测试装置、测试方法和测试系统与流程

本公开的一个或多个实施例涉及用于测试集成电路装置的测试装置和测试系统。

背景技术：

1、最近，对将dram(动态随机存取存储器)作为末级高速缓存(llc)来使用的需求不断增大。sram(静态随机存取存储器)接口已经被普遍地用于现有系统中的llc。然而，为了将dram用作llc，因为sram接口的命令不同于dram的命令，所以可根据sram接口的命令附加地生成dram的内部命令，然后dram可作为llc来操作。为了在llc应用中支持用dram的这种替换，需要用于测试dram是否根据sram接口命令正常操作的方法。

技术实现思路

1、公开的一个或多个实施例可提供用于检测存储器装置的内部命令是否正常地生成的测试装置和测试系统。

2、公开的一个或多个实施例提供一种测试装置，测试装置包括：电源电路，用于将输入电压经由电源电压引脚供应到存储器装置；以及测试控制器，被配置为：(i)将命令信号发送到存储器装置，(ii)将在发送命令信号之后的第一时间点通过电源电压引脚流向存储器装置的第一电流与在与第一时间点不同的第二时间点通过电源电压引脚流向存储器装置的第二电流进行比较，并且(iii)基于比较来确定存储器装置是否具有缺陷。

3、测试控制器可在第一电流基本等于第二电流时确定存储器装置中具有缺陷，并且测试控制器可在第一电流不同于第二电流时确定存储器装置正常。第一时间可在存储器装置根据命令信号执行第一操作期间的时间间隔中，并且第一时间可在存储器装置根据命令信号执行第二操作期间的时间间隔中。

4、测试控制器还可将时钟信号发送到存储器装置，并且第一时间和第二时间可与时钟信号同步。在一些实施例中，第一时间可以是时钟信号的在存储器装置根据命令信号执行第二操作之前的边沿，并且第二时间可以是时钟信号的在存储器装置根据命令信号开始执行第二操作之后的边沿。

5、测试装置还可包括电流测量器，被配置为测量通过电源电压引脚流向存储器装置的电流。特别地，测试控制器可通过电流测量器来测量第一电流和第二电流。根据一些实施例，测试控制器可在第一时间停止施加时钟信号，并且电流测量器可在时钟信号被停止施加的同时测量第一电流。类似地，测试控制器可在第二时间停止施加时钟信号，并且电流测量器可在时钟信号被停止施加的同时测量第二电流。

6、在一些实施例中，命令信号可以是写入与自动预充电指令，第一操作可以是写入操作，并且第二操作可以是预充电操作。此外，命令信号可以是写入指令，第一操作可以是激活操作并且第二操作可以是写入操作。可选地，第一操作可以是写入操作并且第二操作可以是预充电操作。命令信号还可以是与sram接口兼容的命令信号。

7、根据另一实施例，一种测试方法被提供，测试方法包括：(i)通过电源电压引脚将输入电压供应到存储器装置，(ii)将命令信号发送到存储器装置，(iii)在发送命令信号之后的第一时间测量通过电源电压引脚流向存储器装置的第一电流，(iv)在与第一时间不同的第二时间测量通过电源电压引脚流向存储器装置的第二电流，以及(v)将第一电流与第二电流进行比较，并且基于比较来确定存储器装置是否具有缺陷。

8、确定存储器装置是否具有缺陷的操作可包括：在第一电流基本等于第二电流时，确定存储器装置具有缺陷；在第一电流不同于第二电流时，确定存储器装置正常。另外，第一时间可在存储器装置根据命令信号执行第一操作期间的时段中，并且第二时间可在存储器装置根据命令信号执行第二操作期间的时段中。

9、测试方法还可包括将时钟信号发送到存储器装置；并且第一时间和第二时间可与时钟信号同步。特别地，第一时间可以是时钟信号的在存储器装置根据命令信号执行第二操作之前的边沿；并且第二时间可以是时钟信号的在存储器装置根据命令信号开始执行第二操作之后的边沿。

10、测量第一电流的操作可包括：在第一时间暂停施加时钟信号，并且在时钟信号被暂停施加的同时测量第一电流。并且，测量第二电流的操作可包括：在第二时间暂停施加时钟信号，并且在时钟信号被暂停施加的同时测量第二电流。

11、在一些实施例中，命令信号可以是写入与自动预充电指令，第一操作可以是写入操作，并且第二操作可以是预充电操作。在其他实施例中，命令信号可以是写入指令，第一操作可以是激活操作并且第二操作可以是写入操作。可选地，第一操作可以是写入操作并且第二操作可以是预充电操作。

12、在存储器装置根据命令信号执行第一操作之后执行第二操作之前的时间间隔中可发生第一时间和第二时间。另外，比较第一电流和第二电流的步骤以及确定存储器装置是否具有缺陷的步骤可包括：在第一电流基本等于第二电流时，确定存储器装置具有缺陷，并且在第一电流与第二电流充分地不同时，确定存储器装置正常。

13、本公开的另一实施方式提供一种测试系统，测试系统包括被测装置(在其中包括半导体存储器装置)；和测试装置，被配置为：(i)将输入电压供应到被测装置，(ii)生成用于使被测装置执行第一操作和第二操作的命令信号，(iii)将命令信号发送到存储器装置，(iv)在执行第一操作时测量流向被测装置的电流作为第一电流，(v)在执行第二操作时测量流向被测装置的电流作为第二电流，(vi)将第一电流与第二电流进行比较，以及(vii)基于比较来确定被测装置是否具有缺陷。

技术特征：

1.一种测试装置，包括：

2.根据权利要求1所述的测试装置，其中，测试控制器被配置为在第一电流与第二电流之间的差小于预定阈值时将存储器装置识别为具有缺陷。

3.根据权利要求1所述的测试装置，其中，第一时间点对应于存储器装置根据命令信号执行第一操作的时间；并且其中，第二时间点对应于存储器装置根据命令信号执行与第一操作不同的第二操作的时间。

4.根据权利要求3所述的测试装置，其中，测试控制器被配置为将时钟信号发送到存储器装置；并且其中，第一时间点和第二时间点与时钟信号同步。

5.根据权利要求4所述的测试装置，其中，第一时间点对应于时钟信号的在存储器装置根据命令信号执行第二操作之前发生的边沿；并且其中，第二时间点对应于时钟信号的在存储器装置根据命令信号开始执行第二操作之后的边沿。

6.根据权利要求4所述的测试装置，还包括电流测量器，电流测量器被配置为测量通过电源电压引脚流向存储器装置的电流；并且其中，测试控制器使用电流测量器来测量第一电流和第二电流。

7.根据权利要求6所述的测试装置，

8.根据权利要求3至7中的任何一项所述的测试装置，其中，命令信号是写入自动预充电指令，第一操作是写入操作，并且第二操作是预充电操作。

9.根据权利要求3至7中的任何一项所述的测试装置，其中，命令信号是写入指令，并且：第一操作是激活操作并且第二操作是写入操作；或者第一操作是写入操作并且第二操作是预充电操作。

10.根据权利要求1所述的测试装置，其中，命令信号是与sram接口兼容的命令信号。

11.一种测试存储器装置的方法，包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中，确定存储器装置是否具有缺陷的步骤还包括：

13.根据权利要求11所述的方法，其中，在存储器装置根据命令信号执行第一操作时发生第一时间点；并且其中，在存储器装置根据命令信号执行与第一操作不同的第二操作时发生第二时间点。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：将时钟信号发送到存储器装置；其中，第一时间点和第二时间点与时钟信号同步。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，第一时间点对应于时钟信号的在存储器装置根据命令信号执行第二操作之前的边沿；并且其中，第二时间点对应于时钟信号的在存储器装置根据命令信号开始执行第二操作之后的边沿。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，确定第一电流的步骤还包括：当时钟信号在第一时间点不被施加时确定第一电流；并且

17.根据权利要求13至16中的任何一项所述的方法，其中，命令信号是写入自动预充电指令，第一操作是写入操作，并且第二操作是预充电操作。

18.根据权利要求13至16中的任何一项所述的方法，其中，命令信号是写入指令，并且：其中，第一操作是激活操作并且第二操作是写入操作；或者第一操作是写入操作并且第二操作是预充电操作。

19.根据权利要求12所述的方法，其中，在存储器装置根据命令信号执行第一操作之后执行第二操作之前，发生第一时间点和第二时间点。

20.一种测试系统，包括：

技术总结测试装置、测试方法和测试系统被提供。所述测试装置包括电源电路和测试控制器，电源电路被配置为通过电源电压引脚将输入电压供应到被测存储器装置，测试控制器被配置为：(i)将命令信号发送到存储器装置，(ii)在发送命令信号之后的第一时间点测量通过电源电压引脚流向存储器装置的第一电流，(iii)在与第一时间点不同的第二时间点测量通过电源电压引脚流向存储器装置的第二电流，并且(iv)将测量的第一电流与测量的第二电流进行比较，从而确定存储器装置中是否具有缺陷。技术研发人员：朴政民,高准英,朴彰辉受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/1/15