存储器设备及其操作方法与流程

本公开的各种实施例涉及一种电子设备，并且更具体地涉及一种存储器设备和操作该存储器设备的方法。

背景技术：

1、因为三维(3d)存储器设备被设计成多存储器单元串结构以提高存储器单元的集成度，出现了如下问题：3d存储器设备容易受到读取干扰现象的影响，在该读取干扰现象中，存储器单元的阈值电压在读取操作期间是变化的。作为克服其的解决方案，执行在多个读取操作之间初始化沟道电位的操作。作为另一种解决方案，有一种通过如下方式提高沟道电位之后执行读取操作的方案：在读取被存储在存储器单元中的数据之前，截止与耦合到未被选择的存储器单元串的未被选择的漏极选择线和未被选择的源极选择线耦合的晶体管。然而，当沟道电位升高时，可能发生软擦除现象，在该软擦除现象中，被存储在未被选择的存储器单元串中包括的存储器单元中的电荷在读取操作期间丢失。因此，需要在读取操作期间降低沟道电位以改善这种软擦除现象。

技术实现思路

1、本公开的一个实施例可以提供一种存储器设备。该存储器设备可以包括：多个存储器单元串，每个存储器单元串包括耦合在漏极选择线和源极选择线之间的多个存储器单元；外围电路，被配置为使用多个读取电压来执行读取被存储在被选择的存储器单元中的数据的读取操作，该被选择的存储器单元被包括在多个存储器单元串之中的被选择的存储器单元串中；以及操作控制器，被配置为控制外围电路以执行通过使用多个读取电压之中的第一读取电压来执行读取操作，在执行读取操作之后执行第一电位调整操作，并且在执行第一电位调整操作之后，通过使用比第一读取电压更低的第二读取电压来执行读取操作，其中第一电位调整操作是如下操作：将第一导通电压施加到与多个存储器单元串之中的未被选择的存储器单元串耦合的未被选择的源极选择线达第一时段，并且此后将接地电压施加到未被选择的源极选择线。

2、本公开的一个实施例可以提供一种操作存储器设备的方法，该存储器设备使用多个读取电压来执行被存储在被选择的存储器单元中的数据的读取操作，该被选择的存储器单元被包括在多个存储器单元串之中的被选择的存储器单元串中。该方法可以包括：通过使用多个读取电压之中的第一读取电压来执行读取操作，将第一导通电压施加到与多个存储器单元串之中的未被选择的存储器单元串耦合的未被选择的源极选择线达第一时段，并且此后将接地电压施加到未被选择的源极选择线，并且通过使用比第一读取电压更低的第二读取电压来执行读取操作。

技术特征：

1.一种存储器设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述操作控制器被配置为控制所述外围电路以在所述第一电位调整操作正在被执行的同时：将所述第一导通电压施加到与所述未被选择的存储器单元串耦合的未被选择的漏极选择线达所述第一时段，并且此后将所述接地电压施加到所述未被选择的漏极选择线。

3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述操作控制器被配置为控制所述外围电路执行：

4.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述操作控制器被配置为控制所述外围电路执行：

5.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述操作控制器被配置为控制所述外围电路执行：

6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述操作控制器被配置为：控制所述外围电路以在通过使用所述第一读取电压执行所述读取操作之前，将所述接地电压施加到所述未被选择的源极选择线和所述未被选择的漏极选择线。

7.根据权利要求6所述的存储器设备，其中：

8.根据权利要求6所述的存储器设备，其中：

9.根据权利要求6所述的存储器设备，其中：

10.一种操作存储器设备的方法，所述存储器设备使用多个读取电压来执行读取被存储在被选择的存储器单元中的数据的读取操作，所述被选择的存储器单元被包括在多个存储器单元串之中的被选择的存储器单元串中，所述方法包括：

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

13.根据权利要求11所述的方法，还包括：

14.根据权利要求11所述的方法，还包括：

15.根据权利要求14所述的方法，还包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其中：

17.根据权利要求15所述的方法，其中：

18.根据权利要求15所述的方法，其中：

技术总结本文提供了一种存储器设备及其操作方法。存储器设备可以包括多个存储器单元串、外围电路和操作控制器，该外围电路被配置为使用多个读取电压来执行读取被存储在被选择的存储器单元中的数据的读取操作，该被选择的存储器单元被包括在被选择的存储器单元串之中，该操作控制器被配置为控制外围电路：通过使用第一读取电压来执行读取操作；通过使用低于第一读取电压的第二读取电压来执行第一电位调整操作以及读取操作，其中第一电位调整操作是如下操作：将第一导通电压施加到与未被选择的存储器单元串耦合的未被选择的源极选择线达第一时段，并且此后将接地电压施加到未被选择的源极选择线。技术研发人员：朴钟庆,郑载烨,郭东勋受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15