层的电源线和通孔，得到实际电源物理版图；将每一芯片金属层中的所有通孔在通孔所处电源线的延伸方向上进行扩展，得到预期电源物理版图；比较实际电源物理版图和预期电源物理版图，根据比较结果得到实际电源物理版图中电源线的缺陷检测结果。本发明通过扩展通孔图形，获取预期电源物理版图，提高了对芯片的实际电源物理版图检测的效率。通过比较预期电源物理版图和实际电源物理版图，识别电源线的缺陷，实现了同时识别电源线的缺陷和通孔缺陷，使得芯片电源物理版图的缺陷检测更加全面。技术研发人员：请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名受保护的技术使用者：上海壁仞科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29