闪存阈值电压分布测试方法、系统、电子设备及存储介质与流程

本发明涉及闪存可靠性测试，更具体地，涉及一种闪存阈值电压分布测试方法、系统、电子设备及存储介质。

背景技术：

1、随着云计算、大数据等技术的发展，3d闪存存储器凭借其大容量、低成本等优势逐渐成为市场上的主流非易失性存储器之一。近年来，3d闪存堆叠层数不断增加单个芯片容量由mb级提升至tb级，但存储密度提高的同时也带来了测试效率下降的问题。

2、在3d闪存中，阈值电压分布是芯片测试过程中判断芯片可靠性的重要依据。闪存芯片使用过程中，随着编程/擦除操作次数的增加闪存单元氧化层磨损，闪存芯片可靠性降低阈值电压分布发生偏移及形变。在现有的阈值电压测试方法中，往往对芯片测试块中的所有单元逐一进行读参考电压扫描，且有分布起始边界连续扫描至分布截止边界。这种方法在测试大容量3d闪存时将耗费大量时间，影响存储系统开发周期。因此，如何进一步提高闪存阈值电压分布测试效率是亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本发明针对现有技术中存在的技术问题，提供一种闪存阈值电压分布测试方法、系统、电子设备及存储介质，用以解决如何进一步提高闪存阈值电压分布测试效率的问题。

2、本发明的第一方面，提供了一种闪存阈值电压分布测试方法，包括：

3、基于3d闪存中的目标测试块各字线单元的错误特征，对各字线单元进行特征分组，得到至少一个特征单元组；

4、基于3d闪存的存储结构，为每个特征单元组设定多个参考电压；

5、获取每个参考电压对应的多个扫描起止电压；

6、依次选取其中一个扫描起止电压设定为扫描起始点和扫描截止点，设定预设初始步长为扫描步长；

7、基于所述扫描起始点、所述扫描截止点和所述扫描步长，对每个参考电压下的所述特征单元组中的每个特征单元进行读操作；

8、在执行所述读操作过程中，依次计算同一参考电压下相邻两次读操作的错误单元数量差值；

9、将连续多个所述错误单元数量差值分别与预设阈值e比较，基于比较结果，对所述扫描步长更新，以使所述读操作基于更新后的扫描步长执行，直至每个特征单元组的全部参考电压下的读操作完成；

10、统计所述错误单元数量差值及其对应的参考电压，绘制阈值电压分布。

11、在上述技术方案的基础上，本发明还可以作出如下改进。

12、优选的，所述将连续多个所述错误单元数量差值分别与预设阈值e比较，基于比较结果，对所述扫描步长更新的步骤，包括：

13、在连续多个所述错误单元数量差值都小于等于所述预设阈值e时，基于预设步长变量a对所述扫描步长增大。

14、优选的，所述将连续多个所述错误单元数量差值分别与预设阈值e比较，基于比较结果，对所述扫描步长更新的步骤，还包括：

15、在连续多个所述错误单元数量差值都大于所述预设阈值e且所述扫描步长大于所述预设初始步长时，基于变量a对所述扫描步长减小。

16、优选的，所述基于3d闪存中的目标测试块各字线单元的错误特征，对各字线单元进行特征分组，得到至少一个特征单元组的步骤，包括：

17、基于3d闪存中的目标测试块各字线单元的错误特征相似度，对所述各字线单元进行特征分组，得到至少一个特征单元组，其中，所述错误特征包括原始错误比特分布、原始错误比特数量和/原始错误比特数值，所述错误特征相似度包括原始错误比特分布相似度、原始错误比特数量在同一预设数量区间和原始错误比特数值在同一预设数值区间。

18、优选的，所述存储结构包括单层单元、多层单元和三层单元。

19、优选的，在所述存储结构为单层单元时，为所述特征单元设定2个参考电压的扫描起始点、扫描截止点和扫描步长；

20、在所述存储结构为多层单元时，为所述特征单元设定4个参考电压的扫描起始点、扫描截止点和扫描步长；

21、在所述存储结构为三层单元时，为所述特征单元设定8个参考电压的扫描起始点、扫描截止点和扫描步长。

22、本发明的第二方面，提供一种闪存阈值电压分布测试系统，包括：

23、特征分组模块，用于基于3d闪存中的目标测试块各字线单元的错误特征，对各字线单元进行特征分组，得到至少一个特征单元组；

24、电压设定模块，用于基于3d闪存的存储结构，为每个特征单元组设定多个参考电压；

25、起止设定模块，用于获取每个参考电压对应的多个扫描起止电压；

26、参数设定模块，用于依次选取其中一个扫描起止电压设定为扫描起始点和扫描截止点，设定预设初始步长为扫描步长；

27、电压扫描模块，用于基于所述扫描起始点、所述扫描截止点和所述扫描步长，对每个参考电压下的所述特征单元组中的每个特征单元进行读操作；

28、差值计算模块，用于在执行所述读操作过程中，依次计算同一参考电压下相邻两次读操作的错误单元数量差值；

29、步长更新模块，用于将连续多个所述错误单元数量差值分别与预设阈值e比较，基于比较结果，对所述扫描步长更新，以使所述读操作基于更新后的扫描步长执行，直至每个特征单元组的全部参考电压下的读操作完成；

30、结果统计模块，用于统计所述错误单元数量差值及其对应的参考电压，绘制阈值电压分布。

31、本发明的第三方面，提供了一种电子设备，包括存储器、处理器，所述处理器用于执行存储器中存储的计算机管理类程序时实现上述第一方面中任一闪存阈值电压分布测试方法的步骤。

32、本发明的第四方面，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机管理类程序，所述计算机管理类程序被处理器执行时实现上述第一方面中任一闪存阈值电压分布测试方法的步骤。

33、本发明提供的一种闪存阈值电压分布测试方法、系统、电子设备及存储介质，方法包括：基于3d闪存中的目标测试块各字线单元的错误特征，对各字线单元进行特征分组，得到至少一个特征单元组；基于3d闪存的存储结构，为每个特征单元组设定多个参考电压；获取每个参考电压对应的多个扫描起止电压；依次选取其中一个扫描起止电压设定为扫描起始点和扫描截止点，设定预设初始步长为扫描步长；基于上述扫描起始点、上述扫描截止点和上述扫描步长，对每个参考电压下的上述特征单元组中的每个特征单元进行读操作；在执行上述读操作过程中，依次计算同一参考电压下相邻两次读操作的错误单元数量差值；将连续多个上述错误单元数量差值分别与预设阈值e比较，基于比较结果，对上述扫描步长更新，以使上述读操作基于更新后的扫描步长执行，直至每个特征单元组的全部参考电压下的读操作完成；统计上述错误单元数量差值及其对应的参考电压，绘制阈值电压分布。本发明通过筛选特征单元及自适应调整参考电压的扫描步长优化闪存阈值电压分布测试流程，相比于现有方法及装置中采用的连续扫描所有单元的测试步骤能够大幅缩短测试时间提高测试效率。

技术特征：

1.一种闪存阈值电压分布测试方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布测试方法，其特征在于，所述将连续多个所述错误单元数量差值分别与预设阈值e比较，基于比较结果，对所述扫描步长更新的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的闪存阈值电压分布测试方法，其特征在于，所述将连续多个所述错误单元数量差值分别与预设阈值e比较，基于比较结果，对所述扫描步长更新的步骤，还包括：

4.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布测试方法，其特征在于，所述基于3d闪存中的目标测试块各字线单元的错误特征，对各字线单元进行特征分组，得到至少一个特征单元组的步骤，包括：

5.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布测试方法，其特征在于，所述存储结构包括单层单元、多层单元和三层单元。

6.根据权利要求5所述的闪存阈值电压分布测试方法，其特征在于，在所述存储结构为单层单元时，为所述特征单元设定2个参考电压的扫描起始点、扫描截止点和扫描步长；

7.一种闪存阈值电压分布测试系统，其特征在于，包括：

8.一种电子设备，其特征在于，包括存储器、处理器，所述处理器用于执行存储器中存储的计算机管理类程序时实现如权利要求1-6任一项所述的闪存阈值电压分布测试方法的步骤。

9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机管理类程序，所述计算机管理类程序被处理器执行时实现如权利要求1-6任一项所述的闪存阈值电压分布测试方法的步骤。

技术总结本发明提供一种闪存阈值电压分布测试方法，包括：对3D闪存的字线单元进行特征分组，再为每个特征单元设定多个参考电压，基于每个参考电压设定每个特征单元的扫描起止点，并基于扫描步长对每个特征单元进行读操作，在读操作过程中，依次计算同一参考电压下相邻两次读操作的错误单元数量差值，基于连续多个错误单元差值与预设阈值的比较结果对扫描步长更新，以使读操作基于更新后的扫描步长执行，直至每个特征单元组的全部参考电压下的读操作完成；统计错误单元数量差值及其对应的参考电压，绘制阈值电压分布。本发明通过筛选特征单元及自适应调整参考电压的扫描步长优化闪存阈值电压分布测试流程，缩短测试时间提高测试效率。技术研发人员：潘玉茜,刘政林,张浩明,武含柏,熊建林,肖军受保护的技术使用者：武汉置富半导体技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15